新型功率半導體器件及應用創(chuàng )新中心成立

　　“新型功率半導體器件及應用創(chuàng )新中心的成立，將推動(dòng)形成‘技術(shù)創(chuàng )新—轉化—規?；瘧?mdash;投資再創(chuàng )新’的閉環(huán)，推動(dòng)創(chuàng )新成果在先進(jìn)軌道交通、智能電網(wǎng)、消費電子、電動(dòng)汽車(chē)等重要領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應用。”日前，在湖南株洲召開(kāi)的“湖南省IGBT產(chǎn)業(yè)對接會(huì )”上，中國工程院院士、中國IGBT技術(shù)創(chuàng )新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長(cháng)丁榮軍說(shuō)。

　　新型功率半導體是關(guān)系國民經(jīng)濟命脈的共性關(guān)鍵技術(shù)，涉及先進(jìn)軌道交通裝備、節能與新能源汽車(chē)、電力裝備、新材料等行業(yè)。2016年，我國功率半導體市場(chǎng)規模達1496億元。其中，湖南在大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)產(chǎn)業(yè)發(fā)展上，已形成約300億元的全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)值。

　　湖南省經(jīng)信委副主任陳松嶺介紹，該省依托株洲中車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司，已初步打造了關(guān)鍵材料—關(guān)鍵設備—元器件—裝置/系統—應用及服務(wù)平臺—行業(yè)應用示范的IGBT大功率器件產(chǎn)業(yè)鏈，建成了年產(chǎn)能達12萬(wàn)只芯片的國內首個(gè)8英寸大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地，擁有新型功率半導體器件國家重點(diǎn)實(shí)驗室與國家能源大功率電力電子器件研發(fā)中心兩個(gè)國家級創(chuàng )新平臺。

　　為打通技術(shù)研發(fā)供給、商業(yè)化等鏈條，打破國外壟斷，推動(dòng)我國新型功率半導體技術(shù)的突破，株洲中車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司發(fā)起，聯(lián)合國家電網(wǎng)公司等8家單位，擬共建“新型功率半導體器件與應用創(chuàng )新中心”。