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AMD:28nm GPU此時(shí)此刻正在出貨

  •   近日有關(guān)AMD Radeon HD 7000系列顯卡的傳聞可以說(shuō)是漫天飛舞,特別是高端的Radeon HD 7900系列赫然發(fā)布在即,規格參數都開(kāi)始陸續浮現。AMD今天終于公開(kāi)宣布,28nm GPU已經(jīng)全面出貨了。   在美國大型獨立經(jīng)紀商Raymond James主辦的IT供應鏈大會(huì )上,AMD CEO Rory Read表示:“我們正在臺灣與臺積電合作生產(chǎn)28nm(芯片),此時(shí)此刻就在出貨。我們對此產(chǎn)品感到異常激動(dòng)?!?   事實(shí)上,Radeon HD 7900系列的實(shí)物照
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NVIDIA悄悄發(fā)布GeForce 600M系列GPU

  •   NVIDIA今天悄悄發(fā)布GeForce 600M系列GPU。NVIDIA官方網(wǎng)站并沒(méi)有刊登相關(guān)新聞稿,只是在移動(dòng)圖形芯產(chǎn)品頁(yè)面加以更新。NVIDIA今天首批發(fā)布的GeForce 600M系列GPU包括三款產(chǎn)品,它們分別是GeForce 610M、GeForce GT 630M和GeForce GT 635M。   首批GeForce 600M這三款產(chǎn)品,均繼續采用Fermi費米架構,而非28nm 開(kāi)普勒架構。其中,GeForce 610M代號GF119,內建48個(gè)CUDA核心,工作頻率900MHz,
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LSI交付28 nm定制芯片

  • LSI公司日前宣布交付面向新一代數據中心、云和移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )應用的 28nm 定制芯片解決方案。該設計平臺可將豐富的硅驗證 IP 與先進(jìn)的設計方法完美結合,便于 OEM 廠(chǎng)商針對服務(wù)器、存儲系統、路由器、交換機和移動(dòng)基站等關(guān)鍵基礎設施開(kāi)發(fā)高度差異化的解決方案。
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2012年芯片設計主流技術(shù)正式邁入28nm

  •   據DIGITMES,隨著(zhù)半導體新廠(chǎng)建造成本由2005年約20億~30億美元攀升至2010年的30億~40億美元水平后,預估至2015年更將一舉超越50億美元大關(guān)?;诔掷m攀升的新廠(chǎng)成本早已超出集成元件制造廠(chǎng)(Integrated Device Manufacturer;IDM)正常資本支出能夠支應范圍,因此,部分IDM選擇將晶圓制造訂單部分委外至晶圓代工(Foundry)業(yè)者,同時(shí)保留既有產(chǎn)線(xiàn)專(zhuān)注核心產(chǎn)品線(xiàn)生產(chǎn),形成輕晶圓廠(chǎng)(Fab-Lite)營(yíng)運模式。   觀(guān)察全球IDM資產(chǎn)輕量化(Asset-L
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LSI 交付面向數據中心和移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )的28 nm定制芯片

  •   LSI公司日前宣布交付面向新一代數據中心、云和移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )應用的 28nm 定制芯片解決方案。該設計平臺可將豐富的硅驗證 IP 與先進(jìn)的設計方法完美結合,便于 OEM 廠(chǎng)商針對服務(wù)器、存儲系統、路由器、交換機和移動(dòng)基站等關(guān)鍵基礎設施開(kāi)發(fā)高度差異化的解決方案。   數據流量的爆炸式增長(cháng)以及智能電話(huà)、平板電腦和超級本 (ultrabook) 等網(wǎng)絡(luò )連接設備的快速普及,正在推動(dòng)市場(chǎng)對高端口數量、高帶寬智能系統的需求。OEM 廠(chǎng)商需要定制芯片來(lái)滿(mǎn)足流量增長(cháng)要求,同時(shí)向市場(chǎng)推出差異化解決方案。   Gartne
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N卡6系移動(dòng)GPU先發(fā)布 架構/工藝仍是謎

  •   12月6日,這曾經(jīng)是傳聞中AMD發(fā)布第一款28nm GPU的日子,但現在基本可以確定,NVIDIA會(huì )在屆時(shí)宣布自己的GeForce 600M系列新一代筆記本GPU,包括GeForce 610M/GT 630M/GT 635M三款低端型號。GeForce 610M開(kāi)發(fā)代號為N13M-GE1/3/5,擁有48個(gè)流處理器、64-bit DDR3顯存,它將取代GeForce 410M/GT520M。   GeForce GT 555M是目前最受歡迎的NVIDIA筆記本顯卡之一,不過(guò)其型號混亂也是有目共睹的,
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28nm超高集成度 高通Snapdragon S4釋疑

  •   高通把處理器型號統一了之后,辨識度確實(shí)提高了不少。近日高通正式向外界公布了新一代基于Krait CPU架構的Snapdragon S4白皮書(shū),并面向中國媒體舉行了媒體溝通會(huì ),向我們比較詳細地介紹了Snapdragon S4的亮點(diǎn),以及回答了記者的提問(wèn)。   介紹之前我們先對高通的Snapdragon系列芯片進(jìn)行一個(gè)梳理,Snapdragon按照性能由低到高共分為S1,S2,S3以及S4四個(gè)系列,其中 S1系列為QSD8650/8250,MSM7627/7227,以及MSM7625/7225,主要裝
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臺積電宣布28nm制程量產(chǎn) 各廠(chǎng)商均表歡迎

