第九代 v-nand 文章進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區

莫大康：中國半導體業(yè)要奮力突圍

　　與美國在半導體先進(jìn)工藝制程等方面的差距，不僅表現在人材，技術(shù)等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進(jìn)步。　　01引言　　近期華爾街日報撰文“中國的下一個(gè)目標奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場(chǎng)，歪曲事實(shí)。　　此次中國半導體業(yè)的“奮力突圍”，有兩層意義：　　一個(gè)是差距大，希望迅速的成長(cháng)，至多是擴大芯片的自給率。　　另一個(gè)是西方千方百計的阻礙中國半導體業(yè)的進(jìn)步
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狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴產(chǎn)

　　2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動(dòng)DRAM、3DNAND及晶圓代工擴產(chǎn)計劃，預計資本支出上看150億~220億美元，遠超過(guò)臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規模，三星為確保新產(chǎn)能如期開(kāi)出，近期傳出已與多家硅晶圓供應商洽談簽長(cháng)約，狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能，并傳出環(huán)球晶已通知客戶(hù)自2018年起硅晶圓供應量將減少30%，主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準備。　　三星為因應DRAM和3DNAND市場(chǎng)強勁需求，加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程，企圖與臺積電一較長(cháng)短，搶
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三星電子波瀾再起 NAND芯片市場(chǎng)風(fēng)云變幻

　　8月28日，三星電子宣布，未來(lái)將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過(guò)，三星稱(chēng)，“此筆投資意在滿(mǎn)足NAND芯片市場(chǎng)的需求。”可是，三星的投資真的只為滿(mǎn)足NAND芯片市場(chǎng)需求嗎? 　　波瀾的背后　　據2017年第二季度財報顯示，三星電子營(yíng)收額高達554.1億美元，同比增長(cháng)19%，并且，三星電子以銷(xiāo)售額14億美元的成績(jì)拿下45.9%的NAND Flash市占有率。　　有業(yè)者分析稱(chēng)，三星第二季度如此強勁的主要原因是蘋(píng)果等其他電子類(lèi)產(chǎn)品生產(chǎn)需求旺盛，同時(shí)其
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第二季NAND Flash品牌廠(chǎng)營(yíng)收季成長(cháng)8%，第三季價(jià)格續揚

　　集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統NAND Flash的淡季，各產(chǎn)品線(xiàn)合約價(jià)平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機與平板計算機內的eMMC/UFS以及SSD合約價(jià)仍持續小漲，2017年將是NAND Flash廠(chǎng)商營(yíng)收表現成果豐碩的一年。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，NAND Flash原廠(chǎng)紛紛轉進(jìn)垂直堆棧
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DIGITIMES：聲光暫掩的大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展近況

　　開(kāi)年以來(lái)大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展似乎進(jìn)入沉潛期。首先是年初長(cháng)江存儲CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清，表示從未發(fā)表過(guò)32層3DNANDFlash今年量產(chǎn)的消息。接下來(lái)是中芯國際董事長(cháng)周子學(xué)表達的大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的時(shí)間，大陸才能發(fā)展出比較有市場(chǎng)競爭力的企業(yè)主體。再來(lái)是最近紫光集團表示，由于長(cháng)江存儲的存儲器芯片工廠(chǎng)專(zhuān)案投資規模過(guò)大，目前尚處于建設初期，短期無(wú)法產(chǎn)生銷(xiāo)售收入，時(shí)機不成熟，停止收購長(cháng)江存儲的股份。雖然似乎大陸整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)持續其發(fā)展動(dòng)能，但
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三大內存創(chuàng )最缺且漲勢最久紀錄，手機品牌包產(chǎn)能

　　DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內存會(huì )一直缺貨到明年，許多客戶(hù)搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。業(yè)界指出，未簽訂長(cháng)約的客戶(hù)，內存供貨將短缺，沖擊產(chǎn)品上市或出貨時(shí)程。　　集邦、IC Insight等研究機構最近紛紛出具報告，強調DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應在下半年顯現，缺貨問(wèn)題更嚴重。　　業(yè)界表示，三大內存應用范圍廣，尤其N(xiāo)OR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲存程序代碼關(guān)鍵組件，雖然單價(jià)遠比DRAM
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各家爭鳴存儲器技術(shù)標準儲存技術(shù)之爭再掀戰火

　　在2017年快閃存儲器高峰會(huì )(Flash Memory Summit)上，可見(jiàn)各主要NAND Flash供應商持續推出更新式存儲器芯片以期能主導競爭優(yōu)勢，幾乎各主要供應商也都在談?wù)摵?jiǎn)化Flash儲存系統內建軟件的必要性，以減少應用在資料中心時(shí)出現的延遲問(wèn)題，以及試圖定義固態(tài)硬盤(pán)(SSD)全新尺寸標準，另值得注意的是，本屆大會(huì )上甚至連主要硬盤(pán)(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說(shuō)中提及硬盤(pán)相關(guān)技術(shù)資訊或發(fā)展趨勢。　　根據科技網(wǎng)站EE Times報導，在本屆大會(huì )上，三星電子(Samsung Electr
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3D NAND究竟出了什么問(wèn)題？

