EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
絕緣柵雙極管(igbt)
絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區
三菱電機第五代IGBT模塊將亮相于電子展
- 三菱電機將攜同多種系列的第五代IGBT模塊，在3月18至20日于上海新國際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展（展位5102）上，為不同領(lǐng)域的客戶(hù)提供與其相應的應用解決方案。 ? 三菱電機采用最新開(kāi)發(fā)的載流子存儲式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，實(shí)現了第五代IGBT模塊的產(chǎn)品化，其具有低損耗、低飽和壓降、高功率循環(huán)和壽命長(cháng)等優(yōu)點(diǎn)。分別針對不同應用開(kāi)發(fā)了A、 NF、 NFM、NFH和NX系
- 關(guān)鍵字： 三菱 IGBT 電子展 200802
開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)
- 上世紀60年代，開(kāi)關(guān)電源的問(wèn)世，使其逐步取代了線(xiàn)性穩壓電源和SCR相控電源。40多年來(lái)，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導體器件、高頻化和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)、開(kāi)關(guān)電源系統的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段。
- 關(guān)鍵字： 開(kāi)關(guān)電源，IGBT 碳化硅 AC/DC
用于有源電力濾波器的IGBT驅動(dòng)及保護研究
- l 前言 絕緣柵場(chǎng)效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅動(dòng)和高開(kāi)關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn)，在電機控制、開(kāi)關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著(zhù)廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專(zhuān)有EXB84l型驅動(dòng)器的設計進(jìn)行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅動(dòng)電路。 有源電力濾波器設計中應用4個(gè)IGBT作為開(kāi)關(guān)，并用4個(gè)EXB84l組成驅動(dòng)電路，其原理如圖l所示。在實(shí)驗中，根據補償電流與指令電流的關(guān)系，用數字信號處理器(DSP
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 場(chǎng)效應晶體管 電源
IGBT的保護
- 將IGBT用于變換器時(shí)，應采取保護措施以防損壞器件，常用的保護措施有： ?。?） 通過(guò)檢出的過(guò)電流信號切斷門(mén)極控制信號，實(shí)現過(guò)電流保護； ?。?） 利用緩沖電路抑制過(guò)電壓并限制du/dt； ?。?） 利用溫度傳感器檢測IGBT的殼溫，當超過(guò)允許溫度時(shí)主電路跳閘，實(shí)現過(guò)熱保護。 下面著(zhù)重討論因短路而產(chǎn)生的過(guò)電流及其保護措施。 前已述及，IGBT由于寄生晶閘管的影響，當流過(guò)IGBT的電流過(guò)大時(shí)，會(huì )產(chǎn)生不可控的擎住效應。實(shí)際應用中應使IGBT的漏極電流不超過(guò)額定電流，以避免出現擎住現
- 關(guān)鍵字： IGBT 半導體材料
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
- 一、IGBT的工作原理 電力MOSFET器件是單極型（N溝道MOSFET中僅電子導電、P溝道MOSFET中僅空穴導電）、電壓控制型開(kāi)關(guān)器件；因此其通、斷驅動(dòng)控制功率很小，開(kāi)關(guān)速度快；但通態(tài)降壓大，難于制成高壓大電流開(kāi)關(guān)器件。電力三極晶體管是雙極型（其中，電子、空穴兩種多數載流子都參與導電）、電流控制型開(kāi)關(guān)器件；因此其通-斷控制驅動(dòng)功率大，開(kāi)關(guān)速度不夠快；但通態(tài)壓降低，可制成較高電壓和較大電流的開(kāi)關(guān)器件。為了兼有這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，棄其缺點(diǎn)，20世紀80年代中期出現了將它們的通、斷機制相結合的新一代半導
- 關(guān)鍵字： IGBT 半導體材料
2SD315A在驅動(dòng)大功率IGBT中的應用
- 引言 IGBT常用的驅動(dòng)模塊有TLP250，以及EXB841/840系列的驅動(dòng)模塊。但在燃料電池城市客車(chē)DC/DC變換器的研制過(guò)程中發(fā)現，由于車(chē)載DC/DC變換器常常工作在大功率或超大功率的狀態(tài)中，而處在這種狀態(tài)下的IGBT瞬時(shí)驅動(dòng)電流大，要求可靠性要高，使得傳統的驅動(dòng)電路已經(jīng)不能滿(mǎn)足其使用要求，經(jīng)過(guò)研究分析，選用瑞士CONCEPT公司生產(chǎn)的用于驅動(dòng)和保護IGBT或功率MOSFET的專(zhuān)用集成驅動(dòng)模塊2SD315A作為大功率IGBT(800A/1200V)的驅動(dòng)器件，該驅動(dòng)器集成了智能驅動(dòng)、自檢、
