第九代 v-nand 文章進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區

集邦咨詢(xún)：2023Q4 NAND 價(jià)格預估增長(cháng) 3-8%，DRAM 要開(kāi)啟增長(cháng)周期

IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來(lái)最長(cháng)的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復蘇的希望。根據集邦咨詢(xún)報道，伴隨著(zhù)主要存儲制造商的持續減產(chǎn)，已經(jīng)市場(chǎng)去庫存效果顯現，預估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后，DRAM 價(jià)格也會(huì )上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來(lái)已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現，消息稱(chēng) 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現反彈，9 月繼續上漲。行業(yè)巨頭三星繼續減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
關(guān)鍵字：存儲 DRAM NAND Flash

第二季NAND Flash營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)7.4%，預期第三季將成長(cháng)逾3%

據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，第二季NAND Flash市場(chǎng)需求仍低迷，供過(guò)于求態(tài)勢延續，使NAND Flash第二季平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP）續跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長(cháng)達19.9%，合計第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)7.4%，營(yíng)收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產(chǎn)行列，且預期第三季將擴大減產(chǎn)幅度，供給收斂的同時(shí)也在醞釀漲價(jià)，供過(guò)于求態(tài)勢有望因此獲得改善。不過(guò)，由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應商家數多，在庫存仍高的情
關(guān)鍵字： NAND Flash TrendForce

這家RISC-V快充協(xié)議芯片原廠(chǎng)宣布開(kāi)源！

隨著(zhù)PD3.1協(xié)議的市場(chǎng)應用越來(lái)越多，市場(chǎng)對PD3.1協(xié)議控制器也提出了更多的要求，如何更好地確保協(xié)議的穩定性的同時(shí)增加更多系統級功能，這對傳統PD協(xié)議控制器提出了更大的挑戰。廣芯微電子宣布開(kāi)源基于RISC-V內核的PD控制器，以支持客戶(hù)更好地部署快充系統和差異化功能。芯片框圖UM3506 SoC 芯片創(chuàng )新性地集成了基于 RISC-V ISA 的 32 位微處理器內核作為通用的集中式 TCPM 管理器。優(yōu)化后的 RISC-V 內核配合片上 FLASH 閃存/SRAM 存儲器、增強的外設和廣泛的系統資源，在
關(guān)鍵字： RISC-V 快充協(xié)議

NAND Flash第四季價(jià)格有望止跌回升

近日，三星（Samsung）為應對需求持續減弱，宣布9月起擴大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，據TrendForce集邦咨詢(xún)調查，其他供應商預計也將跟進(jìn)擴大第四季減產(chǎn)幅度，目的加速庫存去化速度，預估第四季NAND Flash均價(jià)有望因此持平或小幅上漲，漲幅預估約0~5%。價(jià)格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢(xún)預測，NAND Flash價(jià)格反彈會(huì )早于DRAM，由于NAND Flash供應商虧損持續擴大，銷(xiāo)售價(jià)格皆已接近生產(chǎn)成本，供應商為了維持營(yíng)運而選擇擴大減產(chǎn)，以期帶動(dòng)價(jià)
關(guān)鍵字： NAND Flash Wafer TrendForce

蘋(píng)果與Arm達成長(cháng)期協(xié)議，加強合作的同時(shí)不忘布局RISC-V

9月6日，軟銀旗下芯片設計公司Arm提交給美國證券交易委員會(huì )（SEC）的首次公開(kāi)募股（IPO）文件顯示，蘋(píng)果已與Arm就芯片技術(shù)授權達成了一項“延續至2040年以后”的新合作協(xié)議。目前，Arm拒絕就其提交文件以外的內容發(fā)表評論，蘋(píng)果也沒(méi)有立即回復置評請求。Arm IPO吸引各路巨頭Arm在科技行業(yè)扮演著(zhù)不可或缺的角色，它將其芯片設計授權給包括蘋(píng)果在內的500多家公司，已經(jīng)占據了智能手機芯片領(lǐng)域95%以上的市場(chǎng)份額，包括平板電腦等，實(shí)際上已經(jīng)完全控制了整個(gè)移動(dòng)芯片領(lǐng)域。從Apple Watch到iPhone
關(guān)鍵字：蘋(píng)果 Arm RISC-V IPO 軟銀

Milk-V 推出 Meles SBC：配 2GHz 平頭哥 TH1520 四核 RISC-V 處理器

IT之家 9 月 6 日消息，Milk-V 近日推出了名為 Meles 的單板計算機（SBC），其外觀(guān)接近于樹(shù)莓派 Model B。Meles 的大小和端口均和樹(shù)莓派 Model B 類(lèi)似，只是并沒(méi)有使用基于 ARM 的處理器，而是使用基于 RISC-V 架構的 2GHz 平頭哥曳影 T-Head TH1520 四核處理器。IT之家在此附上 Meles 單板計算機端口如下：1 個(gè) HDMI 2.0 端口1 個(gè)千兆端口4 個(gè) USB 3.0 主機端口1 個(gè) USB 2.0 Type-C 端口1 個(gè)
關(guān)鍵字： RISC-V

RISC-V邁入高性能，量產(chǎn)落地是關(guān)鍵！

這是最好的一屆RISC-V中國峰會(huì )，雖已落幕一周，但它流傳的故事依舊激昂人心，它引發(fā)的話(huà)題仍未褪色，它帶來(lái)的啟發(fā)依舊值得我們細細品味。后摩爾時(shí)代，芯片制造工藝遭遇瓶頸，在產(chǎn)業(yè)從技術(shù)到商業(yè)不斷循環(huán)的“Tick-Tock”式迭代規律下，RISC-V開(kāi)源指令集橫空出世，開(kāi)辟了芯片商業(yè)模式更迭的嶄新篇章。如今，萬(wàn)物互聯(lián)已成必然，計算場(chǎng)景復雜多變，RISC-V設計的初衷便是覆蓋各種計算場(chǎng)景，這與時(shí)代需求完美契合。無(wú)論從商業(yè)還是技術(shù)角度， RISC-V進(jìn)入高性能應用場(chǎng)景已成必然。在2
關(guān)鍵字： RISC-V 賽昉科技