3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
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具有劃時(shí)代意義的芯片匯總，賽靈思FPGA和東芝NAND閃存在列

　　對大多數人來(lái)說(shuō)，微芯片是一些長(cháng)著(zhù)小小的金屬針，標著(zhù)看似隨機的字母或數字的字符串的黑盒子。但是對那些懂的人來(lái)說(shuō)，有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產(chǎn)品賦能，從而得到榮耀，也有一些芯片對整個(gè)計算環(huán)境造成了長(cháng)期的影響。也有一些，它們的雄心壯志失敗后成為警世的故事?！　榱思o念這些偉大的芯片，并講述它們背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了這個(gè)“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
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1Tb V-NAND內存即將面世

　　三星計劃在明年推出容量達1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現有芯片的高密度固態(tài)硬盤(pán)。　　三星(Samsung)計劃明年推出容量達1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現有芯片的高密度固態(tài)硬盤(pán)(SSD)。該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開(kāi)始出樣，據稱(chēng)這款產(chǎn)品能夠達到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內存的低延遲能力。　　三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數據速率，并在一個(gè)堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4
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三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒容量高達1Tb

　　相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著(zhù)非常明顯的體積優(yōu)勢，如果總線(xiàn)走PCIe，速度上更是完爆。　　在舊金山的閃存峰會(huì )上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產(chǎn)品。　　三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續減小體積。　　如此精巧之后，連傳統M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標準。　　其
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東芝傳計劃砸1兆日元建新廠(chǎng)、增產(chǎn)3D NAND

　　日刊工業(yè)新聞7日報導，為了提高3D架構的NAND型閃存(Flash Memory)產(chǎn)能、以因應三星電子等競爭對手加快擴產(chǎn)腳步，東芝(Toshiba)將進(jìn)一步祭出增產(chǎn)投資，計劃在日本巖手縣北上市興建新工廠(chǎng)，該座新廠(chǎng)預計于2018年度動(dòng)工、 2021年度啟用，總投資額將達1兆日圓的規模。東芝目前已在四日市工廠(chǎng)廠(chǎng)區內興建3D NAND專(zhuān)用廠(chǎng)房「第6廠(chǎng)房」。　　該座3D NAND新工廠(chǎng)興建計劃由東芝半導體事業(yè)子公司「東芝內存(Toshiba Memory Corporation、以下簡(jiǎn)稱(chēng)TMC)」負責
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存儲器分類(lèi)匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？

　　RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統稱(chēng)RAM，random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫(xiě)，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區別?！　RAM：靜態(tài)隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動(dòng)態(tài)隨機存儲器那樣，每隔一段時(shí)間就要刷新一次數據。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來(lái)做C
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半導體人才流失中國，三星呼吁韓國政府幫忙

　　根據韓國英文媒體《The Korea Times》的報導，三星副總裁權五鉉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韓國政府喊話(huà)，要韓國政府給予半導體產(chǎn)業(yè)更多的支持，以解決人才荒的問(wèn)題。　　報導中指出，目前是三星副總裁，也是領(lǐng)導三星顯示器部門(mén)的權五鉉，日前在一項公開(kāi)演講中指出，韓國的半導體產(chǎn)業(yè)自認為有其競爭的實(shí)力。不過(guò)，卻面臨當當前半導體人才不足的問(wèn)題。權五鉉進(jìn)一步指出，半導體產(chǎn)業(yè)是第 4 次工業(yè)革命的重要基礎，因此希望韓國政府能藉由科技培訓的管道，持續為半導體與設備產(chǎn)業(yè)供應需要的人才。
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解讀：上半年中國固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)發(fā)展現狀

　　受NAND Flash供貨緊張影響，以及數據中心、企業(yè)、移動(dòng)設備等領(lǐng)域SSD強勁需求，2017年上半年NAND Flash價(jià)格持續走高。根據ZDC統計，NAND Flash價(jià)格累計漲幅達26%，消費類(lèi)每GB銷(xiāo)售價(jià)格突破了0.3美金。　　 ? 　　2017年上半年，中國市場(chǎng)智能手機、平板電腦等移動(dòng)設備需求出現下滑，再加上NAND Flash的價(jià)格持續走高，高價(jià)壓力下的SSD市場(chǎng)呈現一片低迷景象。但隨著(zhù)6月份需求旺季的到來(lái)，固態(tài)硬盤(pán)的關(guān)注度有所回升。　　 ? 　
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