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絕緣柵雙極管(igbt)
絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區
IGBT助變頻器實(shí)現高效能低損耗
- ·隨著(zhù)IGBT升級換代，變頻器性能不斷提高，體積不斷減小。 ·三菱電機在功率半導體領(lǐng)域的一個(gè)很大的優(yōu)勢就是貼近系統用戶(hù)。 日本從上世紀80年代開(kāi)始使用工業(yè)用的變頻器，還有家庭用的變頻空調，在市場(chǎng)上變頻技術(shù)得到了很快的發(fā)展。最初變頻器都用晶閘管，但是后來(lái)出現了用在變頻器上的IGBT。通過(guò)使用IGBT，功率損耗大幅降低。同時(shí)，經(jīng)過(guò)25年的發(fā)展，出現了各種各樣的研究開(kāi)發(fā)成果，目前三菱電機的IGBT芯片已經(jīng)發(fā)展到第6代?？梢耘e一個(gè)直觀(guān)的例子來(lái)說(shuō)明IGBT的發(fā)展水平：如果
- 關(guān)鍵字： IGBT 變頻器
功率半導體行業(yè)的春天
- 功率半導體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著(zhù)全球經(jīng)濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元，增長(cháng)率達到23.2%. MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷(xiāo)售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷(xiāo)售額占全部功率半導體的比重大約為20%,MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò )通信、汽車(chē)電子和電力設備六大領(lǐng)域。 IGBT:節能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷(xiāo)售額大約為31.36億美元，IGBT的銷(xiāo)售額占全部功率半
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 功率半導體
新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應用中的損耗
- 本文介紹了集成續流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現在兩個(gè)方面：通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場(chǎng)終
- 關(guān)鍵字： IGBT 軟開(kāi)關(guān) 損耗
功率半導體下游需求旺盛 前景看好
- 功率半導體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著(zhù)全球經(jīng)濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為 2833億美元，增長(cháng)率達到23.2%。 MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷(xiāo)售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷(xiāo)售額占全部功率半導體的比重大約為20%，MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò )通信、汽車(chē)電子和電力設備六大領(lǐng)域。 IGBT:節能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷(xiāo)售額大約為31.36億美元，IGBT的銷(xiāo)售額占全部功率
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
中國南車(chē)成立海外半導體研發(fā)中心
- 近日，中國南車(chē)在英國林肯丹尼克斯公司成立了半導體研發(fā)中心，并舉行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片線(xiàn)開(kāi)通儀式，為實(shí)現功率半導體器件世界第一的戰略目標奠定了更加堅實(shí)的基礎。 中國南車(chē)2008年10月成功收購了丹尼克斯半導體公司，獲得了戰略性資源，與中國南車(chē)現有功率半導體產(chǎn)業(yè)形成優(yōu)勢互補。為尋求更大發(fā)展，南車(chē)確立了功率半導體器件世界第一的戰略目標，于2009年底成功完成丹尼克斯公司的再融資，進(jìn)一步加大對功率半導體產(chǎn)業(yè)的投資，著(zhù)力提升六英寸IGBT芯片的生產(chǎn)能力;同時(shí)建立世界水平的功率半導體研發(fā)中心，
- 關(guān)鍵字： 軌道交通 IGBT
汽車(chē)級IGBT在混合動(dòng)力車(chē)中的設計應用
- 針對汽車(chē)功率模塊需求，英飛凌通過(guò)增強IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性，并增加IGBT結構強度，大大提高了IGBT的壽命預期。
混合動(dòng)力車(chē)輛中功率半導體模塊的要求
工作環(huán)境惡劣(高溫、振動(dòng))
IGBT位于逆 - 關(guān)鍵字： IGBT 汽車(chē)級 混合動(dòng)力車(chē) 中的設計
英飛凌推出第三代高速600V和1200V IGBT打破開(kāi)關(guān)和效率界限
- 英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT產(chǎn)品系列。該系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適用于高頻和硬開(kāi)關(guān)應用，在降低開(kāi)關(guān)損耗、實(shí)現出類(lèi)拔萃的效率方面，樹(shù)立了行業(yè)新標桿，并可滿(mǎn)足開(kāi)關(guān)頻率高達100 kHz的應用需求。 近年來(lái)，各種產(chǎn)品對分立式IGBT的需求促使設計者尋求具備優(yōu)化特性的IGBT，比如開(kāi)關(guān)和通態(tài)損耗優(yōu)化，以期充分發(fā)揮產(chǎn)品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機、太陽(yáng)能逆變器、開(kāi)關(guān)電源和不間斷電源(SMPS 和UPS)等高頻應用，幫助最大
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT UPS
