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絕緣柵雙極管(igbt)
絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區
RS添加超過(guò)900種飛兆半導體裝置
- RS Components于今日宣布，增加飛兆半導體900種新裝置，飛兆是全球領(lǐng)先節能半導體技術(shù)供應商。RS目前擁有最先進(jìn)、最全面的飛兆電源產(chǎn)品系列，均可從庫存直接發(fā)貨至廣大設計工程師。 新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎的直流直流控制器，融合了領(lǐng)先行業(yè)的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規格等特點(diǎn)。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負荷開(kāi)關(guān)和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產(chǎn)品。 飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
- 關(guān)鍵字： RS 電源 IGBT MOSFET Intellimax
英飛凌推出適用于節能家電的創(chuàng )新功率轉換器件
- 英飛凌科技股份公司近日推出適用于節能家用電器電機驅動(dòng)裝置的功率轉換器件系列。全新的600V RC IGBT驅動(dòng)系列(RC指逆向導通)，可使變頻電機設計更加經(jīng)濟高效，從而確保采用多個(gè)電機的家電實(shí)現高達30%的節能。 洗衣機、冰箱、空調和洗碗機等家電使用的變頻電機驅動(dòng)裝置，采用電子控制裝置和一個(gè)開(kāi)關(guān)電源，以便在不同使用條件下，達到最佳能效。RC IGBT(絕緣柵雙極晶體管)驅動(dòng)系列將英飛凌行業(yè)領(lǐng)先的TRENCHSTOP™ IGBT技術(shù)和續流二極管集成在單晶粒上，確保器件相對于競爭性解決方
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 功率轉換器 IGBT TRENCHSTOP
英飛凌和飛兆半導體達成侵權訴訟和解協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專(zhuān)利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項專(zhuān)利。 通過(guò)廣泛的半導體技術(shù)專(zhuān)利交叉許可，雙方就上述訴訟達成和解。根據和解協(xié)議，飛兆半導體將向英飛凌支付許可費，但協(xié)議的具體條款和條件保密。 英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達成和解，并將申請撤訴。 作為半導體行業(yè)的全球領(lǐng)袖，英飛凌目前正
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET IGBT
IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
- 新型電力半導體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無(wú)論技術(shù)、設備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應當認識到，電力半導體器件和集成電路在國民經(jīng)濟發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。 眾所周知，電力電子技術(shù)可以提高用電效率，改善用電質(zhì)量，是節省能源的王牌技術(shù)。當今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導體器件是高頻電力電子線(xiàn)路和控制系統的核心開(kāi)關(guān)元器件，它的性能參數將直接決定著(zhù)電力電子系統的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導體器件的代表性器件，
- 關(guān)鍵字： 器件 IGBT 封裝 測試 MOSFET
寧波比亞迪半導體虧損調查：生產(chǎn)線(xiàn)可稱(chēng)老古董
- 這是一個(gè)結果尚不明朗的賭注，巴菲特和王傳福站在一邊，巴菲特已經(jīng)賭贏(yíng)了，但是王傳福暫時(shí)還沒(méi)有。 初冬的傍晚天黑得早，寧波北侖港保稅港區的比亞迪(73.4,-0.70,-0.95%,經(jīng)濟通實(shí)時(shí)行情)寧波半導體公司(原寧波中緯)依舊冒著(zhù)騰騰的熱氣，公司墻上貼滿(mǎn)了新員工的名字，由于人數眾多，許多人還來(lái)不及辦理入廠(chǎng)證件。大批身穿比亞迪廠(chǎng)服的員工走出工廠(chǎng)大門(mén)，投入茫茫夜色，這里有許多來(lái)自深圳的年輕工程師，他們正試圖適應在寧波度過(guò)的第一個(gè)寒冷冬天。 這些員工身上，承載著(zhù)王傳福的野心和夢(mèng)想。“
- 關(guān)鍵字： 比亞迪 IGBT
IR 推出采用焊前金屬的汽車(chē)級絕緣柵雙極晶體管
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動(dòng)汽車(chē) (EV) 、混合電動(dòng)汽車(chē) (HEV) 和中功率驅動(dòng)器中的高電流、高電壓汽車(chē)逆變器模塊。 AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代場(chǎng)截止溝槽技術(shù)，大幅度降低了傳導和開(kāi)關(guān)損耗。此外，這款新器件的焊前金屬可實(shí)現雙面冷卻，提高了散熱性能，
- 關(guān)鍵字： IR IGBT 逆變器
晶閘管及IGBT在靜止變頻技術(shù)中的應用
- 關(guān)鍵字： 靜止變頻技術(shù) 功率器件 晶閘管 IGBT
中國南車(chē)建成大功率半導體產(chǎn)業(yè)基地
- 9月8日，隨著(zhù)第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國內最大的大功率半導體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國南車(chē)正式投產(chǎn)。 為滿(mǎn)足國民經(jīng)濟發(fā)展的急切需求，打破國外公司的市場(chǎng)壟斷，推動(dòng)大功率半導體產(chǎn)業(yè)上水平、上規模，中國南車(chē)旗下的株洲南車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司(南車(chē)時(shí)代電氣)依托公司良好的技術(shù)基礎，總投資近3.5億元，于2006年年底啟動(dòng)大功率半導體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地的建設，歷經(jīng)22個(gè)月后實(shí)現正式投產(chǎn)。 位于湖南株洲的生產(chǎn)基地總面積超2萬(wàn)平方米，部分凈化級別達到了100級，由于產(chǎn)品對生產(chǎn)環(huán)境的要求極其苛刻
- 關(guān)鍵字： 半導體器件 IGBT 二極管
中國最大大功率半導體產(chǎn)業(yè)基地在湖南株洲投產(chǎn)
- 中國最大的大尺寸功率半導體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產(chǎn)。長(cháng)期以來(lái)，高端半導體器件技術(shù)和市場(chǎng)一直被國外壟斷，該基地的投產(chǎn)運行將加速推動(dòng)國產(chǎn)化大功率半導體器件產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。 大尺寸功率半導體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導體器件)是變流器的關(guān)鍵元件，被譽(yù)為電力電子產(chǎn)品的“CPU”，廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風(fēng)力發(fā)電)、化工、冶煉等領(lǐng)域。長(cháng)期以來(lái)，國內高端半導體器件技術(shù)和產(chǎn)品主要依靠進(jìn)口，價(jià)格昂貴，嚴重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。
- 關(guān)鍵字： 半導體 晶閘管 IGBT
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
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