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第三代半導體
第三代半導體 文章 進(jìn)入第三代半導體技術(shù)社區
搶奪賽位，第三代半導體戰局激烈
- 目前，第三代半導體是全球戰略競爭新的制高點(diǎn)，也是各地區的重點(diǎn)扶持行業(yè)，意法半導體、英飛凌、安世半導體、三安光電等頭部廠(chǎng)商順勢而上，加速布局第三代半導體，市場(chǎng)戰火已燃，一場(chǎng)群雄逐鹿之戰正在上演。多方來(lái)戰，“直搗”三代半核心環(huán)節第三代半導體欣欣向榮，八方入局，搶奪市場(chǎng)重要賽位，擁抱巨大增量市場(chǎng)。業(yè)界認為，面對下游行業(yè)需求的爆發(fā)，提升工藝及良率，擴大晶圓產(chǎn)能是行業(yè)當務(wù)之急。第三代半導體產(chǎn)能供應緊張，三安/意法等大廠(chǎng)在前線(xiàn)沖鋒：英飛凌將拋出70億歐元（約544.24億元人民幣），部署馬來(lái)西亞地區產(chǎn)能，其馬來(lái)西亞居
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第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動(dòng)方案
- 第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動(dòng)方案相比傳統的硅MOSFET，SiC MOSFET可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。新能源、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅動(dòng)方案備受關(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性，也意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅動(dòng)方案展開(kāi)了解，其中包括驅動(dòng)過(guò)電流、過(guò)電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
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第三代半導體市場(chǎng)規模持續增長(cháng)，2024慕尼黑上海電子展提供產(chǎn)業(yè)發(fā)展探討平臺
- 近年來(lái)，我國信息技術(shù)得到迅猛發(fā)展，第三代半導體作為其中的關(guān)鍵器件起著(zhù)重要作用。政策方面國家出臺了一系列相關(guān)政策旨在大力提升先進(jìn)計算、新型智能終端、超高清視頻、網(wǎng)絡(luò )安全等數字優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)競爭力，積極推進(jìn)光電子、高端軟件等核心基礎產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新突破，這大大提高了對第三代半導體的需求。預計未來(lái)，隨著(zhù)互聯(lián)網(wǎng)與信息技術(shù)的持續進(jìn)步，對第三代半導體的需求會(huì )越來(lái)越高， 2023年到2028年的復合增長(cháng)率將達到30.83%，整體市場(chǎng)規模呈穩定持續增長(cháng)趨勢。圖源丨智研咨詢(xún)5G通信基站驅動(dòng)射頻器件業(yè)務(wù)持續擴張無(wú)線(xiàn)通訊基礎設施是氮化鎵射頻
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SEMICON2024收官，第三代半導體賽道競爭激烈！
- 3月20日，春分時(shí)期，萬(wàn)物復蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開(kāi)了序幕?，F場(chǎng)一片繁忙熱鬧，據悉本次展會(huì )面積達90000平方米，共有1100家展商、4500個(gè)展位和20多場(chǎng)會(huì )議及活動(dòng)涉及了IC制造、功率及化合物半導體、先進(jìn)材料、芯車(chē)會(huì )等多個(gè)專(zhuān)區。本次展會(huì )中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據全球半導體觀(guān)察不完全統計，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來(lái)了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導體、天岳先進(jìn)、天科合達等企業(yè)，設備端則如晶盛機電、中微公司
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GaN企業(yè)，出售！
- 近日，美國GaN器件廠(chǎng)商O(píng)dyssey宣布出售公司資產(chǎn)。目前，Odyssey已與客戶(hù)簽署最終協(xié)議，將其大部分資產(chǎn)出售給一家大型半導體公司，交易金額為952萬(wàn)美元，目前買(mǎi)家信息處于保密狀態(tài)。資料顯示，Odyssey成立于2019年，專(zhuān)注基于專(zhuān)有的氮化鎵（GaN）處理技術(shù)開(kāi)發(fā)高壓功率開(kāi)關(guān)元件和系統，擁有一座面積為1萬(wàn)平方英尺的半導體晶圓制造廠(chǎng)，配備了一定比例的1000級和10000級潔凈空間以及先進(jìn)半導體開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)工具，致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化鎵場(chǎng)效應晶體管。償還貸款和交易費用后，公司預
