第九代 v-nand 文章進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區

基于形式驗證的高效RISC-V處理器驗證方法

RISC-V的開(kāi)放性允許定制和擴展基于 RISC-V 內核的架構和微架構，以滿(mǎn)足特定需求。這種對設計自由的渴望也正在將驗證部分的職責轉移到不斷壯大的開(kāi)發(fā)人員社群。然而，隨著(zhù)越來(lái)越多的企業(yè)和開(kāi)發(fā)人員轉型RISC-V，大家才發(fā)現處理器驗證絕非易事。新標準由于其新穎和靈活性而帶來(lái)的新功能會(huì )在無(wú)意中產(chǎn)生規范和設計漏洞，因此處理器驗證是處理器開(kāi)發(fā)過(guò)程中一項非常重要的環(huán)節。在復雜性一般的RISC-V 處理器內核的開(kāi)發(fā)過(guò)程中，會(huì )發(fā)現數百甚至數千個(gè)漏洞。當引入更多高級特性的時(shí)候，也會(huì )引入復雜程度各不相同的新漏洞。而某些類(lèi)
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需求持續下修，第一季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌16.1%

據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，第一季NAND Flash買(mǎi)方采購動(dòng)能保守，供應商持續透過(guò)降價(jià)求售，但第一季NAND Flash位元出貨量?jì)H微幅環(huán)比增長(cháng)2.1%，平均銷(xiāo)售（ASP）單價(jià)季減15%，合計NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約86.3億美元，環(huán)比減少16.1%。SK集團（SK hynix & Solidigm）及西部數據（WDC）量?jì)r(jià)齊跌，沖擊營(yíng)收表現，環(huán)比下降均逾兩成。SK集團受淡季及削價(jià)競爭影響，第一季NAND Flash營(yíng)收僅13.2億美元，環(huán)比減少24.8%
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強攻安卓高階市場(chǎng) SONY發(fā)表Xperia 1 V旗艦新機

Sony年度旗艦新機Xperia 1 V今日正式在臺推出，今年4月上任以來(lái)首次參與中國臺灣Xperia手機的上市發(fā)表的Sony Mobile中國臺灣區總經(jīng)理筒塩具隆 (Tomotaka Tsutsushio)表示，Xperia 1系列致力滿(mǎn)足安卓高階旗艦手機的市場(chǎng)需求，透過(guò)近年來(lái)集團內部的業(yè)務(wù)整合，Xperia 1系列歷代的產(chǎn)品設計和技術(shù)創(chuàng )新持續在拍照、錄像、游戲、音樂(lè )等領(lǐng)域帶給消費者引領(lǐng)業(yè)界的全方位行動(dòng)娛樂(lè )產(chǎn)品。Xperia 1 V采用Sony集團全新開(kāi)發(fā)的雙層式架構感光組件，同時(shí)整合Sony領(lǐng)先的相機
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歐洲RISC-V處理器流片：216核心不需要風(fēng)扇散熱

5月9日消息，歐洲航天局(ESA)贊助、瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院和意大利博洛尼亞大學(xué)共同開(kāi)發(fā)的“Occany”(鳥(niǎo)蛇)處理器，現已流片。這顆處理器基于開(kāi)源開(kāi)放的RISC-V架構，GlobalFoundries 12nm LPP低功耗工藝，chiplet小芯片設計，2.5D封裝，雙芯片共集成多達216個(gè)核心，晶體管數量達10億個(gè)，而面積僅為73平方毫米。同時(shí)，它還集成了未公開(kāi)數量的64位FPU浮點(diǎn)單元，整合兩顆美光的16GB HBM2e高帶寬內存。硅中介層面積26.3 x 23.05毫米，制造工藝為65nm，
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NAND閃存主控芯片供應商2023年第1季財報出爐

據中國臺灣《經(jīng)濟日報》報道，全球NAND閃存主控芯片供應商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財報，營(yíng)收1億2407萬(wàn)美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬(wàn)美元。報道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示，包括NAND大廠(chǎng)在內的主要客戶(hù)，目前一致認為市況仍極具挑戰。PC和智能手機終端市場(chǎng)持續呈現疲弱，上下游供應鏈皆將重心放在去化庫存，包括消費級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設備供應商，因此影響相關(guān)控制芯片的營(yíng)收。茍嘉章認為，見(jiàn)到一些客戶(hù)的下單模式從第2季開(kāi)始有所改善，再加
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3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)

