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第九代 v-nand
第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區
(2023.3.20)半導體周要聞-莫大康

- 半導體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非:華為三年完成了13000型號器件的替代開(kāi)發(fā)近日,華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮,為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎,華為總裁任正非發(fā)表了講話(huà),部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀要。任正非表示,在美國制裁華為這三年期間,華為完成 13000 + 型號器件的替代開(kāi)發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開(kāi)發(fā)等,直到現在電路板才穩定下來(lái),因為有了國產(chǎn)的零部件供應。任正非表示,華為現在還屬于困難時(shí)期,但在前進(jìn)的道路上并沒(méi)有停步。
- 關(guān)鍵字: 莫大康 半導體 華為 光刻機 NAND
存儲器廠(chǎng)商Q1虧損恐難逃

- 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續跌,加上庫存水位過(guò)高,終端消費支出持續放緩,據外電消息,韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數十億美元虧損。法人指出,南亞科(2408)及華邦電(2344)因減產(chǎn)及跌價(jià)導致?tīng)I收及毛利率持續下滑,第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據外電報導,三星電子3月19日提交給韓國金融監督院的申報文件中指出,截至去年第四季,整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元(約折合399億美元),遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng )下歷史新高。其中,占三星營(yíng)收比重最高的半導
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存儲大廠(chǎng)展示300層NAND Flash,預計最快2024年問(wèn)世
- 近日,在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會(huì )議(ISSCC)上,韓國存儲器大廠(chǎng)SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市,有望打破紀錄。外媒報導,SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開(kāi)發(fā),提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2單位容量、16KB單頁(yè)容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s,較上一代238層堆疊和164MB/
- 關(guān)鍵字: 300層 NAND Flash SK海力士
(2023.3.20)半導體周要聞-莫大康
- 半導體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非:華為三年完成了13000型號器件的替代開(kāi)發(fā)近日,華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮,為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎,華為總裁任正非發(fā)表了講話(huà),部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀要。任正非表示,在美國制裁華為這三年期間,華為完成 13000 + 型號器件的替代開(kāi)發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開(kāi)發(fā)等,直到現在電路板才穩定下來(lái),因為有了國產(chǎn)的零部件供應。任正非表示,華為現在還屬于困難時(shí)期,但在前進(jìn)的道路上并沒(méi)有停步
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均價(jià)跌幅擴大,2022年第四季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌25%

- TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查顯示,NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng),供應鏈積極去化庫存加以應對,此情況導致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%,其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品,跌幅約23~28%。在原廠(chǎng)積極降價(jià)求量的同時(shí),客戶(hù)為避免零部件庫存再攀高,備貨態(tài)度消極,使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長(cháng)僅5.3%,平均銷(xiāo)售單價(jià)環(huán)比減少22.8%,2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比下跌25.0%,達
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Codasip和IAR強強聯(lián)手,共同演示用于RISC-V的雙核鎖步技術(shù)

- 德國紐倫堡,2023年嵌入式世界展會(huì )(Embedded World 2023),2023年3月14日——Codasip和IAR共同宣布將強強聯(lián)手為低功耗嵌入式汽車(chē)應用提供全新的創(chuàng )新支持,雙方將聯(lián)手為客戶(hù)提供屢獲殊榮的Codasip L31內核和獲得安全性認證的最新版本IAR Embedded Workbench for RISC-V開(kāi)發(fā)工具鏈。此次合作可為汽車(chē)應用開(kāi)發(fā)人員提供一條便捷之道,以幫助他們推出基于多功能的Codasip L31內核且符合ISO 26262認證標準的嵌入式應用。Codasip的雙內
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與x86、Arm并列!中國聯(lián)通加盟RISC-V
- 近日,中國聯(lián)通官方宣布,正式加入CRVIC聯(lián)盟,計劃積極布局RISC-V領(lǐng)域。CRVIC聯(lián)盟成立于2018年,得到了上海市經(jīng)信委、國家集成電路創(chuàng )新中心、上海集成電路行業(yè)協(xié)會(huì )等機構的指導支持,成員包括RISC-V領(lǐng)域的重點(diǎn)企業(yè)、高校、研究院所、投資機構、社會(huì )組織等。聯(lián)盟的目標是加速?lài)鴥萊ISC-V產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,建立中國國產(chǎn)自主、可控、安全的RISC-V計算平臺,促進(jìn)形成貫穿IP核、芯片、軟件、系統、應用等環(huán)節的RISC-V產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈。中國聯(lián)通表示,RISC-V技術(shù)能夠與5G技術(shù)深度結合,逐步應用于包括RedC
- 關(guān)鍵字: 中國聯(lián)通 RISC-V 指令集 ARM x86 架構
布局 RISC-V 領(lǐng)域,中國聯(lián)通加入中國 RISC-V 產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟
- IT之家 3 月 13 日消息,中國聯(lián)通官方今日表示,積極布局 RISC-V 領(lǐng)域,于今年 3 月正式加入 CRVIC 聯(lián)盟。中國聯(lián)通表示,CRVIC 聯(lián)盟(IT之家注:China RISC-V Industry Consortium,中國 RISC-V 產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟)是國內 RISC-V 領(lǐng)域具有較高影響力的組織。據介紹,該聯(lián)盟是在上海市經(jīng)信委、國家集成電路創(chuàng )新中心、上海集成電路行業(yè)協(xié)會(huì )的指導支持下,由國內外 RISC-V 領(lǐng)域重點(diǎn)企業(yè)、高校、研究院所、投資機構和社會(huì )組織于 2018 年 9 月
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openEuler 加入 RISC-V Landscape,相關(guān)技術(shù)已完成生態(tài)適配

