意法半導體(ST)推出先進(jìn)的1200V IGBT,可實(shí)現更長(cháng)的使用壽命、節省更多能源

　　意法半導體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場(chǎng)截止型高速技術(shù)提升太陽(yáng)能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數校正(PFC, Power-Factor Correction)轉換器等應用的能效和耐用性。

　　意法半導體的新H系列1200V IGBT將關(guān)斷損耗和導通損耗降低多達15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標準集極電流和100°C下的典型值)，這能確?？傮w損耗降至最低，在20kHz開(kāi)關(guān)頻率下更高效地工作。

　　此外， 新款1200V IGBT提供集成高速恢復反并聯(lián)二極管的選項，以助力開(kāi)發(fā)人員優(yōu)化硬開(kāi)關(guān)電路的性能，使用續流二極管大幅降低開(kāi)關(guān)電路的能源損耗。

　　
       新款I(lǐng)GBT的耐用性極強，當實(shí)際電流是標準電流的四倍時(shí)無(wú)閂鎖效應，短路時(shí)間極短，僅5µs(在150°C 初始結溫時(shí))。最大工作結溫擴大到175°C，有助于延長(cháng)產(chǎn)品的使用壽命，簡(jiǎn)單化系統散熱設計。寬安全工作區(SOA，Safe Operating Area)提升大功率應用的工作可靠性。

　　優(yōu)異的防電磁干擾(EMI，electromagnetic interference)是新產(chǎn)品的另一大優(yōu)點(diǎn)，這歸功于新系列產(chǎn)品在開(kāi)關(guān)過(guò)程中取得近乎理想的波形，令競爭產(chǎn)品望塵莫及。Vce(sat)的正溫度系數，結合器件之間參數分布緊密，使其在大功率應用中實(shí)現更安全的并行工作。

　　意法半導體的H系列IGBT現已量產(chǎn)，采用TO-247封裝，有15A、25A和 40A三個(gè)型號。

　　詳情請瀏覽:www.st.com/igbt