我國成功實(shí)現8英寸IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)

　　國內首條、世界第二條的8英寸IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)專(zhuān)業(yè)芯片生產(chǎn)線(xiàn)在中國南車(chē)株洲電力機車(chē)研究所有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)南車(chē)株洲所)建成，中國首片8英寸IGBT芯片同時(shí)下線(xiàn)。這條生產(chǎn)線(xiàn)總投資15億元，首期將實(shí)現年產(chǎn)12萬(wàn)片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬(wàn)只IGBT模塊，真正實(shí)現IGBT的國產(chǎn)化。它的投產(chǎn)將打破國外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷，對于保障國民經(jīng)濟安全、推動(dòng)兩型社會(huì )建設具有重大戰略意義。

　　為實(shí)現我國在高端IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)上的突破，國家科技重大專(zhuān)項“極大規模集成電路制造裝備與成套工藝專(zhuān)項”重點(diǎn)支持南車(chē)株洲所牽頭開(kāi)展了攻關(guān)，湖南省科技廳將該項目列入“省承接國家科技重大專(zhuān)項成果轉化專(zhuān)項”和“省戰略性新興產(chǎn)業(yè)科技攻關(guān)與重大科技成果轉化項目”重點(diǎn)項目，對南車(chē)株洲所進(jìn)行了連續支持。經(jīng)過(guò)多年的研發(fā)，南車(chē)株洲所攻克了30多項重大難題，終于掌握了IGBT產(chǎn)品設計、芯片制造、模塊封裝測試、可靠性試驗、系統應用等成套技術(shù)，成功研制出從650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模塊，形成了IGBT的完整產(chǎn)業(yè)鏈。其產(chǎn)業(yè)規模和技術(shù)實(shí)力都達到了國際領(lǐng)先水平，特別是在溝槽技術(shù)、高能離子注入、超薄片加工、激光退火與銅金屬化工藝等關(guān)鍵技術(shù)的運用方面都走在國際前列。

　　這條8英寸IGBT專(zhuān)業(yè)芯片線(xiàn)全面建成投產(chǎn)后，年產(chǎn)值預計可突破20億元。同時(shí)，按照全球IGBT技術(shù)發(fā)展趨勢，南車(chē)株洲所正在研發(fā)第五代、預研第六代IGBT技術(shù)，以持續確保我國在IGBT產(chǎn)業(yè)上的技術(shù)支撐與核心競爭力。