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第三代半導體
第三代半導體 文章 進(jìn)入第三代半導體技術(shù)社區
基于ST CCM PFC L4986A 設計的1KW 雙BOOST PFC電源方案
- L4986簡(jiǎn)介：L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器，采用專(zhuān)有的乘法器“模擬器”，除了創(chuàng )新型THD優(yōu)化器，還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真（THD）性能。該器件引腳采用SO封裝，集成了800V 高壓?jiǎn)?dòng)功能，無(wú)需使用傳統的放電電阻?？梢灾С值墓β史秶鷱囊粌砂偻叩綆浊?。 ST 提供兩個(gè)版本：A為65 kHz，B為130 kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡(jiǎn)介：Double-boost 是無(wú)橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋，可以顯著(zhù)提
- 關(guān)鍵字： ST SIC 第三代半導體 CCM PFC 4986 電動(dòng)工具 割草機 雙boost double boost 無(wú)橋PFC
基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小體積之PD快充方案
- 過(guò)往產(chǎn)品的充電裝置多由各家廠(chǎng)牌使用各自的接口，導致裝置汰換時(shí)將造成許多浪費。由于USB的普及，市面大部分的產(chǎn)品都透過(guò)此接口傳輸數據，進(jìn)而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過(guò)去即使透過(guò)USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，則電子產(chǎn)品需要較長(cháng)的時(shí)間來(lái)充電。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年發(fā)表第一版USB Power Delivery規范 (USB Power Delivery Specifi
- 關(guān)鍵字： ST 意法半導體 GAN 第三代半導體 Power and energy PD 協(xié)議 快充
基于STM32G474RBT6 MCU的數字控制3KW通信電源方案
- STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數字電源解決方案。電路設計包括前端無(wú)橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構。前級圖騰柱PFC提供功率因數校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉換器提供安全隔離和穩定的輸出電壓。該參考設計為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時(shí)，測量峰值效率為96.3%
- 關(guān)鍵字： ST 第三代半導體 SIC GNA 圖騰柱PFC 無(wú)橋PFC 全橋LLC 數字電源
第三代半導體高歌猛進(jìn)，誰(shuí)將受益？
- “現在的新車(chē)，只要能用碳化硅的地方，便不會(huì )再用傳統功率器件”。功率半導體大廠(chǎng)意法半導體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車(chē)市場(chǎng)的重要性。當下，在全球半導體行業(yè)的逆流中，第三代半導體正閃爍著(zhù)獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關(guān)于第三代半導體的爭奪劇集已經(jīng)開(kāi)始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速成長(cháng)期近日，科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長(cháng)相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周
- 關(guān)鍵字： 第三代半導體 SiC GaN
意法半導體與歐陸通設立聯(lián)合開(kāi)發(fā)實(shí)驗室，瞄準第三代半導體領(lǐng)域
- 近日，歐陸通與意法半導體（ST）宣布，雙方將在歐陸通子公司上海安世博及杭州云電科技兩地分別設立針對數字電源應用的聯(lián)合開(kāi)發(fā)實(shí)驗室，雙方合作的研發(fā)團隊將在服務(wù)器電源及新能源兩大產(chǎn)業(yè)應用領(lǐng)域進(jìn)行合作。據介紹，在服務(wù)器電源領(lǐng)域，歐陸通將結合意法半導體廣泛的芯片組合，包含主芯片控制器，功率器件（包含碳化硅，氮化鎵等寬禁帶材料），模擬器件（如隔離式柵極驅動(dòng)器），傳感器等等，聯(lián)合打造高效率、高功率密度的服務(wù)器數字電源解決方案。在新能源領(lǐng)域，歐陸通將結合意法半導體主控芯片以及碳化硅、氮化鎵等創(chuàng )新的寬禁帶技術(shù)，打造液冷散熱
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 歐陸通 第三代半導體
“第三代半導體”迎來(lái)新方向，新能源車(chē)成為主線(xiàn)，重點(diǎn)在5家短線(xiàn)大牛
- 以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料具有高熱導率、高擊穿場(chǎng)強、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可以極大滿(mǎn)足新能源汽車(chē)電動(dòng)化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化發(fā)展趨勢的要求，對新能源汽車(chē)發(fā)展具有重要意義?！吨袊娮訄蟆烽_(kāi)設“寬禁帶半導體與新能源汽車(chē)”專(zhuān)欄，以寬禁帶半導體在新能源汽車(chē)范疇的應用為切入點(diǎn)，全面系統報道寬禁帶半導體技術(shù)趨勢、市場(chǎng)發(fā)展現狀和產(chǎn)業(yè)發(fā)展困難等。敬請關(guān)注。我國新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量、保有量持續6年居世界首位，為寬禁帶半導體的技術(shù)驗證和更新迭代提供了大量應用數據樣本。記者在采訪(fǎng)時(shí)領(lǐng)會(huì )到，寬禁帶半導體能有效提升新能源汽
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聞泰科技：已布局第三代化合物半導體，暫無(wú)氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品
- IT之家 3 月 20 日消息，聞泰科技今日在投資者互動(dòng)平臺表示，公司已布局第三代化合物半導體，主要聚焦于由減少碳排放和綠色能源所帶來(lái)技術(shù)機遇，更加注重功率器件，以增強和擴展半導體產(chǎn)品組合，提供更多復雜的高功率產(chǎn)品，包括 SiC 與 GaN。公司暫無(wú)氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品，會(huì )持續關(guān)注半導體新技術(shù)。封測技術(shù)方面，聞泰科技稱(chēng)公司半導體業(yè)務(wù)具有 LFPAK、夾片粘合、SiP（系統級封裝）等多種先進(jìn)封測技術(shù)與幾十種封測型號，可滿(mǎn)足汽車(chē)客戶(hù)、工業(yè)、消費客戶(hù)的不同產(chǎn)品性能的需求。此外，聞泰科技表示，公司半
