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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

IGBT焊接電源方案及炸管對策

  • 實(shí)用IGBT焊接電源方案及炸管對策!逆變電焊機=逆變焊接電源+焊接裝置.只要做好逆變焊接電源,那么系列產(chǎn)品就迎刃而解.影響逆變焊接電源可靠性的主要問(wèn)題是“炸管”!  為了研究“炸管“!  首先
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IGBT驅動(dòng)器輸出計算

  • 中心議題:?柵極電荷體現IGBT的特性?如何測量和確定柵極電荷?驅動(dòng)器輸出功率和柵...
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科達半導體IGBT封裝測試項目投產(chǎn)

  •   科達半導體封裝測試項目投產(chǎn)儀式在東營(yíng)經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區舉行。   科達半導體封裝測試項目于2010年6月開(kāi)工建設,從投資建設到正式投產(chǎn),僅用了6個(gè)月的時(shí)間,創(chuàng )造了國內封裝測試項目建設周期最短、投產(chǎn)速度最快的成功范例。項目擁有國際最新型設備150余臺套,主要從事T0247、T03P、T0220等功率半導體器件的封裝測試,年可生產(chǎn)各類(lèi)器件3.1億只,年產(chǎn)值3億元以上。封裝測試項目的成功投產(chǎn),將進(jìn)一步提高科達半導體公司在成本、交貨期、質(zhì)量等方面的競爭能力。
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高壓IGBT變頻器及應用

  • 1前言電力電子技術(shù)、微電子技術(shù)與控制理論的結合,有力地促進(jìn)了交流變頻調速技術(shù)的發(fā)展。近年來(lái),具有驅動(dòng)電路和保護功能的智能IGBT的應用使得變頻器結構更加緊湊且可靠。與其它電力電子器件相比,IGBT具有高可靠性、
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感應加熱用IGBT超音頻電源

  • 1引言感應加熱是將工件直接加熱,它具有效率高,作業(yè)條件好,溫度容易控制,金屬燒損小,無(wú)需預熱等優(yōu)點(diǎn)。傳統的感應加熱設備應用的電力電子器件是電子管和快速晶閘管。電子管電壓高,穩定性差,幅射強,效率低,已經(jīng)
  • 關(guān)鍵字: 電源  音頻  IGBT  加熱  感應  

英飛凌中國全新子公司開(kāi)業(yè)

  •   英飛凌科技股份有限公司今日宣布其位于中國北京經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區的全新子公司——英飛凌集成電路(北京)有限公司正式開(kāi)業(yè)。新公司注冊資本1,500萬(wàn)美元,將進(jìn)一步加強公司對高能效、移動(dòng)性和安全性的關(guān)注,體現了英飛凌對中國市場(chǎng)的長(cháng)期承諾。   新公司不僅具備銷(xiāo)售、市場(chǎng)、應用研發(fā)及輔助職能,還設有一座1,500平方米的制造工廠(chǎng),專(zhuān)門(mén)從事IGBT組件的生產(chǎn)。未來(lái)三年,新公司的員工數目預計將超過(guò)100人。   英飛凌科技股份有限公司首席執行官Peter Bauer先生表示:“亞
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HEV系統的主要部件:功率元件解析

  • 功率元件是最重要的部件就功能和成本而言,功率元件在逆變器中是最為重要的部件。要想降低成本,如何使用...
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采用新型IGBT優(yōu)化軟開(kāi)關(guān)應用中的損耗

  • IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現在兩個(gè)方面:通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度,以及利用“場(chǎng)終止”概念(也有稱(chēng)為“軟穿通”或“輕穿通”)降低晶圓n襯底的厚度。此外,帶有單片二極
  • 關(guān)鍵字: 應用  損耗  開(kāi)關(guān)  優(yōu)化  新型  IGBT  采用  

IGBT在中頻感應加熱電源中的應用

  • 1 引言  根據目前國內的供電模式,空心抽油桿感應加熱系統采用的是工頻感應加熱方式。為了三相用電平衡,工頻加熱電源將工頻三相交流電中的一相分別經(jīng)電抗器、電容器列相移相疊加到其它二相,再經(jīng)變壓器直接變成適
  • 關(guān)鍵字: 電源  應用  加熱  感應  中頻  IGBT  

電子元器件需求強勁

  •   由于全球金融危機和半導體行業(yè)的周期性波動(dòng),全球半導體產(chǎn)品出貨量從 08年4季度到09年1季度經(jīng)歷了大幅下滑,主要經(jīng)濟體的半導體產(chǎn)品出貨量都降到5年以來(lái)的最低水平。隨著(zhù)經(jīng)濟復蘇,半導體行業(yè)實(shí)現了強勁復蘇并步入景氣上升階段,到09年4季度半導體產(chǎn)品的出貨量基本恢復到08年的最高水平。   在2010年,整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了非常高的景氣階段,全球各主要經(jīng)濟體的半導體產(chǎn)品出貨量都屢創(chuàng )新高,進(jìn)入3季度以后,需求依然非常強勁,出貨量仍在高點(diǎn)。  
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IGBT的一種驅動(dòng)和過(guò)流保護電路的設計

  • 本文主要研究了IGBT的驅動(dòng)和短路保護問(wèn)題,就其工作原理進(jìn)行分析,設計出具有過(guò)流保護功能的驅動(dòng)電路,并進(jìn)行了仿真研究。
  • 關(guān)鍵字: 設計  電路  保護  驅動(dòng)  IGBT  

中國自主研發(fā)的IGBT產(chǎn)品下線(xiàn)

  •   上周,中國首批具有自主知識產(chǎn)權的大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)產(chǎn)品,在山西北車(chē)永濟新時(shí)速電機電器公司下線(xiàn),成功打破了國外對該項技術(shù)的長(cháng)期壟斷。   中國北車(chē)永濟新時(shí)速電機電器有限責任公司董事長(cháng)徐印平說(shuō),首批投入封裝生產(chǎn)線(xiàn)并成功封裝、順利通過(guò)動(dòng)靜態(tài)試驗的“6500V/600A”IGBT產(chǎn)品是目前世界上電壓等級最高的產(chǎn)品,各項技術(shù)參數與國際標準相同。   
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絕緣柵雙極管(igbt)介紹

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