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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 第三代半導體

第三代半導體引領(lǐng)5G基站技術(shù)全面升級

  • 5G 受到追捧是有充足的理由的。根據CCS Insight 的預測,到2023 年,5G 用戶(hù)數量將達10 億;2022 年底,5G蜂窩基礎設施將承載近15%的全球手機流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線(xiàn)性度是5G 基礎設施對射頻半導體器件的硬性要求。對于整個(gè)第三代半導體技術(shù),尤其是氮化鎵(GaN),5G 開(kāi)始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比,GaN 器件的開(kāi)關(guān)頻率、輸出功率和工作溫度更高,適合1-110 GHz的高頻通信應用,涵蓋移動(dòng)通信、無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )、點(diǎn)對點(diǎn)和點(diǎn)對多點(diǎn)微波通
  • 關(guān)鍵字: 202206  第三代半導體  GaN  

深化碳中和愿景下的中歐科技創(chuàng )新合作

  • 11月27日, 由中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )與深圳市人民政府共同主辦,由中國科協(xié)企業(yè)創(chuàng )新服務(wù)中心、深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )承辦、深圳市科技交流服務(wù)中心、深圳基本半導體有限公司、深圳中歐創(chuàng )新中心執行的“2021中歐科技創(chuàng )新合作發(fā)展論壇”專(zhuān)業(yè)論壇——“2021中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳隆重舉行。論壇上,來(lái)自國內及英國、法國、比利時(shí)等國際知名的科學(xué)家、科技組織、科研院校、行業(yè)協(xié)會(huì )、半導體企業(yè)及投資機構等泛第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的代表參與大會(huì ),共同探討中歐第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展和應用現況及未來(lái)趨勢,并就如何深化“碳中和”目標
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2021基本創(chuàng )新日盛大開(kāi)啟 碳化硅系列新品重磅發(fā)布

  • 新基建和“雙碳”戰略目標推動(dòng)下,第三代半導體產(chǎn)業(yè)正在開(kāi)啟發(fā)展加速度,有望成為綠色經(jīng)濟的中流砥柱,引領(lǐng)新一輪產(chǎn)業(yè)革命?!皠?chuàng )新為基,創(chuàng )芯為本”,11月27日,2021基本創(chuàng )新日活動(dòng)在深圳盛大啟幕?;景雽w總經(jīng)理和巍巍博士在會(huì )上發(fā)布了汽車(chē)級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品,至此基本半導體產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善,產(chǎn)品競爭力再度提升,將助力國內第三代半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展,受到了現場(chǎng)來(lái)自汽車(chē)、工業(yè)、消費等領(lǐng)域以及第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內人士的高度關(guān)注。汽車(chē)級全碳化硅功
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第三代半導體頭部企業(yè)基本半導體完成C1輪融資

  • 9月17日,專(zhuān)注于第三代半導體基本半導體功率器件的深圳基本半導體有限公司完成C1輪融資,由現有股東博世創(chuàng )投、力合金控,以及新股東松禾資本、佳銀基金、中美綠色基金、厚土資本等機構聯(lián)合投資。本輪融資將繼續用于加速碳化硅功率器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。當前,第三代半導體正處于快速發(fā)展的黃金賽道?;景雽w經(jīng)過(guò)多年深耕,掌握了國際領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù),研發(fā)領(lǐng)域覆蓋碳化硅的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動(dòng)應用等全產(chǎn)業(yè)鏈,先后推出全電流電壓等級的碳化硅肖特基二極管及MOSFET、車(chē)規級碳化硅功率模塊、碳化硅驅
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鄭有炓院士:第三代半導體迎來(lái)新發(fā)展機遇

  • 半導體材料是信息技術(shù)的核心基礎材料,一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè),半個(gè)多世紀來(lái)從基礎技術(shù)層面支撐了信息技術(shù)翻天覆地的變化,推動(dòng)了電子信息科技產(chǎn)業(yè)可持續蓬勃發(fā)展。同樣地,信息技術(shù)和電子信息科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求又驅動(dòng)了半導體材料與技術(shù)的發(fā)展。第三代半導體材料及其應用第三代半導體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導體材料,它是繼20世紀50年代以Ge、Si為代表的第一代半導體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導體之后于90年代發(fā)展起來(lái)的新型寬禁帶半導體材料,即禁帶寬度明顯大于Si(1.12 eV)和Ga
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博世創(chuàng )業(yè)投資公司投資基本半導體,助力第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

  • 近日,隸屬于博世集團的羅伯特·博世創(chuàng )業(yè)投資公司(RBVC)已完成對基本半導體的投資?;景雽w總部位于深圳,是中國領(lǐng)先的碳化硅功率器件提供商之一。碳化硅是第三代半導體的代表材料。采用碳化硅的功率半導體以更具優(yōu)勢的性能正逐步取代硅基半導體,廣泛應用在新能源汽車(chē)、 充電樁、5G基建、特高壓、城際高鐵和軌道交通、大數據中心等。今后五年是第三代半導體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的窗口期。博世創(chuàng )業(yè)投資公司合伙人蔣紅權博士表示:“中國是全球最大的電力電子市場(chǎng)?;景雽w自主研發(fā)的產(chǎn)品及本地可控的供應鏈可滿(mǎn)足快速增長(cháng)的中國市場(chǎng)需
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基本半導體完成數億元B輪融資,打造行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅IDM企業(yè)

  • 2020年12月31日,致力于碳化硅功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的國內第三代半導體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)基本半導體宣布完成數億元人民幣B輪融資,由聞泰科技領(lǐng)投,深圳市投控資本、民和資本、屹唐長(cháng)厚、四海新材料等機構跟投,原股東力合資本追加投資。據透露,本輪融資基于基本半導體發(fā)展戰略規劃,引入了對第三代半導體的研發(fā)、制造和市場(chǎng)環(huán)節具有重要價(jià)值的戰略投資方。所融資金將主要用于加強碳化硅器件的核心技術(shù)研發(fā)、重點(diǎn)市場(chǎng)拓展和制造基地建設,特別是車(chē)規級碳化硅功率模塊的研發(fā)和量產(chǎn)?;景雽w成立于2016年,核心研發(fā)團隊成員包括來(lái)自清華大
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基本半導體主辦首屆汽車(chē)級碳化硅模塊與電機控制器技術(shù)閉門(mén)會(huì )圓滿(mǎn)落幕

  • 11月21日,在中歐第三代半導體產(chǎn)業(yè)高峰論壇期間,基本半導體同期主辦碳化硅功率器件技術(shù)交流會(huì )、汽車(chē)級碳化硅模塊與電機控制技術(shù)閉門(mén)會(huì )系列活動(dòng),為業(yè)內搭建交流合作的專(zhuān)業(yè)平臺。閉門(mén)會(huì )上,基本半導體邀請了一汽集團、北汽集團、上汽集團、廣汽集團、長(cháng)城汽車(chē)、小鵬汽車(chē)、豐田汽車(chē)、電裝中國、大陸汽車(chē)、上海保隆、清華大學(xué)等國內外整車(chē)廠(chǎng)和電機控制器Tier1的企業(yè)代表、高校教授、投資專(zhuān)家等專(zhuān)業(yè)人士,圍繞汽車(chē)行業(yè)對碳化硅模塊的技術(shù)需求和在碳化硅電機控制器開(kāi)發(fā)方面遇到的問(wèn)題及其解決方案進(jìn)行探討,以推進(jìn)碳化硅模塊的測試、驗證和產(chǎn)業(yè)
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創(chuàng )新引領(lǐng)發(fā)展、合作共贏(yíng)未來(lái)——2020中歐第三代半導體產(chǎn)業(yè)高峰論壇在深圳成功召開(kāi)

  • 11月20日,由中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )與深圳市人民政府共同主辦,中國科協(xié)企業(yè)創(chuàng )新服務(wù)中心、深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )等單位承辦,深圳市科技開(kāi)發(fā)交流中心、深圳中歐創(chuàng )新中心等單位執行,基本半導體等單位協(xié)辦的“2020中歐科技創(chuàng )新合作發(fā)展論壇”分論壇——“2020中歐第三代半導體產(chǎn)業(yè)高峰論壇”在深圳五洲賓館隆重舉行。論壇圍繞第三代半導體行業(yè)的國際合作、市場(chǎng)熱點(diǎn)和技術(shù)前沿話(huà)題,邀請中外半導體領(lǐng)域專(zhuān)家學(xué)者進(jìn)行經(jīng)驗分享,探討中歐半導體合作發(fā)展新路徑。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )副主席張治平在致辭中表示,深圳市政府高度重視半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,推
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2019中瑞產(chǎn)學(xué)研發(fā)展論壇——第三代半導體產(chǎn)業(yè)高峰論壇在深圳成功舉辦!

  • 11月15日,由中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )、深圳市人民政府主辦,深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )、中國科協(xié)科學(xué)技術(shù)傳播中心承辦的2019中瑞產(chǎn)學(xué)研發(fā)展論壇在深圳五洲賓館成功落下帷幕。2019中瑞產(chǎn)學(xué)研發(fā)展論壇主會(huì )場(chǎng)中國科協(xié)副主席、書(shū)記處書(shū)記孟慶海,瑞典皇家工程科學(xué)院副院長(cháng)Magnus Breidne,廣東省科協(xié)黨組成員、專(zhuān)職副主席馮日光,深圳市委常委、統戰部部長(cháng)林潔,香港中文大學(xué)工程學(xué)院副院長(cháng)黃錦輝,西湖大學(xué)副校長(cháng)、光學(xué)工程講席教授仇旻,瑞典國家級孵化器與科技園聯(lián)盟4SmartGrowth項目高級執行董事、SISP中國市場(chǎng)關(guān)系總
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北京經(jīng)開(kāi)區第三代半導體現新突破