- 關(guān)鍵字： 聞泰科技 第三代半導體
市場(chǎng)規模節節攀升，第三代半導體成收購的熱門(mén)賽道
- 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場(chǎng)正如火如荼地發(fā)展著(zhù)，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復審核，其對第三代半導體業(yè)務(wù)的開(kāi)拓有了新的進(jìn)展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買(mǎi)資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書(shū)（草案）（修訂稿）》。根據該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買(mǎi)博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負債、國聯(lián)萬(wàn)眾94.6029%股權。事實(shí)上，除中瓷電子外，近來(lái)還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導體業(yè)務(wù)。2023年3月2
- 關(guān)鍵字： 第三代半導體 收購 SiC GaN
英飛凌與VinFast擴大合作，第三代半導體企業(yè)與車(chē)企的不解之緣
- 關(guān)注電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的人，在近年來(lái)應當頻繁看見(jiàn)“VinFast”這個(gè)名字。從美國建廠(chǎng)到擬赴美上市，VinFast用大動(dòng)作刷足了存在感。事實(shí)上，VinFast對未來(lái)有著(zhù)宏大的規劃，并正朝著(zhù)這個(gè)規劃，積極聯(lián)手供應鏈企業(yè)。01“野心勃勃”的VinFastVinFast成立于2017年，是越南一家年輕的初創(chuàng )企業(yè)。而背靠著(zhù)越南首富潘日旺（Pham Nhat Vuong）及其旗下以房地產(chǎn)為主業(yè)的Vingroup，VinFast的發(fā)展可謂“光速”：2018年，VinFast收購通用在越南的汽車(chē)生產(chǎn)線(xiàn)；同年底，VinFast
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 VinFast 第三代半導體
博世創(chuàng )業(yè)投資公司投資致能科技，加速第三代半導體布局
- 隸屬于博世集團的羅伯特·博世創(chuàng )業(yè)投資公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“博世創(chuàng )投”）已完成對廣東致能科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“致能科技”）的Pre-A輪投資。致能科技總部位于廣州，是國內領(lǐng)先的氮化鎵IDM(Integrated Device Manufacturer)公司。憑借其在氮化鎵器件領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和創(chuàng )新技術(shù)，致能科技致力于研發(fā)新一代氮化鎵功率器件，在現有基礎上全面提升氮化鎵工作電壓、導電能力、開(kāi)關(guān)頻率等關(guān)鍵性能參數，助力實(shí)現更高效的功率管理系統。根據市場(chǎng)研究機構Yole Développement最新報告，全球功率半導
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第三代半導體與硅器件未來(lái)將長(cháng)期共存
- 目前全球能源需求的三分之一左右是用電需求，能源需求的日益增長(cháng)，化石燃料資源的日漸耗竭，以及氣候變化等問(wèn)題，要求我們去尋找更智慧、更高效的能源生產(chǎn)、傳輸、配送、儲存和使用方式。在整個(gè)能源轉換鏈中，第三代半導體技術(shù)的節能潛力可為實(shí)現長(cháng)期的全球節能目標做出很大貢獻。除此之外，寬禁帶產(chǎn)品和解決方案有利于提高效率、提高功率密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在交通、新能源發(fā)電、儲能、數據中心、智能樓宇、家電、個(gè)人電子設備等極為廣泛的應用場(chǎng)景中為能效提升做出貢獻。除高速之外，碳化硅還具有高熱導率、高擊穿場(chǎng)強、
- 關(guān)鍵字： 202207 第三代半導體 英飛凌
打造驅動(dòng)第三代功率半導體轉換器的IC生態(tài)系統
- 受訪(fǎng)人：亞德諾半導體 大規模數據中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動(dòng)汽車(chē)充電站、新能源等基礎設施的廣泛部署使得功耗快速增長(cháng)，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來(lái)，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉換效率和密度。新型和未來(lái)的SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)將會(huì )給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現更緊湊、更具成本效益的功率應用。好馬
- 關(guān)鍵字： 202207 ADI 第三代半導體 IC 功率器件
第三代半導體與硅器件將長(cháng)期共存
- 受訪(fǎng)人：英飛凌科技1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？ 相似之處：相較于傳統的硅材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料，具有更大的禁帶寬度、更高的臨界場(chǎng)強，使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有耐高壓、低導通電阻、寄生參數小等優(yōu)異特性?！ 〔煌幖胺謩e適用于哪些應用：碳化硅和氮化硅這兩種寬禁帶半導體材料之間也存在著(zhù)諸多差異?！?/li>
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 第三代半導體 硅
第三代半導體市場(chǎng)的“互補共生”
- 受訪(fǎng)人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統工程營(yíng)銷(xiāo)組的應用經(jīng)理，負責工業(yè)和個(gè)人電子市場(chǎng)的定制電源設計。他的團隊每年負責500項設計，并在過(guò)去20年中設計了15000個(gè)電源。Robert于2002年加入TI，大部分時(shí)間都在擔任各種應用的電源設計師。Robert擁有佛羅里達大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？
- 關(guān)鍵字： TI 第三代半導體 GaN SiC
第三代半導體介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條第三代半導體!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對第三代半導體的理解，并與今后在此搜索第三代半導體的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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