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Globalfoundries明年推首款28nm芯片

  •   Globalfoundries表示,該公司最早將會(huì )于今年流片首款使用28nm工藝的品,并且將會(huì )于2011年初實(shí)現風(fēng)險性試產(chǎn)。Globalfoundries的28nm工藝首個(gè)客戶(hù)很有可能就是AMD公司,產(chǎn)品將會(huì )是圖形顯示芯片。   在接受網(wǎng)站Register采訪(fǎng)時(shí),Globalfoundries公司的一位官員表示:“對于28nm工藝而言,其同時(shí)面向了高性能和低功耗產(chǎn)品,我們會(huì )在今年年底實(shí)現流片,并且將會(huì )于2011年初開(kāi)始生產(chǎn)。”   Globalfoundries公司的28n
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28nm節點(diǎn)將引發(fā)全球代工攻堅戰

  •   按Gartner副總裁Dean Freeman看法,能進(jìn)行先進(jìn)制程設計的fabless公司目前正處于極好時(shí)光。因為Freeman看到頂級代工廠(chǎng)正義無(wú)反顧的向40及28nm進(jìn)軍,同時(shí)為爭奪更大的市場(chǎng)份額,而使硅片代工的價(jià)格迅速下降。   按Freeman說(shuō)法,半導體產(chǎn)業(yè)之前從未出現過(guò)有好幾家代工廠(chǎng)能夠同時(shí)提供最先進(jìn)的工藝制程加工能力。目前已有三家,如 TSMC,GlobalFoundries及三星電子。   由于互相競爭,先進(jìn)制程代工的價(jià)格下降很快,這是Freeman在周一(12 July),每年S
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“新摩爾時(shí)代”的新興應用與技術(shù)探尋(下)

  •   (接上期)   產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵詞:28nm、EDA、ODM、制造   技術(shù)和產(chǎn)品的大繁榮,離不開(kāi)健全的IC產(chǎn)業(yè)鏈。此篇從與IC相關(guān)的產(chǎn)業(yè)鏈角度報道一些企業(yè)。   EDA   2009年EDA和半導體業(yè)都下降了10%左右。但在蕭條的嚴冬中,總有一些可敬的頑強生命在成長(cháng)。一家2001年才成立的小EDA公司,2009年銷(xiāo)售額增長(cháng)了22%,2008年在功率分析方面的市場(chǎng)份額高達67%!這家公司就是Apache,CEO兼董事長(cháng)Andrew T. Yang(楊天勝,華裔)博士介紹說(shuō),Apache專(zhuān)門(mén)提供降低功
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28nm節點(diǎn)將引發(fā)全球代工攻堅戰

  •   按Gartner副總裁Dean Freeman看法,能進(jìn)行先進(jìn)制程設計的fabless公司目前正處于極好時(shí)光。因為Freeman看到頂級代工廠(chǎng)正義無(wú)反顧的向40及28nm進(jìn)軍,同時(shí)為爭奪更大的市場(chǎng)份額,而使硅片代工的價(jià)格迅速下降。   按Freeman說(shuō)法,半導體產(chǎn)業(yè)之前從未出現過(guò)有好幾家代工廠(chǎng)能夠同時(shí)提供最先進(jìn)的工藝制程加工能力。目前已有三家,如 TSMC,GlobalFoundries及三星電子。   由于互相競爭,先進(jìn)制程代工的價(jià)格下降很快,這是Freeman在周一(12 July),每年S
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中國半導體業(yè)再次發(fā)起沖擊

  •   沉寂了一段時(shí)間后,中國半導體業(yè)又重新開(kāi)始沖剌,表現為上海華力12英寸項目啟動(dòng)及中芯國際擴充北京12英寸生產(chǎn)線(xiàn)產(chǎn)能至4.5萬(wàn)片,包括可能在北京再建一條12英寸生產(chǎn)線(xiàn)等。   然而,從國外媒體來(lái)的訊息表示的觀(guān)點(diǎn)有些不同。如美國Information Network認為中國半導體業(yè)在政府資金支持下,在未來(lái)的5年內將投資250億美元,可能再次掀起高潮。但也不排除,有的市場(chǎng)分析公司對于投資的回報率存有質(zhì)疑,其實(shí)這一切才是正常的。因為中國半導體業(yè)是屬于戰略產(chǎn)業(yè),不是完全可用市場(chǎng)機制,單一的經(jīng)濟規律來(lái)解釋得通。
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IBM、GF、三星、意法四巨頭同步投產(chǎn)28nm芯片

