又一家晶圓龍頭展開(kāi)攻勢，第三代半導體成產(chǎn)業(yè)鏈“必爭之地”

聯(lián)電計劃從6寸氮化鎵產(chǎn)品切入，并與半導體行業(yè)指標性研發(fā)機構IMEC聯(lián)手展開(kāi)研發(fā)。

繼臺積電之后，又一家半導體晶圓代工龍頭進(jìn)軍第三代半導體。

據臺灣經(jīng)濟日報今日報道，聯(lián)電已通過(guò)投資聯(lián)穎，切入第三代半導體領(lǐng)域。聯(lián)電計劃從6寸氮化鎵（GaN）產(chǎn)品入手，之后將展開(kāi)布局碳化硅（SiC），并向8寸晶圓發(fā)展。公司透露，第三代半導體制程將從CMOS轉換而來(lái)，未來(lái)將伺機擴產(chǎn)。

聯(lián)電表示，由于目前業(yè)內較少廠(chǎng)商能夠提供GaN整體解決方案，正在構建技術(shù)平臺，由聯(lián)電、聯(lián)穎共同研發(fā)，聚焦電子、射頻微波等應用，預計明年將導入IC設計客戶(hù)。

另外，聯(lián)電更與比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）攜手，開(kāi)展第三代半導體研發(fā)。后者是全球知名獨立公共研發(fā)平臺、半導體業(yè)內指標性研發(fā)機構，英特爾、三星、臺積電、高通等均與其有合作。

值得一提的是，聯(lián)穎有望成為聯(lián)電第三代半導體的主要生產(chǎn)陣地。聯(lián)穎此前主營(yíng)業(yè)務(wù)便是6寸晶圓，但長(cháng)時(shí)間處于虧損狀態(tài)，產(chǎn)能利用率也處于較低水平。但去年下半年以來(lái)，業(yè)績(jì)好轉，產(chǎn)能持續滿(mǎn)載，明年產(chǎn)能有望較今年翻倍增長(cháng)。

能源技術(shù)革命向材料領(lǐng)域滲透 第三代半導體打開(kāi)增長(cháng)空間

除聯(lián)電之外，產(chǎn)業(yè)鏈其余廠(chǎng)商也沒(méi)有錯過(guò)第三代半導體這一契機。

龍頭臺積電在GaN投入多年，目前已小批量提供6寸晶圓代工服務(wù)。同時(shí)，公司針對車(chē)用領(lǐng)域，與意法半導體合作開(kāi)發(fā)GaN制程，而Navitas（GaN消費市場(chǎng)龍頭）、GaN Systems等廠(chǎng)商也已在臺積電投片，生產(chǎn)高壓功率半導體器件。

世界先進(jìn)已展開(kāi)8寸GaN on Si研發(fā)，已有超過(guò)10家客戶(hù)進(jìn)行產(chǎn)品設計，臺灣電子時(shí)報指出，該技術(shù)可靠性與良率已接近量產(chǎn)階段。

就在上周，硅晶圓廠(chǎng)商環(huán)球晶宣布，明年將大幅擴產(chǎn)第三代半導體，GaN及SiC產(chǎn)能均將翻倍增長(cháng)。

各路廠(chǎng)商爭相布局的背后，是新能源汽車(chē)、5G等新興產(chǎn)業(yè)崛起和“雙碳”目標帶來(lái)的廣闊增量空間。

SiC方面，其背后主要驅動(dòng)力與新能源汽車(chē)緊密相連。據三安光電副總經(jīng)理陳東坡預計，在2023-2024年，長(cháng)續航里程的車(chē)型基本上80-90%、甚至100%都將導入SiC器件。同時(shí)，高壓快充平臺則是另一個(gè)需求增長(cháng)點(diǎn)，目前車(chē)企打造800V高壓平臺都是從IGBT入手，以SiC器件取代硅基IGBT。

GaN則主要用于5G射頻器件、功率器件等，市場(chǎng)空間同樣備受青睞。

總體來(lái)說(shuō)，目前第三代半導體仍處于發(fā)展初期，分析師認為國內企業(yè)與國際巨頭差距相對較小，對后來(lái)者也較為有利。