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28nm
28nm 文章 進(jìn)入28nm技術(shù)社區
聯(lián)發(fā)科28nm制程處理器曝光 支持4G網(wǎng)絡(luò )
- 4G牌照已經(jīng)發(fā)放,預計2014年將是4G手機走俏的一年。根據聯(lián)發(fā)科中國區高層透露,聯(lián)發(fā)科正在積極準備一款28nm制程工藝的處理器,這顆處理器將支持五模十頻4GLTE,將于今年年底正式推出,明年初即可實(shí)現量產(chǎn)。屆時(shí),更多廉價(jià)的4G智能手機將出現。 據了解,這款28nm的4G處理器型號為MT6290,是基于Cortex-A7結構設計的,性能與廣泛使用的廉價(jià)處理器MT6589相當(小米紅米手機使用的正是這款處理器)。該處理器支持LTE-FDD/LTE-TDD/WCDMA/TD-SCDMA/GSM網(wǎng)
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聯(lián)發(fā)科28nm芯片曝光:支持TD及FDD網(wǎng)絡(luò )
- 據聯(lián)發(fā)科中國區的高層人士透露,聯(lián)發(fā)科28納米制程的五模十頻LTE4G芯片將在年底正式推出,到預計到明年一季度實(shí)現終端量產(chǎn)。 據悉,這款處理器的代號為MT6290,基于Cortex-A7架構打造,采用28nm制程工藝,性能與MT6589基本持平。此外,該芯片最大的特點(diǎn)是支持五模十頻,即LTE-FDD/LTE-TDD/WCDMA/TD-SCDMA/GSM網(wǎng)絡(luò )標準。 此外,還有消息稱(chēng),聯(lián)發(fā)科已經(jīng)將這款支持TD-LTE4G網(wǎng)絡(luò )的處理器交由大客戶(hù)測試了,而明年Q1大家就能買(mǎi)到相對應的產(chǎn)品了。
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聯(lián)發(fā)科28nm芯片曝光:支持TD及FDD網(wǎng)絡(luò )
- 據聯(lián)發(fā)科中國區的高層人士透露,聯(lián)發(fā)科28納米制程的五模十頻LTE4G芯片將在年底正式推出,到預計到明年一季度實(shí)現終端量產(chǎn)。 據悉,這款處理器的代號為MT6290,基于Cortex-A7架構打造,采用28nm制程工藝,性能與MT6589基本持平。此外,該芯片最大的特點(diǎn)是支持五模十頻,即LTE-FDD/LTE-TDD/WCDMA/TD-SCDMA/GSM網(wǎng)絡(luò )標準。 此外,還有消息稱(chēng),聯(lián)發(fā)科已經(jīng)將這款支持TD-LTE4G網(wǎng)絡(luò )的處理器交由大客戶(hù)測試了,而明年Q1大家就能買(mǎi)到相對應的產(chǎn)品了。
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AMD要和“女朋友”徹底分手了?
- AMD至今仍是GlobalFoundries(GF)的頭號客戶(hù),只是因為種種原因,雙方的合作越來(lái)越松散,甚至都無(wú)法完成今年在GF的晶圓采購任務(wù)。 據報道,AMD、GF2013年度的晶圓采購額度為11.5億美元,但看上去AMD很難實(shí)現這一目標。今年前三個(gè)季度,AMD總共向GF采購了價(jià)值7.46億美元的晶圓,還差超過(guò)4億美元,而在前三個(gè)季度,AMD的采購額是越來(lái)越少的:2.69億美元、2.55億美元、2.22億美元。 這樣一來(lái),AMD要想完成采購額度已經(jīng)是“MissionImpos
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中芯國際28nm即將上線(xiàn) 攻關(guān)3D集成電路
- 作為國內最大、最先進(jìn)的半導體制造商,中芯國際(SMIC)已經(jīng)成立了新的“視覺(jué)、傳感器與3D集成電路”(CVS3D)研發(fā)中心,集中力量重點(diǎn)攻關(guān)硅傳感器、TSV硅通孔和其它中端晶圓處理(MEWP)技術(shù)。 為了進(jìn)一步提升晶體管集成度,業(yè)內正在普遍上馬基于TSV技術(shù)的2.5D、3D半導體工藝,涵蓋CPU處理器、GPU圖形核心、內存、閃存等等。 調研機構認為,TSV晶圓今年的出貨量會(huì )有大約135萬(wàn)塊(折合300毫米晶圓),2017年將猛增至958萬(wàn)塊,年復合增長(cháng)率63%。
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Xilinx采用臺積電CoWoS技術(shù)的28nm 3D IC系列產(chǎn)品全線(xiàn)量產(chǎn)