英飛凌推出新款緊湊式IGBT模塊PrimePACK 3和EconoDUAL 3
- 英飛凌科技股份公司近日在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì )(2010年5月4日至6日)上，推出了專(zhuān)為實(shí)現最高功率密度和可靠性而設計的新款I(lǐng)GBT模塊：采用PrimePACK 3封裝、電壓為1700 V、電流為1400 A的PrimePACK模塊，和EconoDUAL系列的最新旗艦產(chǎn)品、電壓為1200V、電流為600 A的EconoDUAL 3。 英飛凌公司副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過(guò)推出這兩款新產(chǎn)品，英飛凌再次鞏固了其在提供具備最高功率密
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT PrimePACK
英飛凌攜手三菱電機服務(wù)全球功率電子行業(yè)
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議，針對全球工業(yè)運動(dòng)控制與驅動(dòng)市場(chǎng)，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進(jìn)的IGBT模塊。利用英飛凌新近開(kāi)發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領(lǐng)導廠(chǎng)商將會(huì )采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。 根據協(xié)議規定，三菱電機將新一代功率芯片，應用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng )造者
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT
英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長(cháng)IGBT模塊使用壽命，
- 英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì )(2010年5月4日至6日)上，推出創(chuàng )新的IGBT內部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(cháng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術(shù)，英飛凌可滿(mǎn)足具備更高功率循環(huán)的新興應用的需求，并為提高功率密度和實(shí)現更高工作結溫鋪平道路。 英飛凌副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過(guò)推出全新的.XT技術(shù)，英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設計和制造領(lǐng)域的技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT 封裝
英飛凌攜手三菱電機服務(wù)全球功率電子行業(yè)
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議，針對全球工業(yè)運動(dòng)控制與驅動(dòng)市場(chǎng)，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進(jìn)的IGBT模塊。利用英飛凌新近開(kāi)發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領(lǐng)導廠(chǎng)商將會(huì )采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。 根據協(xié)議規定，三菱電機將新一代功率芯片，應用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng )造者
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT SmartPACK SmartPIM
IGBT的驅動(dòng)和過(guò)流保護電路的研究
- 關(guān)鍵字： IGBT 驅動(dòng)電路 過(guò)流保護
汽車(chē)級IGBT在混合動(dòng)力車(chē)中的應用
- 混合動(dòng)力車(chē)電力驅動(dòng)的關(guān)鍵組件是電機和電機驅動(dòng)器，IGBT作為電機驅動(dòng)器的核心，它的可靠性關(guān)系著(zhù)混合動(dòng)力車(chē)輛的安全運行，本文主要針對IGBT模塊應用于汽車(chē)領(lǐng)域，所涉及的可靠性相關(guān)問(wèn)題進(jìn)行了探討，提出了汽車(chē)級IGBT概念，并詳細說(shuō)明了英飛凌汽車(chē)級IGBT針對汽車(chē)應用做出的改進(jìn)。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT 可靠性 功率循環(huán) 溫度循環(huán) 201003
RS推出1200種三洋半導體產(chǎn)品
- 國際著(zhù)名電子、電機和工業(yè)產(chǎn)品分銷(xiāo)商RS Components于今日宣布，通過(guò)其在線(xiàn)目錄RS Online(RS在線(xiàn)：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導體公司的1200類(lèi)半導體產(chǎn)品。 此次推出的產(chǎn)品中，除了有采用三洋半導體獨自技術(shù)達成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準的低導通電阻特性, 并實(shí)現了小型薄型大功率), 低壓驅動(dòng)閃光用IGBT產(chǎn)品以外，還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產(chǎn)品。 通過(guò)驅使獨自的核心技術(shù), 三洋在多
- 關(guān)鍵字： RS MOSFET IGBT
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條絕緣柵雙極管(igbt)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對絕緣柵雙極管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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