什么是IGBT？如何使用此模塊實(shí)現“雙面水冷”，IGNT未來(lái)的發(fā)展趨勢又是如何？

　　什么是IGBT？

　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應管）組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大；MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上；IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點(diǎn)；當前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此類(lèi)模塊化產(chǎn)品，一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊；隨著(zhù)節能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類(lèi)產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn)；IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱(chēng)電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應用極廣。

　　怎樣用IGBT模塊實(shí)現雙面水冷？這項技術(shù)又有何意義？

　　Infineon 的德國團隊和美國團隊（前IR團隊）發(fā)表了兩篇關(guān)于雙面水冷的IGBT模塊的相關(guān)設計及測試結果。原文標題如下

　　“Dual-sided Cooling for AutomoTIve Inverters – PracTIcal ImplementaTIon with Power Module”

　　從應用角度而言，雙面水冷技術(shù)（DSC）的開(kāi)發(fā)即是基于新能源汽車(chē)（純電動(dòng)及混動(dòng)）的應用考慮，主要為了解決車(chē)載逆變器功率密度的問(wèn)題。圖1給出其基本結構，相比現有IGBT模塊，芯片上層的DCB構成第二條散熱通道，用于改善模塊的散熱效果。

　　圖2 的樣品照片，模塊的尺寸較小，頂部和底部通過(guò)DCB陶瓷基板直接和散熱器接觸，強電和弱電端子分布在芯片的前后兩側。

　　作為雙面水冷模塊，其塑封材料不同溫度下的機械一致性首先需要保證，22、150攝氏度下的模塊表面平整度較好，同時(shí)防潮性能也比較優(yōu)異。

　　由于增加了模塊頂部的散熱通道，散熱效果剋提升70%，需要注意的是，熱阻值隨表面影響較大，要達到最佳的熱阻，800N的壓力這條確實(shí)也嚇了筆者一跳。

　　由于去除了傳統設計中的銅底板，模塊的熱容顯著(zhù)減小，其熱耦合性能大幅提高，基本只在熱源附近的芯片溫度較高。同時(shí)，新的DSC模塊還伴隨著(zhù)寄生電感和封裝電阻的顯著(zhù)降低，寄生電感只有13nH。

　　此外，模塊還集成了電流和溫度傳感器，便于實(shí)現芯片電流、溫度的檢測，這條與常規芯片倒沒(méi)有特別的差異。電流檢測基本都在百毫伏范圍內。

　　相比德國團隊的工作，前IR團隊的研究重心則放在了與之配套的水冷散熱的方案實(shí)現和性能測試上。圖4給出了對應的水冷散熱器方案。

　　散熱器內部還是使用經(jīng)典的Pin-Fin散熱方案，水冷設計的重點(diǎn)包括流量的均恒，散熱流族 限制下的Pin針形狀和大小的優(yōu)化設計?；谕瑯拥目偭髁考僭O，雙面水冷較之單面水冷，熱阻可以減小32%，同時(shí)水路壓降跌落也只有其35%。同時(shí)，對于雙面散熱，僅增大27.5%的壓力，就能獲得雙倍于單面水冷的總散熱流量。

　　仿真結果顯示，單面水冷下220攝氏度節溫的模塊采用雙面水冷后節溫只有175攝氏度。

　　針對著(zhù)這種雙面散熱，其溫度測量需要做一定修改，如增加相應的開(kāi)孔及夾具固定。熱測試的結果也印證了前文的設計和仿真結果 ，其中穩態(tài)熱阻將達到30~40%的降低。同時(shí)可以發(fā)現，模塊的熱時(shí)間常數只有1.5s，大大小于帶銅底板的常規IGBT模塊。

　　最后通電實(shí)驗顯示，同等條件下，采用雙面水冷散熱后，輸出功率能夠增加30%以上。作者同時(shí)預言如果采用更優(yōu)化的水冷版設計，逆變器的電流能力能夠增加50%甚至更多。