  •   臺積電今日在新竹總部宣布,該公司的28nm制程工藝正式邁入量產(chǎn)階段,成為芯片代工行業(yè)首個(gè)量產(chǎn)28nm產(chǎn)品的廠(chǎng)商。臺積電28nm制程包括28nm高性能(HP)、低耗電(LP)、高性能低耗電(HPL)以及高性能移動(dòng)計算(HPM)。其中28nm HP、LP與HPL制程均已進(jìn)入量產(chǎn)階段并符合客戶(hù)對于良率的要求,而28nm HPM制程也將在年底前正式進(jìn)入量產(chǎn)。   此外,臺積電還宣稱(chēng)28nm制程已經(jīng)流片的產(chǎn)品數量超過(guò)80個(gè),比向40nm制程轉換初期的2倍還要多。首個(gè)28nm工藝芯片預計將在今年晚些時(shí)候面世,而
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賽靈思:多重創(chuàng )新技術(shù)引領(lǐng)28nm潮流

  •   從2010年初可編程領(lǐng)域首次超越CPU企業(yè)率先宣布進(jìn)入28nm工藝節點(diǎn)開(kāi)始,可編程平臺的領(lǐng)導廠(chǎng)商賽靈思公司就沒(méi)有讓28nm的舞臺冷場(chǎng)過(guò),尤其是今年3月率先交付全球第一個(gè)28nm芯片—Kintex 7 325T,6月再次交付Virtex-7 485T所展示的強大的執行能力,不僅讓其從競爭中脫穎而出,而且也讓關(guān)注工藝進(jìn)步和設計創(chuàng )新的整個(gè)電子行業(yè)對28nm的廣泛應用充滿(mǎn)期待。   
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臺積電28nm制程有望今年Q4小批量試產(chǎn)

  •   臺積電公司領(lǐng)導林本堅近日表示,公司規劃的28納米制程最快可望在今年第4季度小批量生產(chǎn),并預估產(chǎn)量將在明年擴大。   林本堅表示,28納米制程采用多重曝影(multi patterning)的浸潤式(immersion)微影技術(shù),并且公司正在進(jìn)行20納米技術(shù)的研發(fā),未來(lái)14納米將嘗試導入極紫外光(EUV)或多重電子束 (MEB)等新技術(shù),臺積電目前已加入Sematech,針對20納米以下半導體制程的相關(guān)技術(shù)進(jìn)行合作研發(fā)。
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好事多磨 臺積電28nm技術(shù)再次推遲

  •   臺積電作為全球最大的集成電路制造公司,其工藝進(jìn)展情況關(guān)系到無(wú)數半導體企業(yè)的產(chǎn)品發(fā)布時(shí)間和計劃。但前段時(shí)間,臺積電兩位高管發(fā)表的聲明,備受關(guān)注的28nm工藝再次推遲。  
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導入28nm 高通4G多模芯片瞄準移動(dòng)設備

  •   “多頻多?!币殉蔀?G晶片商產(chǎn)品發(fā)展的新圭臬,而一直以來(lái)在通訊晶片領(lǐng)域據有重要地位的高通(Qualcomm),已率先將新一代整合2G、3G和長(cháng)程演進(jìn)計劃(LTE)的Snapdragon平臺系列產(chǎn)品--MSM8960、MDM9x15、MDM9x25,全面導入28奈米先進(jìn)制程,進(jìn)一步滿(mǎn)足行動(dòng)裝置對低功耗和輕薄短小設計的殷切需求。  
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NVIDIA:28nm我們來(lái)了

  •   NVIDIA近日宣稱(chēng),已經(jīng)充分吸取了40nm工藝上的經(jīng)驗教訓,不會(huì )在28nm上重蹈覆轍,而且經(jīng)過(guò)與臺積電的深入合作之后,目前已經(jīng)獲得了可以工作的28nm芯片。NVIDIA老大黃仁勛昨日表示:“我們在28nm工藝上的準備程度要比40nm好得多,因為我們對其高度重視。
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臺積電承認28nm工藝姍姍來(lái)遲

  •   40nm工藝上栽過(guò)一次跟頭的臺積電在28nm上也是霉運不斷,至今無(wú)法令人滿(mǎn)意。臺積電高層在近日的財務(wù)會(huì )議上也承認,28nm工藝的確是遲到了,也不得不因此調低收入預期。臺積電董事長(cháng)兼CEO張忠謀表示:“28nm工藝投產(chǎn)花費的時(shí)間確實(shí)要比預期得更久,這主要是2011年經(jīng)濟形勢和市場(chǎng)需求疲軟所致?!?/li>
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臺積電28nm制程產(chǎn)能爬坡計劃推后執行

  •   由于近期半導體芯片市場(chǎng)需求疲軟,加上今年第三季度準備推行芯片庫存調整計劃,半導體芯片代工大廠(chǎng)臺積電公司調低了其全年的資本投資計劃金額,下調的幅度為5%。原定的資本投資計劃金額為78億美元左右,計劃調整之后的金額則降為74億美元。另外,臺積電還宣布將推后原先的28nm產(chǎn)能爬坡計劃執行的時(shí)間點(diǎn),并稱(chēng)此舉并不是因為制程技術(shù)方面的問(wèn)題,而是單純由于其客戶(hù)在全球經(jīng)濟不景氣的大環(huán)境下調后了將產(chǎn)品向更高級別制程轉換的步調。
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