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第九代 v-nand
第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區
IC Insights:全球半導體2017年上調市場(chǎng)預測提升至22%

- 據IC Insights預測,2017年的IC市場(chǎng)增長(cháng)率有望提高到22%,較今年年中預期的16%再提升6個(gè)百分點(diǎn),出貨量增長(cháng)率預測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場(chǎng)預測是由于DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的激增。 此外,IC Insights同時(shí)調稿對O-S-D(光電子,傳感器/執行器和分立器件)市場(chǎng)的預測??傮w而言,2017年半導體產(chǎn)業(yè)整體預計增長(cháng)達20%,比年中預期調高5個(gè)百分點(diǎn)。 2017年,IC Insights預測DRAM的平均售價(jià)將大漲77%,預計今年將推動(dòng)DRAM
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
東芝受惡意攻擊導致NAND停產(chǎn):預估少生產(chǎn)40萬(wàn)TB容量
- 援引DigiTimes報道,東芝的NAND部門(mén)近日遭受了非常嚴重的惡意攻擊,被迫關(guān)閉NAND生產(chǎn)線(xiàn)數周時(shí)間,這將導致近階段公司NAND閃存的供應比較緊張。 DigiTimes消息稱(chēng)為了清除惡意程序,東芝公司的NAND生產(chǎn)線(xiàn)將停工3-6周時(shí)間才能恢復正常供應,預估將減少10萬(wàn)個(gè)wafers產(chǎn)量。PCGamesN網(wǎng)站預估假設這段停產(chǎn)時(shí)間正常生產(chǎn),能夠帶來(lái)5000萬(wàn)個(gè)芯片或者40萬(wàn)TB的NAND閃存。 近年來(lái)由于智能手機和服務(wù)器的需求不斷增大,NAND的售價(jià)也水漲船高。但是由于NAND廠(chǎng)商在生產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
基于magnum 2 測試系統的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術(shù)研究

- 摘要:NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應用,然而在生產(chǎn)過(guò)程中出現壞塊和在使用過(guò)程中會(huì )出現壞塊增長(cháng)的情況,針對這種情況,本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法,實(shí)驗結果表明,此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外,針對NAND FLASH的關(guān)鍵時(shí)序參數,如tREA(讀信號低電平到數據輸出時(shí)間)和tBERS(塊擦除時(shí)間)等,使用測試系統為器件施加適當的控制激勵,完成NAND FLASH的時(shí)序配合,從而達到器件性
- 關(guān)鍵字: NAND magnum
Nand Flash編程應用難點(diǎn)淺析

- Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種,為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大,改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數據的存儲,如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等?! ?989年,東芝公司發(fā)表了Nand Flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。經(jīng)過(guò)十幾年的發(fā)展,NAND應用越來(lái)越廣泛,但是大多數工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應用的一些難點(diǎn):分區、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
- 關(guān)鍵字: Nand Flash 東芝
群聯(lián)潘健成:未來(lái)五年 NAND供不應求
- 內存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時(shí)會(huì )補選一席董事,由日商東芝內存株式會(huì )社(TMC)當選。在市場(chǎng)供需方面,群聯(lián)董事長(cháng)潘健成樂(lè )觀(guān)表示,未來(lái)五年,儲存型閃存(NANDFlash)將持續供不應求。 臺灣東芝先進(jìn)半導體因集團組織調整,今年8月1日辭去群聯(lián)董事,群聯(lián)昨日召開(kāi)股東臨時(shí)會(huì )補選,并順利由東芝內存株式會(huì )社當選。 潘健成表示,東芝內存主導負責東芝的全球半導體事業(yè),東芝已將群聯(lián)股權移轉給東芝內存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資,也透過(guò)合作互補,強化技術(shù),雙方關(guān)系將比過(guò)去15年更加緊密,在產(chǎn)業(yè)的競
- 關(guān)鍵字: NAND
2018年NAND Flash供給年增42.9%,全年度供需由緊俏轉為平衡
- 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,2017年NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機搭載容量與服務(wù)器需求的帶動(dòng),加上供給面受到制程轉進(jìn)進(jìn)度不如預期的影響下,供不應求的狀況自2016年第三季起已持續六個(gè)季度;展望2018年,NAND Flash供給將增加42.9%,需求端將成長(cháng)37.7%,明年整體供需狀況將轉為供需平衡。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,從NAND Flash的供給面來(lái)看,因為NAND制程從2D轉進(jìn)3D不如預期,導致2017年非三星陣營(yíng)的新
- 關(guān)鍵字: NAND 西數
2017年全球存儲市場(chǎng)規模將達950億美元
- 日前,由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦的、以“中國存儲 全球格局”為主題的中國閃存市場(chǎng)峰會(huì )在深圳圓滿(mǎn)落幕。本次峰會(huì )齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、??荡鎯Φ绕髽I(yè)重量級嘉賓,一起探討存儲產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展和企業(yè)市場(chǎng)發(fā)展機會(huì )。峰會(huì )吸引全球近700家企業(yè)參會(huì ),其中包括東芝、西部數據、SK海力士、長(cháng)江存儲、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì ),涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、汽車(chē)、工業(yè)、大數據應用等,參會(huì )觀(guān)眾超
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存
東芝宣布出售予美日聯(lián)盟,加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星

- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導體事業(yè)以2兆日圓出售給由美國私募股權業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟,,由于此出售案較預期延宕,對于NAND Flash市場(chǎng)的產(chǎn)能影響,預期要到明年上半年才會(huì )趨于明顯;中長(cháng)期而言,在資金到位的情況下,將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術(shù)上力拼三星。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,此次出售案的收購對象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機構(INCJ)財團、
- 關(guān)鍵字: 3D NAND 東芝
CFM:原廠(chǎng)加碼投資擴產(chǎn)64層3D NAND,然部分市場(chǎng)仍缺貨到年底

- 9月6日,由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場(chǎng)峰會(huì )(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿(mǎn)落幕。本次峰會(huì )除了齊聚國內外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講,其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導?! ‘斕煳蚪?00家企業(yè)參會(huì ),其中包括西部數據、SK海力士、長(cháng)江存儲、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì ),涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存
第九代 v-nand介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對第九代 v-nand的理解,并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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