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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

混合動(dòng)力電動(dòng)車(chē)應用中大功率器件的五大要素

英飛凌節能芯片可大幅降低能耗

  • ????? ?5月31日，在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì )（5月17日至19日）上，英飛凌科技展出的一系列創(chuàng )新產(chǎn)品和解決方案生動(dòng)地詮釋了大會(huì )的宣傳口號“高能效之道（Energy – the efficient way）”。這些產(chǎn)品和解決方案可確保大幅降低電子設備和機器的能耗。 ???? ? 國際能源機構（IEA）預計，今后20年，全球能耗
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通用型IGBT變頻電源的研制過(guò)程

全橋型IGBT脈沖激光電源原理與性能分析

  • 　本文介紹的激光電源為工作于重復脈沖方式的固體激光器提供電能。該激光器采用氙燈作泵浦光源，在惰性氣體燈中，氙氣的總轉換效率最高。激光器用于激光打標，工作頻率每秒60次。電源系統采用IGBT管全橋逆變方式，工作頻率為20kHz，控制電路采用PWM方式。
  • 關(guān)鍵字： 原理  性能  分析  電源  激光  IGBT  脈沖  橋型  

英飛凌600V功率開(kāi)關(guān)器件家族又添新丁

  • 　　在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì )(5月17日至19日)上，英飛凌科技(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)600V逆導型(RC)IGBT家族的兩名新成員閃亮登場(chǎng)。這兩款新的功率開(kāi)關(guān)器件可在目標應用中實(shí)現最高達96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速I(mǎi)GBT，可以設計更高能效的電機驅動(dòng)家用電器，它們使用更小的組件，因而總成本低于同類(lèi)系統?！?/li>
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英飛凌推出最新EconoPACK? + D家族

  • 　　在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì )(5月17日至19日)上，英飛凌科技展出了最新EconoPACK? + D家族——額定電流最高為450A的最新一代1200V和1700V系列功率半導體模塊。以業(yè)界享有盛譽(yù)的EconoPACK?+平臺為藍本，英飛凌開(kāi)發(fā)了新的EconoPACK ? + D系列，以滿(mǎn)足諸如可再生能源系統、商用電動(dòng)車(chē)輛、電梯、工業(yè)驅動(dòng)裝置或電源等應用不斷提高的要求。得益于諸如超聲波焊接功率端子、優(yōu)化基板結構或可靠
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IGBT驅動(dòng)芯片IXDN404應用及改進(jìn)

  • 介紹了IXYS公司大功率IGBT驅動(dòng)芯片IXDN404的特點(diǎn)及性能，并在此基礎上，根據IGBT驅動(dòng)的實(shí)際要求，設計出了一種具有過(guò)流保護及慢關(guān)斷功能的簡(jiǎn)單有效的驅動(dòng)電路，給出了實(shí)際電路圖和驅動(dòng)波形。關(guān)鍵詞：IGBT；驅動(dòng)與保護
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中國未來(lái)幾年IGBT市場(chǎng)火爆

  • 　　據IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費領(lǐng)域的需求增長(cháng)，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)未來(lái)幾年將快速增長(cháng)，2014年銷(xiāo)售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長(cháng)一倍以上。 　　
  • 關(guān)鍵字： IGBT  MOSFET  

高頻條件下IGBT驅動(dòng)電路的設計與仿真

  • 摘要：文中對大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)的開(kāi)關(guān)特性、驅動(dòng)要求進(jìn)行了分析和討論，介紹了一種高頻條件下實(shí)用的IGBT驅動(dòng)電路，并通過(guò)理論分析和仿真波形說(shuō)明了該驅動(dòng)電路的有效
  • 關(guān)鍵字： 設計  仿真  電路  驅動(dòng)  條件  IGBT  高頻  

中國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨分析

  • 　　2008年受經(jīng)濟危機的影響，全球的經(jīng)濟形勢受到重創(chuàng )。歐洲作為光伏最大的市場(chǎng)，受到的影響最為顯著(zhù)。不少歐洲國家縮減了光伏電站的開(kāi)支，甚至取消了光伏產(chǎn)業(yè)的投資計劃。中國作為世界上最大的太陽(yáng)能電池產(chǎn)地，對出口有較強的依賴(lài)性，以消化產(chǎn)能。 　　
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英飛凌進(jìn)一步擴大馬來(lái)西亞產(chǎn)能

  • 　　英飛凌科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴大其在馬來(lái)西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對其生產(chǎn)設施進(jìn)行升級。此次投資將主要用于提高面向高能效應用的功率半導體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新增350個(gè)就業(yè)機會(huì )。目前，英飛凌在馬六甲擁有近7,000名員工。 　　
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基于IGBT的高可靠性驅動(dòng)電路設計

  • 按照915MHz RFID電子標簽的要求，設計電子標簽整體電路如下。它主要由射頻接口部分和控制部分組成 ，射頻接口部分是研究的重點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字： 電路設計  驅動(dòng)  可靠性  IGBT  基于  

華潤微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺開(kāi)發(fā)成功

  • 　　華潤微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤微電子”）宣布其附屬公司華潤上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤上華”）已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺，各項參數均達到設計要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。 　　
  • 關(guān)鍵字： 華潤微電子  IGBT  

華潤微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺開(kāi)發(fā)成功

  • 　　華潤微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤微電子”）宣布其附屬公司華潤上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤上華”）已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺，各項參數均達到設計要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。 　　華潤上華開(kāi)發(fā)的該工藝產(chǎn)品關(guān)鍵參數如最高耐壓V(BR)CES、導通飽和電壓VCE(on)、關(guān)斷損耗Eoff ，以及在實(shí)際應用中的溫升效果都與國際大廠(chǎng)相當，該工藝產(chǎn)品主要應用于電磁爐。根據國內權威的
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基于數字信號處理器的IGBT驅動(dòng)電路可靠性分析與設計

  • 摘要：隨著(zhù)半導體技術(shù)與大規模集成電路技術(shù)的發(fā)展，數字信號處理器在交流調速及運動(dòng)控制領(lǐng)域應用越來(lái)越廣。數字信號處理器與功率器件接口電路設計的合理完善直接關(guān)系到系統長(cháng)期工作的可靠性。同時(shí)，低壓供電數字信號
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絕緣柵雙極管(igbt)介紹

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