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2nm soc
2nm soc 文章 進(jìn)入2nm soc技術(shù)社區
支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng )新
- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動(dòng)應用程序、數據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進(jìn)行復雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(cháng)。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線(xiàn)太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺，包括一個(gè)或多
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三星和安霸達成合作，在 5 納米工藝上為后者量產(chǎn)自動(dòng)駕駛芯片 CV3-AD685
- IT之家 2 月 21 日消息，三星官方于本周二宣布和美國芯片設計公司安霸（Ambarella）達成合作，在 5 納米工藝上為后者量產(chǎn)芯片，該芯片用于支持汽車(chē)的自動(dòng)駕駛功能。三星官方表示，安霸開(kāi)發(fā)的 CV3-AD685 系統級芯片（SoC）可以充當自動(dòng)駕駛汽車(chē)的“大腦”，其性能是前代 CV2 的 20 倍。它讀取和分析來(lái)自攝像頭和雷達的輸入數據，并自動(dòng)選擇何時(shí)的駕駛模式。三星在官方新聞稿中表示：“這次合作將有助于改變下一代自動(dòng)駕駛汽車(chē)安全系統，將人工智能處理性能、功率和可靠性提升到新的水平”。I
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【SoC】聯(lián)發(fā)科天璣7200發(fā)布 臺積電4nm 跑分不如1080？
- 今天聯(lián)發(fā)科發(fā)布了天璣家族的新成員——天璣7200，也是天璣7000系列的首顆SoC，來(lái)簡(jiǎn)單看下規格如何~規格上，聯(lián)發(fā)科介紹天璣7200采用臺積電第二代4nm工藝制程（天璣9200同款工藝？
- 關(guān)鍵字： SoC 聯(lián)發(fā)科
一文詳解SOC、SOH、DOD、SOE
- 一 前言根據前一期文章中，某位讀者朋友提出的一些意見(jiàn)，本期想說(shuō)下本人對動(dòng)力電池中不同狀態(tài)的理解。動(dòng)力電池荷電狀態(tài)，State of Charge簡(jiǎn)稱(chēng)SOC；動(dòng)力電池健康狀態(tài)，State of Health簡(jiǎn)稱(chēng)SOH；電池包放電深度，Depth of discharge簡(jiǎn)稱(chēng)DOD；電池剩余能量，Stete of Energy簡(jiǎn)稱(chēng)SOE。二、電池荷電量SOC電池荷電狀態(tài)，指的是電池中剩余的電荷的可用狀態(tài)，常用以下式子定義，Q額定為電池的額定電荷容量，Q剩余為電池中剩余的電荷余量。如果認為Q額定是一個(gè)固定不變的
- 關(guān)鍵字： SOC SOH DOD SOE
電池，你必須了解的SOC 知識
- 眾所周知，電動(dòng)汽車(chē)的最核心部分是動(dòng)力電池，動(dòng)力電池的重要性不言而喻。而動(dòng)力電池的SOC顯示則是動(dòng)力電池管理工作的關(guān)鍵內容。一、SOC的定義SOC(State ofcharge)，即荷電狀態(tài)，用來(lái)反映電池的剩余容量，其數值上定義為剩余容量占電池容量的比值，常用百分數表示。其取值范圍為0~1，當SOC=0時(shí)表示電池放電完全，當SOC=1時(shí)表示電池完全充滿(mǎn)。電池SOC不能直接測量，只能通過(guò)電池端電壓、充放電電流及內阻等參數來(lái)估算其大小。而這些參數還會(huì )受到電池老化、環(huán)境溫度變化及汽車(chē)行駛狀態(tài)等多種不確定因素的影響
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全球首顆雙向PD3.1認證SOC電源芯片——水芯電子M12269
- 快充充放電平臺系列芯片近日，水芯電子旗下芯片M12269正式通過(guò)了USB-IF協(xié)會(huì )官方PD3.1合規性監測認證，并入選www.usb.org集成商產(chǎn)品列表清單。至此，MERCHIP水芯電子M12269成為業(yè)界第一顆獲得PD3.1雙向認證的電源SOC芯片。在USB-IF官網(wǎng)，可以查詢(xún)該芯片的認證TID號為8833。USB-IF認證M12269作為水芯快充充放電平臺中的一款明星芯片，是面向多串電芯大功率移動(dòng)電源和儲能應用的專(zhuān)用SOC，集成了同步升降壓電壓變換器、驅動(dòng)模塊、電池充放電管理模塊、顯示模塊、電量計算
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提供長(cháng)傳輸距離、大內存、高度安全的FG25 sub-GHz SoC現在全面供貨
- 致力于以安全、智能無(wú)線(xiàn)技術(shù)，打造更加互聯(lián)世界的領(lǐng)導廠(chǎng)商Silicon Labs（亦稱(chēng)“芯科科技”）近日宣布，其旗艦版FG25 sub-GHz?SoC已實(shí)現全面供貨，該產(chǎn)品可通過(guò)Silicon Labs及其分銷(xiāo)商合作伙伴進(jìn)行供應。FG25是專(zhuān)為Wi-SUN等低功耗廣域網(wǎng)（LPWAN）和專(zhuān)有sub-GHz協(xié)議打造的旗艦版SoC，它配置有強大的ARM Cortex-M33處理器和更大的內存。FG25是用于長(cháng)距離、低功耗傳輸的理想SoC，當它與Silicon Labs EFF01前端模塊配合使用時(shí)，能夠
