英飛凌節能芯片可大幅降低能耗

       5月31日，在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì )（5月17日至19日）上，英飛凌科技展出的一系列創(chuàng )新產(chǎn)品和解決方案生動(dòng)地詮釋了大會(huì )的宣傳口號“高能效之道（Energy – the efficient way）”。這些產(chǎn)品和解決方案可確保大幅降低電子設備和機器的能耗。

       國際能源機構（IEA）預計，今后20年，全球能耗將增加35%以上。以電力形式消耗的能源，占全球總能耗的三分之一左右。電力一般要經(jīng)過(guò)遠距離輸送，這個(gè)過(guò)程往往會(huì )損耗大量電力。巧妙地利用功率半導體，能夠最大限度地降低發(fā)電、輸配電和電源轉換等環(huán)節的電力損耗，從而消除這種能源損失。利用這種節能芯片還可以大大提高電子設備和機器的能效，以確保最大限度地節省能源。隨著(zhù)全球人口數量不斷增長(cháng)，節能的重要性日益凸顯。從某種意義上講，提高能效也是最大的能源來(lái)源之一。作為全球領(lǐng)先的功率半導體供應商，英飛凌通過(guò)提供IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、CoolMOS™、OptiMOS™和碳化硅等產(chǎn)品，為降低全球能耗作出了巨大貢獻。諸如電視機、計算機、電源裝置、游戲機、服務(wù)器、電機和機器等各類(lèi)電子和電氣設備紛紛使用了英飛凌的節能芯片。

      英飛凌科技副總裁兼電源管理和分立式器件業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Andreas Urschitz表示：“利用英飛凌節能半導體解決方案，最多可將全球總能耗降低25%。我們的產(chǎn)品的節能效果甚至超過(guò)了國際能效標準，因而能為我們的客戶(hù)帶來(lái)明顯的競爭優(yōu)勢。”

 
       英飛凌在PCIM Europe 2011展會(huì )上展出的電源管理產(chǎn)品和解決方案一覽：

      最新RC-D快速IGBT以很高的開(kāi)關(guān)頻率實(shí)現了最高達96%的能效，同時(shí)縮小變頻器的尺寸并降低其成本

       英飛凌的逆導型（RC）600V IGBT家族又添兩名新成員。這兩款新的功率開(kāi)關(guān)器件可在目標應用中實(shí)現最高達96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速I(mǎi)GBT，可以設計出更高能效的電機驅動(dòng)家用電器，它們使用尺寸更小的元件，因此成本比同類(lèi)系統更低。

       英飛凌最新推出市場(chǎng)領(lǐng)先的集成快速體二極管的650V CoolMOS™ CFD2產(chǎn)品，可將諸如服務(wù)器、太陽(yáng)能設備、電信機房開(kāi)關(guān)電源和照明裝置等設備的能效提升至新的高度

       英飛凌的最新一代高壓CoolMOS™ MOSFET實(shí)現了又一項創(chuàng )新，設立了能源效率的新標準。英飛凌展出了全新650V CoolMOS™ CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個(gè)新的CFD2器件延續了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，不僅可以提高能效，而且具備更軟的換流功能，從而降低了電磁干擾（EMI），提升產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢。