ARM發(fā)布業(yè)界最廣泛的40納米G物理IP平臺

　　ARM公司近日宣布，開(kāi)始向臺積電的40納米G制造工藝提供業(yè)界最完善的IP平臺。這一ARM® 最新的、已通過(guò)流片驗證的物理IP能夠滿(mǎn)足性能驅動(dòng)消費產(chǎn)品的高成本效率開(kāi)發(fā);這些產(chǎn)品要求在不提高功耗的前提下提供先進(jìn)的功能。這一平臺是為那些期望使用40納米工藝進(jìn)行設計的開(kāi)發(fā)者設計的，能夠促進(jìn)更高水平的技術(shù)創(chuàng )新，同時(shí)保持性能驅動(dòng)消費產(chǎn)品的功耗水平。這些消費產(chǎn)品包括：磁盤(pán)驅動(dòng)器、機頂盒、移動(dòng)計算設備、網(wǎng)絡(luò )應用、高清電視以及圖形處理器。

　　通過(guò)多通道的邏輯庫，ARM平臺提供了非常高的靈活性。這些庫包括高性能和高密度標準單元庫，以及電源管理套件和ECO套件庫擴展;后者主要用于解決亞微米設計中的漏電問(wèn)題。所有的多通道長(cháng)度庫(length libraries)在管腳封裝方面全部兼容，使得在標準設計流程中進(jìn)行單元交換變得非常方便。通過(guò)以長(cháng)通道長(cháng)度設備(Long Channel Length Devices)取代或補充HVt、RVt或者LVt嵌入層，能夠極大地節省功耗和成本，提供更好的性能、更低的泄漏以及更低的制造成本。

　　此外，該平臺還包括嵌入式存儲器編譯器和接口IP，能夠滿(mǎn)足眾多對性能、功耗和面積的要求。最優(yōu)化的存儲器編譯器能夠提供最高的片上系統(SoC)性能，減小芯片尺寸，同時(shí)利用先進(jìn)的電源管理技術(shù)將系統總功耗降到最低，從而實(shí)現更低的芯片和封裝成本。先進(jìn)的電源管理是ARM存儲器架構一個(gè)基本部分，在SoC中能夠顯著(zhù)降低動(dòng)態(tài)功耗和泄漏功耗。高密度存儲器連同ARM創(chuàng )新的高速架構和專(zhuān)門(mén)針對多處理器的低功耗管理模式一起，可以實(shí)現出眾的ARM CPU，這在非處理器優(yōu)化解決方案中是實(shí)現不了的。

　　ARM 40納米接口IP為SoC設計師提供了一組完善的通用I/O、專(zhuān)用I/O和DDR接口宏。接口IP在設計時(shí)被賦予先進(jìn)的可編程性，這使得它能夠在將ARM CPU與外部相連、從而實(shí)現多種SoC應用的時(shí)候提供非常高的靈活性。這一接口IP中含有一些能夠被動(dòng)態(tài)控制的電源和泄漏節省模式，從而進(jìn)一步優(yōu)化整體的SoC功耗，并實(shí)現更好的電源配置細度。通過(guò)使用普通的ESD和電源導軌設計方法論，這一接口IP能夠實(shí)現無(wú)縫的擴充棧(pad ring)集成，并且顯著(zhù)降低可靠性風(fēng)險。ARM同時(shí)還提供業(yè)界領(lǐng)先的、高度集成的、全速的DDR PHY解決方案，以及對高速BIST和DFI支持，與專(zhuān)用I/O(例如LVDS物理接口)一起，支持靈活的存儲控制器的集成。

　　ARM物理IP部門(mén)執行副總裁兼總經(jīng)理Simon Segars表示：“ARM在同時(shí)開(kāi)發(fā)處理器IP和物理IP方面有著(zhù)獨一無(wú)二的地位，使得這兩者能夠充分地互相補充，并縮短整體設計周期。我們通過(guò)在早期與領(lǐng)先的代工廠(chǎng)和EDA公司合作，進(jìn)一步提高了我們的技術(shù)，確保了一個(gè)強大的支持基礎架構的存在，為設計師提供了一個(gè)低風(fēng)險、經(jīng)流片驗證、具有成本效率的設計戰略。通過(guò)我們與臺積電的戰略合作，我們能夠用制造工藝對物理設計進(jìn)行優(yōu)化，從而提供最理想的結果。”

　　Synopsys市場(chǎng)和戰略開(kāi)發(fā)資深副總裁John Chilton表示：“ARM 和Synopsys一直專(zhuān)注于通過(guò)在可供代工廠(chǎng)立即使用的物理IP平臺以及整合的設計工具方面的合作，來(lái)減少設計周期中所遇到的挑戰。ARM為設計師提供了完善的40納米產(chǎn)品，而我們已經(jīng)同ARM緊密合作，確保這一新的平臺通過(guò)了我們的Lynx Design System(Lynx設計系統)的驗證。通過(guò)在我們的Lynx Foundry-Ready System(Lynx可供代工廠(chǎng)立刻使用系統)上對ARM IP進(jìn)行預測試，能夠提供一種低風(fēng)險的方式，實(shí)現已獲驗證的、可立即進(jìn)行制造的40納米SoC解決方案。這一組合能夠以快速、低成本的方式幫助高度優(yōu)化的設計轉化為芯片產(chǎn)品。”