- IT之家 3 月 10 日消息,開(kāi)源歐拉 openEuler 宣布已加入 RISC-V Landscape(可點(diǎn)此鏈接訪(fǎng)問(wèn))。此次加入 RISC-V Landscape,意味著(zhù) openEuler 在對 RISC-V 架構的生態(tài)適配得到了 RISC-V 基金會(huì )的認可,相關(guān)技術(shù)已與 RISC-V 生態(tài)完成適配。目前 openEuler 已經(jīng)推出多個(gè)基于 openEuler 開(kāi)發(fā)的 RISC-V 架構的發(fā)行版。未來(lái),openEuler 將繼續探索在 RISC-V 架構處理器上的更多可能。今年 2 月
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2023 年是 RISC-V 的突破年
- 隨著(zhù) RISC-V 的不斷發(fā)展,未來(lái)十年的情況將大不相同。
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打破美國芯片管制?阿里巴巴芯片部門(mén)及支付寶將發(fā)布安全支付計算芯片
- FX168財經(jīng)報社(北美)訊 阿里巴巴集團控股的芯片部門(mén)T-Head和支付寶(阿里巴巴金融子公司螞蟻集團旗下的支付服務(wù))將發(fā)布基于RISC-V指令集架構的安全支付計算芯片。美國針對中國半導體行業(yè)實(shí)施出口限制后,中國企業(yè)繼續在芯片領(lǐng)域大舉投資。支付寶和T-Head周四(3月2日)表示,該芯片將嵌入硬件設備,用于增強移動(dòng)支付功能。支付寶發(fā)言人沒(méi)有透露這款芯片的發(fā)布日期,但表示將很快用于商用硬件設備,并補充說(shuō),這款芯片將與其他芯片設計公司合作生產(chǎn)。阿里巴巴云計算部門(mén)旗下的T-Head于2019年首次推出了基于R
- 關(guān)鍵字: 阿里巴巴 支付寶 RISC-V
支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng )新

- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝(用于移動(dòng)應用程序、數據中心和人工智能)的性能,就需要對架構、材料和核心制造流程進(jìn)行復雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料,包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料,以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(cháng)。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線(xiàn)太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺,包括一個(gè)或多
- 關(guān)鍵字: 3D NAND DRAM 5nm SoC
自主 搶先!openKylin率先布局RISC-V辦公
- 作為麒麟軟件主導成立的國內首個(gè)桌面操作系統根社區, openKylin(開(kāi)放麒麟)今天官方宣布,率先布局基于RISC-V架構的新一代桌面辦公場(chǎng)景生態(tài),遷移適配開(kāi)源應用生態(tài),并協(xié)同平頭哥、釘釘等商業(yè)生態(tài)伙伴布局基本可用的桌面辦 公場(chǎng)景應用。openKylin社區自2022年6月成立起,就持續關(guān)注、投入RISC-V架構的生態(tài)建設,一方面逐步打磨OS產(chǎn)品特性、遷移適配Firefox等開(kāi)源軟件,另一方面與阿里巴巴旗下的平頭哥、釘釘等軟硬件廠(chǎng)商開(kāi)展多次洽談,推動(dòng)深入合作,軟硬件協(xié)同發(fā)展。
- 關(guān)鍵字: openKylin 開(kāi)放麒麟 RISC-V
國產(chǎn) MCU 先楫 HPM6200 系列發(fā)布:RISC-V 架構,頻率達 600MHz

- IT之家 2 月 19 日消息,上海先楫半導體 HPMicro 近日發(fā)布了全新的(MCU)通用微控制器 HPM6200 系列。HPM6200 系列共有 12 種產(chǎn)品型號,包括單核和雙核產(chǎn)品,提供 144 LQFP 及 116 BGA 兩種封裝 (與先楫已量產(chǎn)的 HPM6300 系列管腳兼容),有內置閃存(4MB)和無(wú)內置閃存選項。HPM6200 全線(xiàn)產(chǎn)品通過(guò) AEC-Q100 認證,工作溫度范圍在-40°C~125°C。更多的產(chǎn)品信息如下:RISC-V 雙核支持雙精
- 關(guān)鍵字: MCU RISC-V
第九代 v-nand介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對第九代 v-nand的理解,并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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