  •   IBM、GlobalFoundries、三星電子、意法半導體四家行業(yè)巨頭今天聯(lián)合宣布,他們將合作實(shí)現半導 體制造工廠(chǎng)的同步,共同使用IBM技術(shù)聯(lián)盟開(kāi)發(fā)的28nm低功耗工藝生產(chǎn)相關(guān)芯片。據了解,這種同步模式將確??蛻?hù)的芯片設計能夠在三個(gè)國家的多座晶圓廠(chǎng)內靈活生產(chǎn),無(wú)需重新設計,大大降低半導 體制造的風(fēng)險和成本。相關(guān)的28nm新工藝通用電路已經(jīng)發(fā)放到各家工廠(chǎng),預計今年底就會(huì )有工廠(chǎng)率先完成同步過(guò)程,隨后不久便可以開(kāi)始投產(chǎn)。   IBM技術(shù)聯(lián)盟的核心是IBM位于紐約州East Fishkill的工廠(chǎng),成員包
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IBM集團就28nm工藝展開(kāi)合作

  •   IBM“晶圓廠(chǎng)俱樂(lè )部”中的四家公司IBM、Samsung、GlobalFoundries和ST稱(chēng)他們將在28nm低功耗工藝上展開(kāi)合作保持同步。   該集團將于2010年晚期開(kāi)始出貨28nm晶圓,并且開(kāi)始對其代工競爭對手進(jìn)行隱晦的口頭攻擊。   該集團沒(méi)有指出臺積電的名字,但臺積電對IBM集團的高k技術(shù)表示過(guò)不滿(mǎn)。IBM的28nm工藝是基于gate-first高k金屬柵技術(shù),而臺積電則在高k中采用gate-last工藝。
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聯(lián)電:明年試產(chǎn)28nm工藝3D堆疊芯片

  •   據悉,臺灣代工廠(chǎng)聯(lián)電(UMC)計劃于2011年年中開(kāi)始,使用28nm新工藝試產(chǎn)3D立體堆疊式芯片,并于2012年批量投產(chǎn)。   聯(lián)電CEO孫世偉(Shih-Wei Sun)表示,這種3D堆疊芯片使用了硅通孔(TSV)技術(shù),是聯(lián)電與日本爾必達、臺灣力成科技(PTI)共同研發(fā)完成的。這次三方合作匯聚了聯(lián)電的制造技術(shù)、爾必達的內存技術(shù)和力成的封裝技術(shù),并在3D IC方案中整合了邏輯電路和DRAM。   孫世偉指出,客戶(hù)需要3D-IC TSV方案用于下一代CMOS圖像傳感器、MEMS芯片、功率放大器和其他
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IBM可能與阿布扎比政府開(kāi)展合作

  •   隨著(zhù)現代芯片制造工藝的研發(fā)成本越來(lái)越高,以及不同機構之間的合作越來(lái)越密切,大型企業(yè)和國家政府也可能會(huì )越走越近,比如藍色巨人IBM和阿聯(lián)酋阿布扎比,他們中間就有一個(gè)GlobalFoundries。   Petrov Group創(chuàng )始人兼首席分析師、前特許半導體市場(chǎng)戰略總監Boris Petrov在接受媒體采訪(fǎng)時(shí)表示:“IBM 在與政府打交道的時(shí)候會(huì )比個(gè)體公司感到更舒服,就像是航空母艦對比土著(zhù)小漁船。”   GlobalFoundries的客戶(hù)現在都普遍需要更先進(jìn)的制造工藝,比如
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“新摩爾時(shí)代”的新興應用與技術(shù)探尋(上)