- CoWoS技術(shù)就緒以支持Xilinx的20SoC和16FinFET 3D IC產(chǎn)品 All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))和臺積公司(TWSE: 2330, NYSE: TSM)今天共同宣布,業(yè)界首款異構(Heterogeneous) 3D IC Virtex-7 HT系列產(chǎn)品正式量產(chǎn)。這一里程碑式事件標志著(zhù)賽靈思旗下28nm 3D IC 系列產(chǎn)品全線(xiàn)量產(chǎn)。賽靈思這些采用臺積公司的CoWoS(Chip-on
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28nm動(dòng)能續弱 臺積電Q4營(yíng)收將減12%
- 臺積電(2330)9月?tīng)I收月增0.5%來(lái)到553.82億元、年增27.6%,持續創(chuàng )高之路,Q3營(yíng)收也在通訊需求續撐腰帶動(dòng)下,微幅季增4.29%來(lái)到1625.77億元,符合財測預期的1610~1640億元區間,續創(chuàng )單季營(yíng)收歷史新高。在臺積法說(shuō)于17日登場(chǎng)前,花旗則是出具最新報告指出,臺積Q3來(lái)自28奈米的營(yíng)收貢獻并不如外界料想的強勁,而Q4在高階智慧型手機市況不佳、致28奈米Q4動(dòng)能持續轉弱影響下,花旗也進(jìn)一步下修對臺積Q4的營(yíng)收預估,估計該季營(yíng)收將季減12%。 不過(guò),即使短期動(dòng)能趨緩,但花旗仍重
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聯(lián)電:28nm年底占1%至3%
- 晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)電傳出28nm制程良率已突破7成,獲聯(lián)發(fā)科擴大下單。聯(lián)電對此不評論,表示28奈米進(jìn)展如預期,今年底將貢獻1%至3%業(yè)績(jì)。 聯(lián)電近日在28nm制程良率提升獲重大突破利多激勵下,股價(jià)表現強勁,今天盤(pán)中一度達新臺幣13.35元,上漲0.75元,漲幅達5.95%,并創(chuàng )1個(gè)多月來(lái)新高價(jià)。 聯(lián)電表示,不評論市場(chǎng)傳言,28nm制程進(jìn)展符合預期。 聯(lián)電執行長(cháng)顏博文于8月法人說(shuō)明會(huì )中即曾預期,今年底28奈米制程將貢獻1%至3%業(yè)績(jì);40奈米以下先進(jìn)制程比重第3季可望逼近2成水準
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聯(lián)電:28nm年底占1%至3%
- 晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)電傳出28nm制程良率已突破7成,獲聯(lián)發(fā)科擴大下單。聯(lián)電對此不評論,表示28奈米進(jìn)展如預期,今年底將貢獻1%至3%業(yè)績(jì)。 聯(lián)電近日在28nm制程良率提升獲重大突破利多激勵下,股價(jià)表現強勁,今天盤(pán)中一度達新臺幣13.35元,上漲0.75元,漲幅達5.95%,并創(chuàng )1個(gè)多月來(lái)新高價(jià)。 聯(lián)電表示,不評論市場(chǎng)傳言,28nm制程進(jìn)展符合預期。 聯(lián)電執行長(cháng)顏博文于8月法人說(shuō)明會(huì )中即曾預期,今年底28奈米制程將貢獻1%至3%業(yè)績(jì);40奈米以下先進(jìn)制程比重第3季可望逼近2成水準。
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聯(lián)電重申28nm貢獻比 內外資高低目標價(jià)差達8元
- 聯(lián)電24日重申早先法說(shuō)會(huì )釋出的28奈米在今年底營(yíng)收貢獻目標為個(gè)位數百分比。對聯(lián)電,外資未有調高目標價(jià)的報告,而內資法人出具的最新報告則從中立轉買(mǎi)進(jìn)、喊出調高目標價(jià)至18元,也是內資近1年半來(lái)的最高價(jià),并使內外機構的高低價(jià)差達到了8元。 市場(chǎng)傳出,聯(lián)電因28nm制程良率顯著(zhù)提高至7成以上、再獲得聯(lián)發(fā)科訂單,聯(lián)電不評論單一客戶(hù)。聯(lián)電今天重申28nm部分按進(jìn)度,維持早先法說(shuō)會(huì )釋出,預估對今年底營(yíng)收貢獻低個(gè)位數百分比1-3%。 內資法人指出,據最新訪(fǎng)查基于3理由喊買(mǎi)聯(lián)電:(1)28nm制程良率顯著(zhù)
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格羅方德CEO:28nm代工新商機連環(huán)爆