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) IGBT 2SD315A 模擬IC 電源
IGBT集成驅動(dòng)模塊的研究
- 引言 隨著(zhù)電力電子技術(shù)朝著(zhù)大功率、高頻化、模塊化發(fā)展，絕緣柵雙極品體管(IGBT)已廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、電機控制以及要求快速、低損耗的領(lǐng)域中。IGBT是復合全控型電壓驅動(dòng)式電力電子器件，兼有MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)：輸入阻抗高，驅動(dòng)功率小，通態(tài)壓降小，工作頻率高和動(dòng)態(tài)響應快。目前，市場(chǎng)上500~3000V，800～l800A的IGBT，因其耐高壓、功率大的特性，已成為大功率開(kāi)關(guān)電源等電力電子裝置的首選功率器件。 1 驅動(dòng)保護電路的原則 由于是電壓控制型器件，因此只要控制IC
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 IGBT 集成驅動(dòng) 嵌入式
以創(chuàng )新的IGBT技術(shù)、合理的器件選型和有效的系統手段優(yōu)化變頻器設計
- 全球對于節能和綠色能源的需求使得馬達變頻驅動(dòng)在工業(yè)應用領(lǐng)域不斷增長(cháng)，甚至還擴展到民用產(chǎn)品和汽車(chē)領(lǐng)域。因此在過(guò)去幾年，市場(chǎng)對變頻器的需求量和相應的產(chǎn)量一直在持續增長(cháng)。隨著(zhù)產(chǎn)量的不斷擴大和技術(shù)趨向成熟，變頻器市場(chǎng)競爭也日益激烈，對產(chǎn)品性?xún)r(jià)比的要求不斷提高。 標準的三相交流驅動(dòng)變頻器使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 來(lái)實(shí)現主電路中的6個(gè)開(kāi)關(guān)，現在除少量小功率、低成本變頻器采用分立IGBT器件外，一般工業(yè)變頻器均采用模塊化IGBT(包括IPM)。模塊化概念為用戶(hù)提供了一個(gè)采用絕緣封裝且經(jīng)過(guò)檢驗
- 關(guān)鍵字： 選型 元器件 變頻器 IGBT 元件 制造
飛兆推電流檢測用點(diǎn)火IGBT器件FGB3040CS
- 飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)日前推出一顆電流檢測用點(diǎn)火IGBT器件FGB3040CS，可以在應用中省去用于檢測大電流的檢測電阻，從而將功耗降低30%并減少由此帶來(lái)的熱量。FGB3040CS具有電流檢測功能，能以小型的低電流檢測電阻替代高功率的檢測電阻，成功簡(jiǎn)化系統元件的需求及降低總體成本。FGB3040CS采用EcoSPARK技術(shù)設計，提供了高能量密度的點(diǎn)火IGBT。這項技術(shù)可讓芯片尺寸縮減到能夠裝入D-Pak封裝中而不會(huì )影響性能。 &n
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 飛兆 電流檢測 IGBT FGB3040CS 基礎儀器
Microsemi發(fā)布標準IGBT三相橋式電源模塊
- Microsemi Corporation日前新推出一系列采用SP3緊湊封裝的標準IGBT三相橋式電源模塊。該系列電源模塊設計用于電機控制，采用快速NPTIGBT的3相IGBT橋用于20～50KHz高頻應用，采用場(chǎng)溝漕截止IGBT用于5～20KHz的低頻應用。所有新款整流器都集成有用于監控模塊內部溫度的傳感器以實(shí)現過(guò)熱保護。 快速NPT類(lèi)IGBT的電流等級分別為：30A～50A/600V、15～25A/1200V；場(chǎng)溝漕截止型IGBT的電流等級分別為：20A～75A/600V，25A
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) Microsemi IGBT 電源模塊 電源
通用光纖隔離驅動(dòng)在大功率IGBT中的應用
- 引言自MOSFET及IGBT問(wèn)世以來(lái)，電壓控制型電力電子器件，特別是IGBT正經(jīng)歷一個(gè)飛速發(fā)展的過(guò)程。IGBT單模塊器件的電壓越做越高，電流越做越大。同時(shí)，與之配套的驅動(dòng)器件也得到了迅速發(fā)展。隨著(zhù)器件應用領(lǐng)域越來(lái)越廣，電源設備變換功率越來(lái)越大，電磁T擾也相應增強。為此必須提高控制板的抗干擾能力，提高驅動(dòng)耐壓等級。于是，光纖的使用也就成為了必然。 1 ICBT驅動(dòng)的幾種方式不同功率等級的IGBT，對驅動(dòng)的要求不盡相同，表1給出了目前常用的幾種驅動(dòng)方式的比較。 由表l可知，在大功率
- 關(guān)鍵字： IGBT 大功率 光纖 通訊 網(wǎng)絡(luò ) 無(wú)線(xiàn)
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條絕緣柵雙極管(igbt)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對絕緣柵雙極管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對絕緣柵雙極管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
絕緣柵雙極管(igbt)電路
絕緣柵雙極管(igbt)相關(guān)帖子
絕緣柵雙極管(igbt)資料下載
絕緣柵雙極管(igbt)專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473