聯(lián)電：28nm年底占1%至3%

　　晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)電傳出28nm制程良率已突破7成，獲聯(lián)發(fā)科擴大下單。聯(lián)電對此不評論，表示28奈米進(jìn)展如預期，今年底將貢獻1%至3%業(yè)績(jì)。

　　聯(lián)電近日在28nm制程良率提升獲重大突破利多激勵下，股價(jià)表現強勁，今天盤(pán)中一度達新臺幣13.35元，上漲0.75元，漲幅達5.95%，并創(chuàng )1個(gè)多月來(lái)新高價(jià)。

　　聯(lián)電表示，不評論市場(chǎng)傳言，28nm制程進(jìn)展符合預期。

　　聯(lián)電執行長(cháng)顏博文于8月法人說(shuō)明會(huì )中即曾預期，今年底28奈米制程將貢獻1%至3%業(yè)績(jì);40奈米以下先進(jìn)制程比重第3季可望逼近2成水準。