絕緣柵雙極管(igbt) 文章進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區

基于雙IGBT的斬波式串級調速系統的研究

從普通串級調速原理入手，簡(jiǎn)要分析影響串級調速系統功率因數的主要因素。對三相四線(xiàn)雙晶閘管串級調速、新型GTO串級調速等高功率方案分析與比較的基礎上，提出了一種新型三相四線(xiàn)制雙IGBT串級調速控制方案。
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英飛凌再度稱(chēng)雄功率電子市場(chǎng)

　　英飛凌科技股份公司在功率電子半導體分立器件和模塊領(lǐng)域連續第六年穩居全球第一的寶座。據IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導體分立器件和模塊全球市場(chǎng)》報告稱(chēng)，2008年，此類(lèi)器件的全球市場(chǎng)增長(cháng)了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長(cháng)率高達7.8%?，F在，英飛凌在該市場(chǎng)上占據了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區以及美洲，英飛凌也繼續獨占鰲頭，分別占據了22.8%和11.2%的市場(chǎng)份額。　　隨著(zhù)汽車(chē)、消費和工
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IGBT在客車(chē)DC600V系統逆變器中的應用與保護

關(guān)鍵字：絕緣柵雙極管(IGBT) 鐵路客車(chē) DC 600 V 供電系統應用保護

本土資本與高新產(chǎn)業(yè)完美結合 “鳳凰模式”借讀

　　經(jīng)濟領(lǐng)域有兩大活躍因子：技術(shù)與資本。走進(jìn)鳳凰半導體科技有限公司，你可以感受到這兩大活躍因子結合后迸發(fā)出的強勁效應。這家注冊于2008年7月的“530”企業(yè)，一期工廠(chǎng)已開(kāi)始安裝設備。今年9月正式投產(chǎn)后,其生產(chǎn)的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片將填補國內空白，告別同類(lèi)產(chǎn)品依賴(lài)進(jìn)口的局面。　　剛滿(mǎn)“周歲”的鳳凰半導體就將進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段,其速度令人驚奇，但在總經(jīng)理屈志軍看來(lái),這一局面的形成并不意外。原因有二：一是所率留美博士團隊擁有國際一流技術(shù);二是擁有
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IGBT在客車(chē)DC 600 V系統逆變器中的應用與保護

IGBT綜述
1．1 IGBT的結構特點(diǎn)
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場(chǎng)效應管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復合電子器
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基于EXB841的IGBT驅動(dòng)和保護電路研究

引言多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開(kāi)關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
關(guān)鍵字：電路研究保護驅動(dòng) EXB841 IGBT 基于電源

新IGBT技術(shù)提高應用性能

在日益增長(cháng)的變頻器市場(chǎng)，許多廠(chǎng)商提供性能和尺寸各異的變換器類(lèi)型。這正是以低損耗和高開(kāi)關(guān)頻率而著(zhù)稱(chēng)的新IGBT技術(shù)施展的舞臺。在62毫米（當前模塊的標準尺寸）模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶(hù)可以因不必改變其機械
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大功率弧焊逆變電源的IGBT保護技術(shù)

摘要：本文通過(guò)分析IGBT的結構及其安全工作區，解釋了在實(shí)際應用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結合單片機的控制程序對弧焊逆變電源的IGBT采取相應措施進(jìn)行保護，從而確保了IGBT安全可靠的工作。敘詞：IGB
關(guān)鍵字：技術(shù) 保護 IGBT 逆變電源大功率電源

IGBT驅動(dòng)器輸出性能的計算

摘要：絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應用廣泛的功率半導體器件，驅動(dòng)器的合理設計對于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹了一些計算用于開(kāi)關(guān)IGBT的驅動(dòng)器輸出性能的方法。敘詞：IGBT，驅動(dòng)
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英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊

