華潤微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺開(kāi)發(fā)成功

　　華潤微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤微電子”）宣布其附屬公司華潤上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤上華”）已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺，各項參數均達到設計要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。

　　華潤上華開(kāi)發(fā)的該工藝產(chǎn)品關(guān)鍵參數如最高耐壓V(BR)CES、導通飽和電壓VCE(on)、關(guān)斷損耗Eoff ，以及在實(shí)際應用中的溫升效果都與國際大廠(chǎng)相當，該工藝產(chǎn)品主要應用于電磁爐。根據國內權威的市場(chǎng)調查機構資料，2010年中國電磁爐用IGBT的市場(chǎng)規模達4.6億元人民幣，預期2011年中國電磁爐用IGBT市場(chǎng)規模為5.3億元人民幣，較2010年成長(cháng)15.2%，到2012年與2013年分別達6.1億元人民幣與7.0億元人民幣，增長(cháng)率分別為15.1%與14.8%。

　　華潤上華作為國內首家以晶圓代工模式立足中國半導體市場(chǎng)的產(chǎn)業(yè)先鋒，自2005年DMOS工藝量產(chǎn)以來(lái)，成功開(kāi)發(fā)量產(chǎn)了6英寸高壓平面柵400-650V 系列DMOS、6英寸中壓平面柵50-200V系列DMOS、8英寸低壓溝槽柵20-40V系列DMOS、8英寸中壓溝槽柵50-80V系列DMOS等豐富的功率器件工藝平臺。此次1200V Trench NPT IGBT工藝平臺的開(kāi)發(fā)成功，使得華潤微電子和華潤上華在功率器件代工的工藝平臺更為全面，將進(jìn)一步促進(jìn)國內新型電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，提高節能減排關(guān)鍵部件的國產(chǎn)化水平和比重。