聯(lián)電將跳過(guò)20nm 專(zhuān)攻FinFET

　　聯(lián)電將跳過(guò)20納米(nm)制程節點(diǎn)，全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場(chǎng)。由于20納米研發(fā)所費不貲，加上市場(chǎng)需求仍不明朗，因此聯(lián) 電已計劃在量產(chǎn)28納米后，直接跨過(guò)20納米節點(diǎn)，加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世代，以與臺積電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。

　　聯(lián)電市場(chǎng)行銷(xiāo)處處長(cháng)黃克勤表示，20納米制程帶來(lái)的效益將不 如從40納米演進(jìn)至28納米的水準，且須導入雙重曝光(Double Patterning)方案，勢將增加一筆可觀(guān)花費，已使處理器業(yè)者的導入意愿開(kāi)始動(dòng)搖;再加上主要晶圓代工業(yè)者皆規畫(huà)在2015年推出16或14納米 FinFET制程，在多方權衡之下，聯(lián)電遂決定放緩20納米投資，專(zhuān)心克服14納米FinFET牽涉的材料摻雜、測試驗證和晶圓前后段混搭制程等技術(shù)挑 戰，以因應即將到來(lái)的FinFET市場(chǎng)卡位戰。

　　據悉，28納米高介電系數金屬閘極(HKMG)系一具主導性、生命周期較長(cháng)的制程方 案;相形之下，20納米可能成為非主流制程(Weak Node)，因晶片效能提升與投資成本效益不一定勝過(guò)直接導入14納米FinFET，僅有一線(xiàn)處理器大廠(chǎng)為維持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢才會(huì )計劃采用。

　　事實(shí)上，聯(lián)電在今年首季即公布其未來(lái)的制程演進(jìn)藍圖與主力推動(dòng)技術(shù)，其中獨漏20納米規畫(huà)已現端倪。黃克勤指出，目前聯(lián)電已將火力對準中國大陸應用處理 器開(kāi)發(fā)商，以及智慧電視(Smart TV)和機上盒(STB)晶片商導入28納米制程的龐大需求商機，積極拉攏新客戶(hù)，以刺激旗下28納米制程營(yíng)收成長(cháng)。

　　至于下一階段的發(fā)展策略，聯(lián)電亦已押寶14納米FinFET制程，將于2015年上市，與臺積電、格羅方德和三星等大廠(chǎng)展開(kāi)廝殺。

　　黃克勤強調，英特爾(Intel)率先投入FinFET制程量產(chǎn)，大幅提高處理器效能并降低功耗，近來(lái)在行動(dòng)裝置品牌市場(chǎng)已有不錯成績(jì);一旦其市占持續 攀升，勢將影響高通(Qualcomm)與相關(guān)晶圓代工供應鏈的投資計劃，并加速制程研發(fā)步調，以免技術(shù)差距持續被拉大。因應此一趨勢，聯(lián)電遂傾向將資源 集中在FinFET技術(shù)上，并跳過(guò)20納米制程發(fā)展以免節外生枝。