　　新聞事件：　　韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 　　事件影響：　　將使英飛凌和LSI得以加速進(jìn)入高效能家電、低功率消費與標準工業(yè)應用等前景好的市場(chǎng) 　　LS預計于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開(kāi)始量產(chǎn)CIPOS模塊　　韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷(xiāo)。　　合
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT CIPOS 射極控制二極管技術(shù) SOI

功率半導體：節能應用顯身手中國市場(chǎng)現商機

　　6月4日，為期3天的“PCIM China 2009”展會(huì )在上海光大會(huì )展中心落下帷幕。在展會(huì )期間，國內外知名功率半導體廠(chǎng)商向與會(huì )觀(guān)眾展示了眾多新產(chǎn)品和高能效解決方案;同時(shí)，參展企業(yè)也紛紛表示對中國功率半導體的市場(chǎng)前景充滿(mǎn)信心。　　新產(chǎn)品亮相PCIM展　　一年一度的PCIM展是功率半導體領(lǐng)域的盛會(huì )，同時(shí)也是業(yè)內企業(yè)展示新技術(shù)、新產(chǎn)品的舞臺。在今年的展會(huì )上，英飛凌推出IGBT(絕緣柵雙極晶體管)MIPAQ base模塊，該模塊是變頻器的核心部件。在傳統的變頻器中，通常要在I
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混合動(dòng)力是新能源汽車(chē)切入點(diǎn) IGBT成驅動(dòng)核心

　　目前，混合動(dòng)力汽車(chē)是大規模應用新能源汽車(chē)的切入點(diǎn)。功率半導體器件與模塊在混合動(dòng)力汽車(chē)中起著(zhù)不可替代的作用。除降低成本之外，混合動(dòng)力汽車(chē)還需要在電池、電動(dòng)、傳動(dòng)及電氣系統等方面得到改善。　　節能和環(huán)保的雙重需求使得新能源汽車(chē)在全球范圍內日益引起業(yè)界的重視，在最近的國際汽車(chē)展上，多家汽車(chē)企業(yè)推出了電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(chē)，這預示著(zhù)新能源汽車(chē)即將進(jìn)入真正的商用階段。如今，中國對于新能源汽車(chē)的推廣也進(jìn)入了一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期，今年2月，財政部、科技部發(fā)出《關(guān)于開(kāi)展節能與新能源汽車(chē)示范推廣試點(diǎn)工作的通知》，推廣節能與
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英飛凌推出Smart系列IGBT模塊

　　在2009年紐倫堡PCIM展會(huì )上，英飛凌科技股份公司宣布推出全新的Smart系列IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊。Smart 模塊封裝采用自動(dòng)壓接裝配工藝，僅需一個(gè)螺釘通過(guò)單步安裝流程可將模塊安裝到印刷電路板和散熱器上。通過(guò)提供高可靠性壓接技術(shù)，英飛凌滿(mǎn)足了功率高達55 kW逆變器的設計要求。Smart模塊能夠優(yōu)化功率變換器的解決方案，應用于通用變頻器、不間斷電源(UPS)、感應加熱和焊接設備、太陽(yáng)能逆變器及空調系統中。　　安全、簡(jiǎn)單的自動(dòng)壓接裝配　　壓接工藝結合自動(dòng)裝配技術(shù)的革命性創(chuàng )新簡(jiǎn)化了
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使用柵極電阻控制IGBT的開(kāi)關(guān)

1 前言用于控制、調節和開(kāi)關(guān)目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓（VG(
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飛兆半導體的柵極驅動(dòng)器提高汽車(chē)的燃油效率

　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員提供一系列能夠提升汽車(chē)應用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅動(dòng)器FAN7080x系列，讓工程師開(kāi)發(fā)出在所有操作條件下更準確、精密的燃油噴射控制系統，從而提高燃油效率。這些柵極驅動(dòng)器在高邊和橋驅動(dòng)器應用中驅動(dòng) MOSFET 和 IGBT，如直接燃油噴射系統和電機控制。與市場(chǎng)上同類(lèi)器件相比，它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對比240µA)，容許設計人員優(yōu)化系統和擴大工作范圍。這些產(chǎn)品
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