5 月 5 日消息，鎧俠和西數展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過(guò) 300 條字線(xiàn)的 3D NAND IC。根據其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過(guò) 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數據還合作開(kāi)發(fā)具有超過(guò) 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗性的 3D NAND IC，通過(guò)金屬誘導側向
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歐盟前沿性NimbleAI項目采用定制RISC-V處理器

隨著(zhù)越來(lái)越多的研究伙伴加入以及新技術(shù)和新產(chǎn)品的不斷披露，歐盟于2022年底啟動(dòng)的NimbleAI這一前沿項目在喧囂的GPT熱潮中，開(kāi)始展現出一條新的智能化和數字化轉型之道。NimbleAI旨在推動(dòng)神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)（neuromorphic vision）傳感和處理技術(shù)的發(fā)展和研究。作為一種創(chuàng )新的視覺(jué)感知和處理技術(shù)，神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)參考了生物系統工作方式，通過(guò)檢測動(dòng)態(tài)場(chǎng)景中的變化來(lái)決定是否更細致地查看捕捉到的內容，而不是花費大量資源區連續分析整個(gè)場(chǎng)景，從而節省大量資源和大幅度縮短延遲。盡管NimbleAI是一個(gè)啟動(dòng)
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復旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

4月27日，上海復旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線(xiàn)上發(fā)布會(huì )，推出FM25/FM29系列SLC NAND，FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車(chē)規FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿(mǎn)足6萬(wàn)次擦寫(xiě)次數和數據保存10年的高可靠性要求，應用于工規、5G通訊、車(chē)載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、
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先進(jìn)封裝推動(dòng) NAND 和 DRAM 技術(shù)進(jìn)步

先進(jìn)封裝在內存業(yè)務(wù)中變得越來(lái)越重要。
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“這一次芯片浪潮，我們沒(méi)有掉隊”，中國加速布局開(kāi)源芯片RISC-V生態(tài)

近日，2022年圖靈獎頒給了“以太網(wǎng)之父”、3Com公司創(chuàng )始人羅伯特·梅特卡夫。他研發(fā)的以太網(wǎng)設備及其協(xié)議，允許設備連接到局域網(wǎng)并共享打印機和文件等資源，極大降低了網(wǎng)絡(luò )連接成本。在中國開(kāi)放指令生態(tài)（RISC-V）聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)、中科院計算技術(shù)研究所研究員包云崗看來(lái)，以太網(wǎng)成功的最大啟示是做開(kāi)放標準，它為下一步創(chuàng )新提供平臺、拓展市場(chǎng)、繁榮生態(tài)，其背后的開(kāi)源文化實(shí)則是一種生產(chǎn)方式的革新。在日前舉行的開(kāi)源硬件與新一代工業(yè)革命論壇上，專(zhuān)家表示，開(kāi)源作為一種創(chuàng )新協(xié)作模式不僅引發(fā)了軟件產(chǎn)業(yè)變革，未來(lái)還將引發(fā)硬件、數據、算
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是否存在用于 RISC-V 驗證的必要工具？

現有可用于 RISC-V 的工具可能不是最有效或最高效的。怎么辦？
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預估第二季NAND Flash均價(jià)續跌5~10%，能否止跌端看下半年需求

即便原廠(chǎng)持續進(jìn)行減產(chǎn)，然需求端如服務(wù)器、智能手機、筆電等需求仍未見(jiàn)起色，NAND Flash市場(chǎng)仍處在供給過(guò)剩狀態(tài)，故TrendForce集邦咨詢(xún)預估，第二季NAND Flash均價(jià)仍將持續下跌，環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續恢復供需平衡的關(guān)鍵在于原廠(chǎng)是否有更大規模的減產(chǎn)，TrendForce集邦咨詢(xún)認為若目前需求端未再持續下修，NAND Flash均價(jià)有機會(huì )在第四季止跌反彈，反之，若旺季需求端持續疲弱，均價(jià)反彈時(shí)間恐再延后。Client SSD方面，目前PC OEM零部件庫存去化已見(jiàn)成
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2023年內存芯片趨勢

2023 年，存儲芯片的跌勢仍在延續，何時(shí)止跌還是未知數。
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NAND Flash 大降價(jià)，固態(tài)硬盤(pán)取代機械硬盤(pán)指日可待

相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了，目前市場(chǎng)上很多固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤(pán)所需的 NAND 芯片降價(jià)導致的。根據集邦咨詢(xún)的數據顯示，NAND Flash 市場(chǎng)自 2022 年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季 NAND Flash 合約價(jià)格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)）是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)并不是什么好消息，但對于普通消費者來(lái)說(shuō)，我們確實(shí)能買(mǎi)到更便宜的固態(tài)
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