- 28nm商機正一波接一波涌現。繼應用處理器、基頻處理器與電視主晶片之后,無(wú)線(xiàn)區域網(wǎng)路(Wi-Fi)、近距離無(wú)線(xiàn)通訊(NFC)和射頻收發(fā)器(RF Transceiver)等通訊晶片也已開(kāi)始導入28nm先進(jìn)制程。同時(shí),行動(dòng)裝置業(yè)者對影像處理效能要求日益攀升,并積極尋求數位和類(lèi)比混合訊號整合方案,亦將驅動(dòng)相關(guān)晶片商擴大采用28nm技術(shù)。 格羅方德執行長(cháng)Ajit Manocha提到,該公司亦將類(lèi)比制程視為未來(lái)的布局重點(diǎn),正全力展開(kāi)部署。 格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)執行長(cháng)Ajit M
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三國大戰28nm芯片代工
- 根據臺灣產(chǎn)業(yè)鏈上游消息來(lái)源表示,目前,全球28nm芯片代工開(kāi)始呈現三國大戰走勢。 其中,TMSC臺積電是28nm產(chǎn)品代工大戶(hù),每月代工10萬(wàn)顆28nm芯片。目前,臺積電28nm產(chǎn)品代工客戶(hù)有高通、NVIDIA、AMD、聯(lián)發(fā)科等芯片設計廠(chǎng)商。臺積電今年年初到7月份,28nm生產(chǎn)線(xiàn)都開(kāi)足馬力運行,但是進(jìn)入8月,市場(chǎng)對高端智能手機需求下滑,導致臺積電28nm生產(chǎn)線(xiàn)利用率下降到80%左右。 而GlobalFoundries從下半年開(kāi)始大幅度提升28nm產(chǎn)品良率,因此陸續獲得高通和聯(lián)發(fā)科垂青,成為2
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芯片代工廠(chǎng)商將用28nm設備生產(chǎn)20nm產(chǎn)品
- 據業(yè)內人士透露,在28nm產(chǎn)品供過(guò)于求的情況下,芯片代工制造商計劃使用28nm生產(chǎn)設備來(lái)制造20nm產(chǎn)品。 芯片代工廠(chǎng)商這種計劃,也可以滿(mǎn)足部分客戶(hù)技術(shù)轉型,對更先進(jìn)的20nm產(chǎn)品需求。同時(shí),部分現有20nm生產(chǎn)設備,也可以被用來(lái)生產(chǎn)更先進(jìn)的16/14nm芯片,避免設備空閑。 消息人士指出,Globalfoundries和三星電子已經(jīng)加入戰局,和臺積電一起提升他們的28nm制程產(chǎn)能,造成全球28納米芯片生產(chǎn)規模供過(guò)于求。目前,28nm制程芯片需求有所放緩,2013年下半年以來(lái),銷(xiāo)售情況令人
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28nm領(lǐng)先對手 臺積電Q4產(chǎn)能難滿(mǎn)載
- 各界對臺積電(2330)第4季28納米產(chǎn)能利用率疑慮提高,臺積電代理發(fā)言人孫又文25日首度松口表示,第4季28納米產(chǎn)能利用率可能不會(huì )滿(mǎn)載,但她也強調,臺積電28納米制程的技術(shù)仍遙遙領(lǐng)先其它對手。 臺積電董事長(cháng)張忠謀在今年初曾表示,今年28納米產(chǎn)能將全年滿(mǎn)載;但他在上季法說(shuō)會(huì )上修正此看法,在客戶(hù)庫存調整影響下,第4季營(yíng)收季減幅度可能高于去年的7%。 孫又文指出,臺積電在每季首月的第三周才會(huì )收到客戶(hù)九成的訂單,現在談?wù)摰?季的狀況有點(diǎn)太早,但以客戶(hù)端目前庫存調整情形看,第4季28納米可能不會(huì )滿(mǎn)
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鎖定大陸IC設計市場(chǎng) 臺積/GF再掀28nm熱斗
- 臺積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)的28奈米制程戰火將擴大延燒。中國大陸IC設計業(yè)者為搶進(jìn)行動(dòng)裝置市場(chǎng),紛紛投入28奈米晶片開(kāi)發(fā)。瞄準此一商機,臺積電與格羅方德均積極展開(kāi)擴產(chǎn),并致力強化技術(shù)支援能力,以爭取大陸IC設計業(yè)者青睞。 臺積電與格羅方德正積極搶攻中國大陸28奈米(nm)市場(chǎng)商機。隨著(zhù)28nm晶圓量產(chǎn)技術(shù)成熟且價(jià)格日益親民,中國大陸前五大IC設計業(yè)者正相繼在新一代處理器方案導入該制程,刺激28奈米投片需求大增;因此,臺積電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)在戮力
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28nm介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條28nm!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對28nm的理解,并與今后在此搜索28nm的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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