　　IGBT在未來(lái)的發(fā)展，以及發(fā)展趨勢：

　　IGBT作為電力電子領(lǐng)域非常理想的開(kāi)關(guān)器件，各種新結構、新工藝及新材料技術(shù)還在不斷涌現，推動(dòng)著(zhù)IGBT芯片技術(shù)的發(fā)展，其功耗不斷降低，工作結溫不斷升高，從125℃提升到了175℃并向200℃邁進(jìn)，并可以在芯片上集成體二極管，形成逆導IGBT（RC-IGBT/BIGT），無(wú)需再反并聯(lián)續流二極管，在相同的封裝尺寸下，可將模塊電流提高30%，還可以將電流及溫度傳感器集成到芯片內部，實(shí)現芯片智能化，如圖所示。

　　通過(guò)對IGBT芯片的邊緣結構進(jìn)行隔離處理，可以形成具有雙向阻斷能力的IGBT（RB-IGBT），在雙向開(kāi)關(guān)應用中無(wú)需再串聯(lián)二極管，并具有更小的漏電流及更低的損耗 。

　　超結技術(shù)（super juncTIon）打破了傳統硅器件的導通壓降與耐壓的極限關(guān)系（Ron∝VB2.5），可大大降低器件功耗，已成功應用在MOSFET上。將該技術(shù)應用在IGBT上，則可以進(jìn)一步降低功耗，目前已受到廣泛的關(guān)注。超結IGBT的主要難點(diǎn)是工藝實(shí)現，為了降低工藝難度，各種“半超結”結構被提出，實(shí)現性能與工藝的折中。

　　與此同時(shí)，IGBT的工藝水平也在不斷提升，許多先進(jìn)工藝技術(shù)，如離子注入、精細光刻等被應用到IGBT制造上。IGBT芯片制造過(guò)程中的最小特征尺寸已由5um，到3um， 到1um，甚至達到亞微米的水平。采用精細制造工藝可以大幅提高功率密度，同時(shí)可以降低結深，減小高溫擴散工藝，從而使采用12英寸甚至更大尺寸的硅片來(lái)制造IGBT成為可能。隨著(zhù)薄片與超薄片加工工藝的發(fā)展，英飛凌在8英寸硅片上制造了厚度只有40um的芯片樣品，不久的未來(lái)有望實(shí)現產(chǎn)品化應用。

　　此外，新材料如寬禁帶半導體材料技術(shù)的發(fā)展，可以實(shí)現更低功耗、更大功率容量、更高工作溫度的器件，其中SiC成為目前的大功率半導體的主要研究方向，并在單極器件上實(shí)現商品化，在IGBT等雙極器件的研究上也不斷取得進(jìn)展。目前IGBT主要受制造工藝及襯底材料的缺陷限制，例如溝道遷移率及可靠性、電流增益較小及高摻雜P型襯底生長(cháng)等問(wèn)題，未來(lái)隨著(zhù)材料外延技術(shù)的發(fā)展，SiC IGBT將會(huì )實(shí)現突破。

　　 IGBT模塊技術(shù)發(fā)展

　　隨著(zhù)IGBT芯片技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片的最高工作結溫與功率密度不斷提高， IGBT模塊技術(shù)也要與之相適應。未來(lái)IGBT模塊技術(shù)還將圍繞芯片背面焊接固定與正面電極互連兩方面不斷改進(jìn)，有望將無(wú)焊接、無(wú)引線(xiàn)鍵合及無(wú)襯板/基板等先進(jìn)封裝理念及技術(shù)結合起來(lái)，將芯片的上下表面均通過(guò)燒結或壓接來(lái)實(shí)現固定及電極互連，同時(shí)在模塊內部集成更多其他功能元件，如溫度傳感器、電流傳感器及驅動(dòng)電路等，不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度。

　　 小結

　　本文從IGBT體結構、背面集電極區結構與正面MOS結構三方面分析了IGBT芯片的技術(shù)現狀，目前IGBT芯片普遍采用平面柵或者溝槽柵結構，并運用軟穿通體結構與透明集電極區結構技術(shù)，以及各種增強型技術(shù)，以提高綜合性能和長(cháng)期可靠性。高壓IGBT模塊技術(shù)還是以標準的焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊產(chǎn)品則出現了很多新技術(shù)，如燒結取代焊接，壓力接觸取代引線(xiàn)鍵合，無(wú)襯板/基板封裝等。未來(lái)IGBT將繼續朝著(zhù)集成化、智能化、小型化的方向發(fā)展。