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全球GaN最新應用進(jìn)展！
- 自2018年10月25日，Anker發(fā)布全球首款GaN充電器，將GaN正式引入消費電子領(lǐng)域以來(lái)，短短幾年間，各大GaN廠(chǎng)商紛紛涉足相關(guān)產(chǎn)品。當前，GaN消費電子產(chǎn)品市場(chǎng)已是一片紅海，競爭日趨激烈。面對GaN在消費電子領(lǐng)域應用現狀，相關(guān)企業(yè)開(kāi)始尋求新的增量市場(chǎng)，GaN技術(shù)應用由此逐步向新能源汽車(chē)、光伏、數據中心等其他應用場(chǎng)景延伸。GaN的特殊價(jià)值，正在消費電子之外的多個(gè)領(lǐng)域持續釋放。01GaN正在加速“上車(chē)”在汽車(chē)電動(dòng)化與智能化趨勢下，汽車(chē)搭載的電子電力系統越來(lái)越多。而與傳統硅材料相比，基于GaN材料制備的
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全球加速碳化硅產(chǎn)能擴充
- 受惠于下游應用市場(chǎng)的強勁需求，碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速成長(cháng)期。據TrendForce集邦咨詢(xún)預期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源。近期，備受關(guān)注的碳化硅市場(chǎng)又有了新動(dòng)態(tài)，涉及三菱電機、美爾森、芯粵能等企業(yè)。三菱電機SiC工廠(chǎng)預計4月開(kāi)建據日經(jīng)新聞近日報道，三菱電機將于今年4月，在日本熊本縣開(kāi)工建設新的8英寸SiC工廠(chǎng)，并計劃于2026年4月投入運營(yíng)。2023年3月，三菱電機宣布，計劃在5年內投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設一個(gè)
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第三代半導體項目遍地開(kāi)花
- 近日，多個(gè)第三代半導體項目迎來(lái)最新進(jìn)展。其中，重投天科第三代半導體項目、山東菏澤砷化鎵半導體晶片項目投資資金超30億?？偼顿Y32.7億元，重投天科第三代半導體項目在深圳寶安啟用據濱海寶安消息，2月27日，第三代半導體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區啟用，其由深圳市重投天科半導體有限公司建設運營(yíng)，將進(jìn)一步補強深圳第三代半導體“虛擬全產(chǎn)業(yè)鏈（VIDM）”，助力廣東打造國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展“第三極”。濱海寶安消息顯示，該項目2021年11月開(kāi)工建設，2022年11月關(guān)鍵生產(chǎn)區域廠(chǎng)房結構封頂，2023年6月襯底產(chǎn)線(xiàn)
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基于第三代半導體射頻微系統芯片研究項目啟動(dòng)
- 據云塔科技官微消息，1月15日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“戰略性科技創(chuàng )新合作”重點(diǎn)專(zhuān)項“基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統芯片研究”項目啟動(dòng)會(huì )暨實(shí)施方案論證會(huì )在云塔科技（安努奇）舉行。據悉，該項目是由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)牽頭，香港科技大學(xué)作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位，共同開(kāi)展聯(lián)合攻關(guān)。面向國家在高頻、大帶寬和高功率密度戰略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求，開(kāi)展基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁（GaN/AlScN）異質(zhì)集成射頻微系統
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安森美：緊握第三代半導體市場(chǎng)，助力產(chǎn)業(yè) 轉型與可持續發(fā)展
- 1 轉型成功的2023得益于成功的戰略轉型，在汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)增長(cháng)的 推動(dòng)下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績(jì)都超預期。 其中，第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統 (ADAS) 和能源基 礎設施終端市場(chǎng)帶來(lái)的收入均同比增長(cháng)約 50%，在第 二季度汽車(chē)業(yè)務(wù)收入超 10 億美元，同比增長(cháng) 35%，創(chuàng ) 歷史新高，第三季度汽車(chē)和工業(yè)終端市場(chǎng)都實(shí)現創(chuàng )紀錄 收入。安森美大中華區銷(xiāo)售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導體領(lǐng)域，安森美專(zhuān)注于 SiC，重點(diǎn)聚 焦于汽車(chē)、能源、電網(wǎng)基礎設施等應
