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第九代 v-nand
第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區
Gartner認為SSD將在明年成為市場(chǎng)主流
- 數年來(lái)固態(tài)硬盤(pán)正在變得越來(lái)越便宜和可靠，但相比大容量的硬盤(pán)而言，這種產(chǎn)品在容量和價(jià)格比上依然顯得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相當于1TB的西部數據硬盤(pán)的價(jià)格。盡管如此，Gartner依然對SSD市場(chǎng)的前景十分看好，并認為到2012年下半年，固態(tài)硬盤(pán)將成為市場(chǎng)的主流，并預期到時(shí)候的價(jià)格將會(huì )下降到每1美元1GB，這意味著(zhù)主流的SSD價(jià)格將下調到100美元以下，例如64GB64美元，從而開(kāi)始被大眾接受。
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
NAND Flash大廠(chǎng)積極制程轉換
- 2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場(chǎng)龍頭，市占率高達36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達35.1%，兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場(chǎng);根據市調機構TrendForce最新統計，2011年第1季NAND Flash品牌供應商的位元出貨量為13%，營(yíng)收成長(cháng)9.9%，達53.63億美元。 2011年第1季全球NAND Flash市場(chǎng)變化相當多，最大影響當屬日本311東北強震，對
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND
三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量
- 據了解，由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND Flash
三星、海力士擴大NAND Flash投資
- 由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 移動(dòng)設備
美光：未來(lái)NAND Flash不求市占率但求低成本
- 由于智能型手機等行動(dòng)裝置應用驅動(dòng)NANDFlash需求成長(cháng)，加上日本強震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續供不應求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠(chǎng)取得多數股權和產(chǎn)能，未來(lái)不排除再擴大NAND Flash產(chǎn)能，可行方案包括釋出代工權給華亞科生產(chǎn)，或是啟動(dòng)新加坡二廠(chǎng)。美光指出，未來(lái)NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
第九代 v-nand介紹
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