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意法半導體推出單片天線(xiàn)匹配IC,配合Bluetooth LE SoC和STM32無(wú)線(xiàn)MCU,讓射頻設計變得更輕松、快捷
- 意法半導體單片天線(xiàn)匹配 IC系列新增兩款優(yōu)化的新產(chǎn)品，面向BlueNRG-LPS系統芯片(SoC)，以及STM32WB1x 和STM32WB5x*無(wú)線(xiàn)MCU。單片天線(xiàn)匹配 IC有助于簡(jiǎn)化射頻電路設計。針對BlueNRG-LPS優(yōu)化的 MLPF-NRG-01D3和針對STM32WB優(yōu)化的MLPF-WB-02D3集成了一個(gè)外部天線(xiàn)實(shí)現最佳射頻輸出功率和接收靈敏度所需的完整濾波和阻抗匹配電路。每款器件的天線(xiàn)側標稱(chēng)阻抗都是50Ω。片級封裝面積很小，凸點(diǎn)間距0.4mm，回流焊后的封裝高度630μm。意法半導體的新天
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Arm中國大裁員：SoC、HPC兩團隊被裁人數最多
- Arm是全球知名芯片架構企業(yè)，也是知名芯片IP核供應商。大部分IP核都可以直接向IP廠(chǎng)商采購獲得，再由芯片設計企業(yè)在此基礎上設計出自己的芯片。高通和華為即在Cortex-A系列處理器的基礎上，設計出驍龍和麒麟芯片。就是這家知名的企業(yè)在近期迎來(lái)一波大裁員，據媒體報道，Arm中國從上周開(kāi)始裁員，主要裁減研發(fā)團隊， 其中SoC、HPC兩個(gè)團隊裁撤人數最多，其余的研發(fā)團隊會(huì )有不同程度的小范圍裁減，賠償比例N+3。當前，Arm中國人員1000人左右，研發(fā)人員在700人規模， 研發(fā)產(chǎn)品覆蓋：SOC
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全球首個(gè)PCIe 6.0接口子系統 Rambus瞄準高性能SoC應用
- 近日，Rambus宣布推出全球首個(gè)PCIe 6.0接口子系統，主要面向高性能數據中心、AI SoC等領(lǐng)域。Rambus的方案包括完整的PHY物理層、控制器IP，完整符合PCIe 6.0規范，針對異構計算架構全面優(yōu)化，同時(shí)也支持最新的CXL 3.0規范，可優(yōu)化內存資源。Rambus大中華區總經(jīng)理蘇雷介紹，Rambus作為一家業(yè)界領(lǐng)先的Silicon IP和芯片提供商，致力于讓數據傳輸更快、更安全。Rambus目前的主要業(yè)務(wù)包括專(zhuān)利授權、IP授權，以及芯片產(chǎn)品。經(jīng)過(guò)30多年的發(fā)展，Rambus有3000多項技
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淘汰FinFET 升級革命性GAA晶體管：臺積電重申2025量產(chǎn)2nm
- 在今天的說(shuō)法會(huì )上，臺積電透露了新一代工藝的進(jìn)展，3nm工藝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，2023年放量，有多家客戶(hù)下單，再下一代的是2nm工藝，臺積電CEO重申會(huì )在2025年量產(chǎn)。與3nm工藝相比，臺積電2nm工藝會(huì )有重大技術(shù)改進(jìn)， 放棄FinFET晶體管，改用GAA晶體管， 后者是面向2nm甚至1nm節點(diǎn)的關(guān)鍵，可以進(jìn)一步縮小尺寸。相比3nm工藝，在相同功耗下， 2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。不過(guò)2nm工藝的晶體管密度可能會(huì )擠牙膏了，相比3nm只提升了10%，
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2nm？沒(méi)那么簡(jiǎn)單！
- 日本Rapidus和IBM于今年12月13日宣布稱(chēng)，為量產(chǎn)2納米邏輯半導體，雙方建立了合作關(guān)系。IBM長(cháng)年以來(lái)一直積極進(jìn)行研發(fā)尖端半導體，且曾經(jīng)在美國紐約州擁有自己的300毫米晶圓工廠(chǎng)（于2014年轉給Global Foundries，后來(lái)，該工廠(chǎng)被安森美收購）。此外，IBM也在為自己品牌下的電腦生產(chǎn)所需半導體，同時(shí)也為客戶(hù)提供尖端工藝的技術(shù)研發(fā)服務(wù)和晶圓代工服務(wù)。IBM的尖端工藝技術(shù)研發(fā)服務(wù)作為一項Common Platform，通過(guò)創(chuàng )建通用型工藝技術(shù)和生產(chǎn)產(chǎn)線(xiàn)，有效降低了研發(fā)成本、并確保了第二供應商資
- 關(guān)鍵字： 2nm
2nm soc介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條2nm soc!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對2nm soc的理解，并與今后在此搜索2nm soc的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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