使用NAND門(mén)的基本邏輯門(mén)

邏輯門(mén)主要有三種類(lèi)型，即 AND 門(mén)、OR 門(mén)和 NOT 門(mén)。每種邏輯門(mén)都有自己不同的邏輯功能。因此，在這些基本邏輯門(mén)的幫助下，我們可以得到任何邏輯函數或任何布爾或其他邏輯表達式?；具壿嬮T(mén)的真值表：了解每個(gè)邏輯門(mén)的功能對熟悉轉換非常重要。1.NOT 邏輯門(mén)：這種邏輯門(mén)是數字邏輯電路中最簡(jiǎn)單的一種。該邏輯門(mén)只有兩個(gè)端子，一個(gè)用于輸入，另一個(gè)用于輸出。門(mén)的輸入是二進(jìn)制數，即只能是 1 或 0。邏輯門(mén)輸出端的輸出總是與輸入端相反，也就是說(shuō)，如果輸入端為 1，則輸出端為 0，反之亦然?？赡艹霈F的級數由 2a 計
關(guān)鍵字： NAND 邏輯門(mén)

NAND 原廠(chǎng)過(guò)夠了「苦日子」，有晶圓合約成功漲價(jià) 10%

廠(chǎng)家期待觸底后的反彈早日到來(lái)。
關(guān)鍵字： NAND Flash

Vishay推出具有業(yè)內先進(jìn)性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計算應用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導通電阻比前代器件降低48.2%，同時(shí)導通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數是650?V MOSFET在功率轉換應用中的重要優(yōu)值系數（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉換過(guò)程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
關(guān)鍵字： Vishay 650 V 功率MOSFET

采用NAND和NOR門(mén)的SR觸發(fā)器

在本教程中，我們將討論數字電子學(xué)中的基本電路之一--SR 觸發(fā)器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門(mén)的 SR 觸發(fā)器的基本電路、其工作原理、真值表、時(shí)鐘 SR 觸發(fā)器以及一個(gè)簡(jiǎn)單的實(shí)時(shí)應用。電路簡(jiǎn)介我們迄今為止看到的電路，即多路復用器、解復用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗發(fā)生器和校驗器等，都被稱(chēng)為組合邏輯電路。在這類(lèi)電路中，輸出只取決于輸入的當前狀態(tài)，而不取決于輸入或輸出的過(guò)去狀態(tài)。除了少量的傳播延遲外，當輸入發(fā)生變化時(shí)，組合邏輯電路的輸出立即發(fā)生變化。還有一類(lèi)電路，其輸出不僅取決于當前的輸入，還取決
關(guān)鍵字： NAND NOR門(mén) SR觸發(fā)器

RISC-V工委會(huì )正式成立

據賽昉科技官微消息，8月31日，中國電子工業(yè)標準化技術(shù)協(xié)會(huì )RISC-V工作委員會(huì )正式成立。RISC-V工委會(huì )是從事RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域相關(guān)單位及組織等自愿組成的全國性、行業(yè)性、非營(yíng)利性社會(huì )團體，是中國電子工業(yè)標準化技術(shù)協(xié)會(huì )（簡(jiǎn)稱(chēng)“中電標協(xié)”）所屬分支機構。消息顯示，RISC-V 工委會(huì )的宗旨為發(fā)揮在產(chǎn)業(yè)組織、行業(yè)自律方面的作用，為RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的標準研制、標準符合性評估、知識產(chǎn)權保護、人才培養、產(chǎn)業(yè)研究等方面支撐服務(wù)，引導國內RISC-V 產(chǎn)業(yè)從無(wú)序競爭走向協(xié)同創(chuàng )新，形成產(chǎn)業(yè)合力，實(shí)
關(guān)鍵字： RISC-V 工委會(huì )

國家支持，RISC-V 工委會(huì )正式成立

IT之家 8 月 31 日消息，據賽昉科技消息，8 月 31 日，中國北京 —— 中國電子工業(yè)標準化技術(shù)協(xié)會(huì ) RISC-V 工作委員會(huì )正式成立，賽昉科技當選副會(huì )長(cháng)單位。中國電子工業(yè)標準化技術(shù)協(xié)會(huì ) RISC-V 工作委員會(huì )，簡(jiǎn)稱(chēng)：RISC-V 工委會(huì )，英文名稱(chēng)為 RISC-V Ecosystem & Industry of China Electronics Standardization Association，縮寫(xiě)：RVEI，是從事 RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域相關(guān)單位及組織等自愿
關(guān)鍵字： RISC-V

三星明年將升級NAND核心設備供應鏈

據媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其N(xiāo)AND核心設備供應鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設備運行測試。?三星平澤P1工廠(chǎng)未來(lái)大部分產(chǎn)線(xiàn)將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的第8代V-NAND，同時(shí)正在將日本東京電子（TEL）的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線(xiàn)，此次采購的TEL設備是用于整個(gè)半導體工藝的蝕刻設備。三星的半導體產(chǎn)品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結束時(shí)，三星旗下設備解決方案部門(mén)的庫存已增至
關(guān)鍵字：三星 NAND 閃存

3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及超過(guò) 300 字線(xiàn)的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤(pán)的數據傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
關(guān)鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND