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第九代 v-nand
第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區
2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧
- 摘要：由于智能手機、SSD市場(chǎng)需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲芯片市場(chǎng)的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著(zhù)上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶(hù)武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠(chǎng)正式動(dòng)工，整個(gè)項目預
- 關(guān)鍵字： SSD 3D NAND
如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用
- 被廣泛應用于手機、平板等數碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無(wú)法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進(jìn)行有效的利用，從而滿(mǎn)足我們的應用需求，讓壞塊不“壞”。 要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當編程或者擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時(shí)的錯誤，這種錯誤可以通過(guò)狀態(tài)寄存器的值反映出來(lái)。這些無(wú)效塊無(wú)法確定編程時(shí)
- 關(guān)鍵字： Nand Flash 寄存器
2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存
- 由于智能手機、SSD市場(chǎng)需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲芯片市場(chǎng)的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著(zhù)上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶(hù)武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
- 關(guān)鍵字： 3D NAND
大陸發(fā)展存儲器大計三箭齊發(fā) 明年推首顆自制3D NAND芯片
- 大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開(kāi)，初步分工將由長(cháng)江存儲負責3D NAND及DRAM生產(chǎn)，武漢新芯則專(zhuān)職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長(cháng)江存儲將興建首座12吋廠(chǎng)，最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術(shù)約2個(gè)世代，然大陸終于將全面進(jìn)軍NAND Flash領(lǐng)域。 盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲器世代，但在存儲器技術(shù)改朝換代之際，大
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西數超車(chē)三星電子或點(diǎn)燃NAND價(jià)格戰
- 全球硬盤(pán)機大廠(chǎng)Western Digital(WD)和日廠(chǎng)東芝(Toshiba)合作，打算超車(chē)三星電子，搶先生產(chǎn)64層3D NAND Flash。不過(guò)外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會(huì )擴產(chǎn)淹沒(méi)市場(chǎng)，重創(chuàng )NAND價(jià)格。 巴倫(Barronˋs)11日報道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計劃搶在三星之前，生產(chǎn)64層3D NAND flash，此舉可能導致三星擴產(chǎn)還擊。報告稱(chēng)，當前三星在業(yè)界握有主導權，將密切關(guān)注WD/閃迪(WD去年收購了
- 關(guān)鍵字： 西數 NAND
第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯 價(jià)格續揚
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange)最新調查顯示，在智能手機及各種固態(tài)硬盤(pán)的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價(jià)格將持續上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格也呈現上漲，預期第四季NAND Flash業(yè)者營(yíng)收及利潤將較第三季更為出色。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉強的主要因素來(lái)自于智能手機需求的成長(cháng)。雖然iPhone 7的銷(xiāo)售
- 關(guān)鍵字： NAND 服務(wù)器
TrendForce：第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯，價(jià)格續揚
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新調查顯示，在智能手機及各種固態(tài)硬盤(pán)的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價(jià)格將持續上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格也呈現上漲，預期第四季NAND Flash業(yè)者營(yíng)收及利潤將較第三季更為出色。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉強的主要因素來(lái)自于智能手機需求的成長(cháng)。雖然iPh
- 關(guān)鍵字： TrendForce NAND
中國手機出貨強勁 推動(dòng)東芝營(yíng)業(yè)利潤預期上調一倍
- 據外媒報道，東芝今天將截至9月份的上半財年營(yíng)業(yè)利潤預期上調一倍以上至700億日元(約合6.95億美元)，此前預期為300億日元。 受此消息推動(dòng)，東芝股價(jià)在周三快速上漲，創(chuàng )下自去年10月以來(lái)的最高點(diǎn)。這是東芝第二次上調營(yíng)業(yè)利潤預期，該公司在今年5月份最初預計上半財年將營(yíng)業(yè)虧損200億日元。 智能機存儲芯片的強勁需求推動(dòng)東芝上調營(yíng)業(yè)利潤預期。另外，比東芝保守預期更為疲軟的日元匯率也發(fā)揮了推動(dòng)作用。 芯片需求的增長(cháng)源于中國智能機出貨量的強勁表現。盡管全球智能機市場(chǎng)表現乏力，但是中國智能機出
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NAND閃存需求提升 東芝調高上半年獲利預測
- 先前，因為受到連續7年作假帳風(fēng)波，因而導致公司商譽(yù)嚴重受損，并且沖擊投資人信心的日本電子大廠(chǎng)東芝(Toshiba)，28日宣布上調2016年上半年度的獲利預測，預估將上調至850億日元的水準，較原本預估的700億日元調高21.43%，每股EPS也將達到20.08日元，等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。 東芝于28日發(fā)出的消息表示，由于受惠于智能手機對于NAND閃存的提升，尤其在中國市場(chǎng)，在手機制造商不斷提升產(chǎn)品的儲存能力，所以需要性能越來(lái)越好的NAND閃存產(chǎn)品，導致相關(guān)價(jià)格的不斷上揚，如此以進(jìn)一
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三大變化為日本半導體設備產(chǎn)業(yè)增添活力
- 日媒稱(chēng)，日本半導體制造裝置協(xié)會(huì )日前宣布8月份半導體制造設備的訂貨金額(3個(gè)月移動(dòng)平均值，速報值)為1348億日元(約合人民幣90億元)，同比增長(cháng)30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來(lái)時(shí)隔29個(gè)月增長(cháng)率首次超過(guò)30%。中國半導體制造商興起、半導體的微細化、立體化這三大變化為整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了活力。另一方面，半導體設備制造商之間的優(yōu)勝劣汰也有可能變得更加明顯。 據外媒報道，“采購設備的時(shí)間提前了”，東電電子社長(cháng)河合利樹(shù)無(wú)法掩飾他對半導體制造商們強烈設備投資欲的驚訝。
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND
日媒：中國半導體制造設備市場(chǎng)大幅增長(cháng)
- 據韓聯(lián)社9月19日報道，韓國市場(chǎng)調研機構IHS和半導體業(yè)界19日消息，三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二，銷(xiāo)售額占有率為11.3%，與英特爾的差距縮小到3.4個(gè)百分點(diǎn)。 今年第二季度三星電子銷(xiāo)售額達94.52億美元，排名第一的美國英特爾半導體銷(xiāo)售額達122.72億美元，市場(chǎng)份額為14.7%。 三星與英特爾的市場(chǎng)份額差距在2012年達5.3個(gè)百分點(diǎn)，2013年為4.2個(gè)百分點(diǎn)，2014年3.4個(gè)百分點(diǎn)，2015年為3.2個(gè)百分點(diǎn)。雖然，今年第一季度差距拉大到4個(gè)百分點(diǎn)以上，但
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND
第二季NAND Flash品牌營(yíng)收排行
- 第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收較上季成長(cháng)3.4%，結束前兩季連續衰退的頹勢。 受惠于中國智慧型手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，2016年第二季eMMC、用戶(hù)級固態(tài)硬碟與企業(yè)級固態(tài)硬碟的合約價(jià)跌幅開(kāi)始收斂，通路端wafer價(jià)格更從四月起逐月走揚，第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收逆勢季成長(cháng)3.4%，結束前兩季連續衰退的頹勢。 DRAM
- 關(guān)鍵字： NAND 三星
第九代 v-nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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