  •   有人說(shuō)現在是大公司時(shí)代,強者更強,因此電子業(yè)內兼并重組現象時(shí)有發(fā)生。有人卻說(shuō),未來(lái)給中小企業(yè)帶來(lái)了機會(huì ),只要你的技術(shù)或產(chǎn)品在專(zhuān)注的領(lǐng)域里能排在前三,因為發(fā)達的媒體業(yè)鏟平了信息阻隔,為更多的中小企業(yè)創(chuàng )造了貿易機會(huì )。   最近,筆者參加了美國Globalpress公司在硅谷周邊——Santa Cruz舉辦的Electronic Summit2010(電子高峰會(huì )議),有約30家公司參與,大部分是中小企業(yè)。從中感慨到:摩爾定律揭示了半導體業(yè)正向40/32/28nm制程推進(jìn)的必然過(guò)
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半導體制造:又逢更新?lián)Q代時(shí)

  • 本文結合多方視角,詳細探討最新的半導體工藝技術(shù)發(fā)展,相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈各方對新工藝的應用情況及客觀(guān)評價(jià)。
  • 關(guān)鍵字: 半導體制造  28nm  Foundry  HKMG  201006  

Gloabl Foundries 30億美元的賭局

  •   Gloabl Foundries(GF)聲稱(chēng)將投資30億美元用來(lái)擴充德國與美國的產(chǎn)能,以回應全球代工近期呈現的產(chǎn)能饑餓癥。   歐洲:在Dresden新建Fab 12,目標是45nm、28nm及22nm,月產(chǎn)能8萬(wàn)片,潔凈廠(chǎng)房面積11萬(wàn)平方英尺。項目已經(jīng)國家與歐盟批準,并于2011年開(kāi)始量產(chǎn)。   GF發(fā)言人稱(chēng)Dresden投資在14-15億美元。   美國:GF正在紐約的Luther Forecast興建Fab 8,目標為28nm及22nm,總建筑面積為30萬(wàn)平方英尺,其中潔凈廠(chǎng)房為9萬(wàn)平方英
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誰(shuí)會(huì )在代工投資“盛宴”中缺席?

  •   在前3年之前全球代工總是在看前4大的動(dòng)向,包括臺積電、聯(lián)電、中芯國際及特許。然而,臺積電一家獨大,聯(lián)電居老二似乎也相安無(wú)事。   自AMD分出Globalfoundries,及ATIC又兼并特許,再把Globalfoundries與特許合并在一起。表面上看少了一個(gè)特許,實(shí)際上由于Globalfoundries在其金主支持下積極建新廠(chǎng),在代工業(yè)界引發(fā)了波浪,至少誰(shuí)將成為老二成為話(huà)題。   加上存儲器大享三星近期開(kāi)始投資代工,放言要接高通的手機芯片訂單;加上fabless大廠(chǎng)Xilinx改變策略,把2
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張忠謀公開(kāi)臺積電20nm制程技術(shù)部分細節

  •   臺積電公司宣布他們將于28nm制程之后跳過(guò)22nm全代制程,直接開(kāi)發(fā)20nm半代制程技術(shù)。在臺積電公司日前舉辦的技術(shù)會(huì )展上,臺積電公司展示了部分 20nm半代制程的一些技術(shù)細節,20nm制程將是繼28nm制程之后臺積電的下一個(gè)主要制程平臺,另外,20nm之后,臺積電還會(huì )跳過(guò)18nm制程。   根據臺積電會(huì )上展示的信息顯示,他們的20nm制程將采用10層金屬互聯(lián)技術(shù),并仍然采用平面型晶體管結構,增強技術(shù)方面則會(huì )使用HKMG/應變硅和較新的“low-r”技術(shù)(即由銅+low-
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張忠謀:臺積電將向14nm以下工藝挺進(jìn)

  •   臺積電CEO兼董事長(cháng)張忠謀近日在加州圣何塞的一次技術(shù)會(huì )議上表示,臺積電將會(huì )和整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)一起,向14nm以下的制造工藝進(jìn)軍。   張忠謀認為,2011-2014年間的全球半導體市場(chǎng)的發(fā)展速度不會(huì )很快,原因有很多,其中之一就是受摩爾定律制約,技術(shù)發(fā)展的速度會(huì )趨于緩慢。   張忠謀表示,2xnm時(shí)代眼下很快就要到來(lái),1xnm時(shí)代也會(huì )在可預見(jiàn)的未來(lái)內成為現實(shí),而臺積電或許無(wú)法在他的任期內走向1xnm,但肯定會(huì )竭盡全力將半導體制造技術(shù)帶向新的水平。   臺積電2010年間的資本支出預算高達48億美元,
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