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第九代 v-nand
第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區
Mobile RAM防線(xiàn)恐失守
- 行動(dòng)裝置風(fēng)潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，儼然已成為DRAM廠(chǎng)最佳避風(fēng)港，然在各家存儲器大廠(chǎng)一窩蜂搶進(jìn)下，Mobile RAM已率先發(fā)難，出現供過(guò)于求警訊，日廠(chǎng)爾必達(Elpida)傳出原本爆滿(mǎn)的Mobile RAM產(chǎn)能將轉回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價(jià)格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛戰，DRAM廠(chǎng)12寸廠(chǎng)產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。 存儲器業(yè)者表示，PC市場(chǎng)成長(cháng)趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷，而平板計算機崛起讓每臺系統DRAM
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
海力士半導體放緩NAND Flash工藝轉換速度
- 南韓半導體大廠(chǎng)海力士半導體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。 海力士相關(guān)人員表示，26納米制程NAND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品，成為海力士主力產(chǎn)品。 NAND Flash為非揮發(fā)性?xún)却嫘酒?，即使中斷供電也能儲存信息，是智能型手機、平板計算機等行動(dòng)裝
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND
臺DRAM產(chǎn)業(yè)集成是唯一之道
- 存儲器模塊廠(chǎng)金士頓(Kingston)不畏存儲器景氣波動(dòng)，2010年全球獨立DRAM模塊廠(chǎng)市占率首度突破50%大關(guān)，NAND Flash市場(chǎng)布局也成功跨足固態(tài)硬盤(pán)(SSD)市場(chǎng)，面對臺灣上游DRAM廠(chǎng)仍處于生存困境的當下，金士頓創(chuàng )辦人之一的杜紀川表示，認同孫大衛認為臺灣 DRAM產(chǎn)業(yè)要集成才有活路的策略，唯有計畫(huà)性地將各方力量做結合，才能讓臺灣DRAM廠(chǎng)免受全球經(jīng)濟、市場(chǎng)波動(dòng)沖擊?！?/li>
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
終端需求疲軟 NAND Flash合約價(jià)大跌
- 第2季NAND Flash終端需求太差，新出爐合約報價(jià)大跌超過(guò)10%，內存模塊廠(chǎng)表示，合計整個(gè)5月現貨報價(jià)跌幅達20%，合約價(jià)合計跌幅也超過(guò)15%，反映終端需求確實(shí)需要新刺激，目前市場(chǎng)是底部已臨，靜待反彈階段;展望第3季，市場(chǎng)認同威剛董事長(cháng)陳立白的基調，預期第3季仍會(huì )比第2季好一些，但市場(chǎng)不至于會(huì )有缺貨或價(jià)格飆漲的情況發(fā)生。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND Flash
NAND Flash需求急凍 模組廠(chǎng)瀕臨警戒線(xiàn)
- 全球NANDFlash市場(chǎng)需求在5月進(jìn)入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機大廠(chǎng)亦出現砍單情況，記憶體零售和系統端需求明顯降溫，市場(chǎng)五窮六絕跡象顯現，使得記憶體模組廠(chǎng)營(yíng)收恐再次探底，部分廠(chǎng)商傳出力守2月?tīng)I收低點(diǎn)的警戒線(xiàn)。不過(guò)，以毛利率角度來(lái)看，由于NANDFlash價(jià)格并沒(méi)有出現急跌，因此，模組廠(chǎng)5月毛利率仍可暫時(shí)守穩在水準之上。
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
第九代 v-nand介紹
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