  • 一輛新能源汽車(chē)、一組高能效服務(wù)器電源,核心功能的實(shí)現都離不開(kāi)電力電子系統中半導體器件的支撐。碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的典型代表,具有低能耗、體積小、重量輕等特點(diǎn),國際上都在競相研發(fā)碳化硅半導體制備技術(shù)。近日,記者在區內企業(yè)世紀金光半導體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“世紀金光”)了解到,其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實(shí)現小批量試產(chǎn),研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應用于新能源汽車(chē)、光伏、充電樁、高能效服務(wù)器電源、特種電源等領(lǐng)域,實(shí)現第三代半導體碳化硅關(guān)鍵領(lǐng)域全面布局。
  • 關(guān)鍵字: 第三代半導體  碳化硅  世紀金光  

基本半導體與NetPower達成戰略合作,優(yōu)質(zhì)代理商火熱招募中!

  • 日前,基本半導體與NetPower簽訂戰略合作協(xié)議,雙方將共同開(kāi)發(fā)歐美地區第三代半導體市場(chǎng)。這是基本半導體繼成立瑞典海外營(yíng)銷(xiāo)中心后,公司國際化戰略的又一里程碑。根據合作協(xié)議,NetPower正式成為基本半導體歐美地區授權分銷(xiāo)商,為歐洲及北美客戶(hù)提供基本半導體全線(xiàn)碳化硅功率器件產(chǎn)品銷(xiāo)售、方案咨詢(xún)和售后等相關(guān)服務(wù)。此次戰略合作的達成,將實(shí)現基本半導體與NetPower的優(yōu)勢互補與資源有效整合,為基本半導體全面實(shí)施國際化經(jīng)營(yíng)戰略,提升品牌的國際知名度提供有力支撐。NetPower于2000年在美國德克薩斯州成立
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基本半導體參加全國政協(xié)副主席萬(wàn)鋼調研活動(dòng)

  •   近日,全國政協(xié)副主席、致公黨中央主席、中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )主席萬(wàn)鋼一行蒞臨深圳第三代半導體研究院調研。研究院院長(cháng)趙玉海、副理事長(cháng)吳玲等陪同調研?;景雽w作為深圳第三代半導體研究院發(fā)起共建單位受邀參加調研活動(dòng)?! ∪f(wàn)鋼主席一行在趙玉海院長(cháng)陪同下詳細了解了第三代半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展情況,并參觀(guān)了研究院碳化硅襯底、外延、器件、封裝,硅基GaN外延,新能源汽車(chē)變換器等實(shí)物展品?! 』景雽w董事長(cháng)汪之涵博士、副總經(jīng)理張振中博士和高級顧問(wèn)高躍博士向萬(wàn)鋼一行匯報了基本半導體在碳化硅功率器件領(lǐng)域的創(chuàng )新成果,介紹了自主研發(fā)
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基本半導體發(fā)布國內首款工業(yè)級碳化硅MOSFET

  •   新年伊始,基本半導體正式發(fā)布國內首款擁有自主知識產(chǎn)權的工業(yè)級碳化硅MOSFET,該產(chǎn)品各項性能達到國際領(lǐng)先水平,其中短路耐受時(shí)間更是長(cháng)達6μs。碳化硅MOSFET的發(fā)布,標志著(zhù)基本半導體在第三代半導體研發(fā)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展,自主研發(fā)的碳化硅功率器件繼續領(lǐng)跑全國?! 〗陙?lái),基于硅(Si)、砷化鎵(GaAs)半導體材料的功率器件受材料性能所限,正接近物理極限,產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入瓶頸期。而以碳化硅為代表的第三代半導體材料,具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強度高、熱導率高、電子飽和速率高等特點(diǎn),更適合制作高溫、高頻、抗輻射
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重磅推出碳化硅MOSFET ,基本半導體參加第二屆國際電力電子技術(shù)與應用會(huì )議

  •   11月4-7日,由中國電源學(xué)會(huì )與IEEE電力電子學(xué)會(huì )聯(lián)合主辦的第二屆國際電力電子技術(shù)與應用會(huì )議暨博覽會(huì )(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行?;景雽w作為本次大會(huì )的金牌贊助商,重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品,反響熱烈?! ∽鳛槿蛐缘碾娏﹄娮有袠I(yè)盛會(huì ),IEEE PEAC 2018可謂大咖云集,來(lái)自31個(gè)國家和地區的電力電子學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會(huì )議。大會(huì )主席、中國電源學(xué)會(huì )理事長(cháng)徐德鴻教授主持開(kāi)幕式并致開(kāi)幕詞,美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授,中國工程院院
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