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韓國晶圓代工大廠(chǎng)加快第三代半導體布局！
- 據韓媒ETnews消息，近日，韓國晶圓代工大廠(chǎng)東部高科（DB HiTek）聘請了一位來(lái)自安森美的功率半導體專(zhuān)家。業(yè)內人士透露，東部高科聘請了安森美半導體前技術(shù)開(kāi)發(fā)高級總監Ali Salih，并讓他負責氮化鎵（GaN）工藝開(kāi)發(fā)。Salih是一位功率半導體工藝開(kāi)發(fā)人員，擁有約20年的行業(yè)經(jīng)驗，曾在電氣與電子工程師學(xué)會(huì ) (IEEE) 上發(fā)表過(guò)有關(guān)功率半導體的重要論文。東部高科聘請Salih是為了加快GaN業(yè)務(wù)的技術(shù)開(kāi)發(fā)和商業(yè)化。這項任命旨在加強第三代功率半導體業(yè)務(wù)的技術(shù)開(kāi)發(fā)和商業(yè)化。功率半導體業(yè)務(wù)目前占東部高科
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總投資10億 正齊半導體年產(chǎn)6萬(wàn)顆功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項目落地
- 正齊半導體杭州項目將在開(kāi)發(fā)區投資建設第三代半導體模塊工廠(chǎng)，項目首期投資3000萬(wàn)美元，總投資額將達10億元人民幣。10月23日消息，近日，正齊半導體年產(chǎn)6萬(wàn)顆高階功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項目正式落地蕭山經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區。正齊半導體杭州項目將在開(kāi)發(fā)區投資建設第三代半導體模塊工廠(chǎng)。項目首期投資3000萬(wàn)美元，總投資額將達10億元人民幣，規劃建設10條智能化模塊封裝生產(chǎn)與組裝線(xiàn)，滿(mǎn)足車(chē)規級與航天級的模塊生產(chǎn)線(xiàn)要求，每年將生產(chǎn)6萬(wàn)顆高端航天及車(chē)規級IGBT與碳化硅芯片、模塊及器件等產(chǎn)品。該工廠(chǎng)將采用與合作廠(chǎng)商共同研制的驅動(dòng)
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中國香港地區將建首個(gè)具規模的半導體晶圓廠(chǎng)
- 香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導體簽署合作備忘錄，設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心。大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心，并投資開(kāi)設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠(chǎng)，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據悉，該項目總投資額約69億港元，計劃到2028年年產(chǎn)24萬(wàn)片碳化硅晶圓，帶動(dòng)年產(chǎn)值超過(guò)110億港元，并創(chuàng )造超過(guò)700個(gè)本地和
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基于ST CCM PFC L4986A 設計的1KW 雙BOOST PFC電源方案
- L4986簡(jiǎn)介：L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器，采用專(zhuān)有的乘法器“模擬器”，除了創(chuàng )新型THD優(yōu)化器，還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真（THD）性能。該器件引腳采用SO封裝，集成了800V 高壓?jiǎn)?dòng)功能，無(wú)需使用傳統的放電電阻?？梢灾С值墓β史秶鷱囊粌砂偻叩綆浊?。 ST 提供兩個(gè)版本：A為65 kHz，B為130 kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡(jiǎn)介：Double-boost 是無(wú)橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋，可以顯著(zhù)提
- 關(guān)鍵字： ST SIC 第三代半導體 CCM PFC 4986 電動(dòng)工具 割草機 雙boost double boost 無(wú)橋PFC
第三代半導體介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條第三代半導體!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對第三代半導體的理解，并與今后在此搜索第三代半導體的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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