第三代半導體項目遍地開(kāi)花

近日，多個(gè)第三代半導體項目迎來(lái)最新進(jìn)展。其中，重投天科第三代半導體項目、山東菏澤砷化鎵半導體晶片項目投資資金超30億。

總投資32.7億元，重投天科第三代半導體項目在深圳寶安啟用

據濱海寶安消息，2月27日，第三代半導體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區啟用，其由深圳市重投天科半導體有限公司建設運營(yíng)，將進(jìn)一步補強深圳第三代半導體“虛擬全產(chǎn)業(yè)鏈（VIDM）”，助力廣東打造國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展“第三極”。

濱海寶安消息顯示，該項目2021年11月開(kāi)工建設，2022年11月關(guān)鍵生產(chǎn)區域廠(chǎng)房結構封頂，2023年6月襯底產(chǎn)線(xiàn)正式進(jìn)入試運行階段。

第三代半導體碳化硅材料生產(chǎn)基地總投資32.7億元，是廣東省和深圳市重點(diǎn)項目，深圳全球招商大會(huì )重點(diǎn)簽約項目。其中，圍繞生產(chǎn)襯底和外延等制造芯片的基礎材料，該項目重點(diǎn)布局了6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線(xiàn)，預計今年襯底和外延產(chǎn)能達25萬(wàn)片，將有效解決下游客戶(hù)在軌道交通、新能源汽車(chē)、分布式新能源、智能電網(wǎng)、高端電源、5G通訊、人工智能等重點(diǎn)領(lǐng)域的碳化硅器件產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的原材料基礎保障和供應瓶頸，為深圳及廣東本地龍頭企業(yè)長(cháng)期提供穩定可靠足量的襯底及外延材料，以加快推動(dòng)全產(chǎn)業(yè)鏈核心技術(shù)自主可控和量產(chǎn)原材料保障。

未來(lái)，重投天科還將設立大尺寸晶體生長(cháng)和外延研發(fā)中心，并與本地重點(diǎn)實(shí)驗室在儀器設備共享及材料領(lǐng)域開(kāi)展合作，與重點(diǎn)裝備制造企業(yè)加強晶體加工領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng )新合作，聯(lián)動(dòng)下游龍頭企業(yè)在車(chē)規器件、模組研發(fā)等工作上聯(lián)合創(chuàng )新，并助力深圳提升8英寸襯底平臺領(lǐng)域研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化制造技術(shù)水平。

35億元，山東菏澤砷化鎵半導體晶片項目開(kāi)工

菏澤市牡丹區吳店鎮消息顯示，2月26日，吳店鎮舉辦2024年春季吳店鎮省重點(diǎn)項目建設現場(chǎng)推進(jìn)會(huì )暨砷化鎵半導體晶片項目開(kāi)工奠基儀式。

據悉，菏澤市牡丹區砷化鎵半導體項目，是由山東水發(fā)聯(lián)合臺灣半導體龍頭企業(yè)共同投資建設，項目總投資35億元，計劃分兩期實(shí)施。一期工程計劃投資15億元，建設4/6英寸砷化鎵生產(chǎn)線(xiàn)，主要生產(chǎn)砷化鎵半導體面射型鐳射VCSEL產(chǎn)品，年產(chǎn)芯片6萬(wàn)片。建設期1.5年，預計2025年7月試生產(chǎn)。

二期工程計劃投資20億元，建設4/6英寸第三代化合物半導體氮化鎵GaN和碳化硅SiC生產(chǎn)線(xiàn)，主要生產(chǎn)功率半導體器件及耐高壓新能源汽車(chē)逆變器，以滿(mǎn)足多元化市場(chǎng)需求。二期工程計劃2026年下半年開(kāi)工建設，預計2028年上半年投產(chǎn)。

譜析光晶1億元SiC芯片項目簽約浙江

近日，浙江省杭州市蕭山區瓜瀝鎮舉行推進(jìn)新型工業(yè)化暨項目開(kāi)工簽約大會(huì )，會(huì )上集中簽約開(kāi)工的18個(gè)項目總投資超20億元，涉及半導體芯片、集成電路設計與組件等領(lǐng)域。其中新簽約項目包含譜析光晶投資的年產(chǎn)10萬(wàn)臺第三代半導體芯片與系統生產(chǎn)基地項目，該項目計劃總投資1億元。

據悉，譜析光晶主要生產(chǎn)基于第三代半導體材料碳化硅（SiC）等的驅動(dòng)系統與模組，應用在電動(dòng)汽車(chē)電控模組等超高可靠性要求領(lǐng)域。該公司具備從芯片級到模塊級再到系統級的優(yōu)化和生產(chǎn)能力。此前報道，譜析光晶自2020年成立以來(lái)，每年的營(yíng)收增長(cháng)率在300%以上，2023年公司實(shí)現營(yíng)收8000萬(wàn)元，在手訂單3億元，預期2024年營(yíng)收超過(guò)2億元，計劃在2025年申報IPO。

產(chǎn)品方面，譜析光晶已批量出產(chǎn)數款1200V、30毫歐以?xún)鹊母叨薙iC SBD和車(chē)規級MOS芯片。業(yè)務(wù)方面，2023年9月25日，譜析光晶、乾晶半導體與綠能芯創(chuàng )簽訂戰略合作協(xié)議，共同開(kāi)發(fā)及驗證應用于特殊領(lǐng)域的SiC相關(guān)產(chǎn)品，并簽訂了5年內4.5億元的意向訂單。隨著(zhù)本次項目建成達產(chǎn)，譜析光晶SiC芯片產(chǎn)能有望再上一個(gè)臺階。

14.7億，賽達半導體年產(chǎn)30萬(wàn)片SiC外延項目啟動(dòng)

近日，賽達半導體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)賽達半導體）碳化硅（SiC）外延項目環(huán)評消息公示。

公告顯示，該項目總投資約14.7億元，占地面積11979m2，總建筑面積7887m2，將租賃長(cháng)城汽車(chē)徐水分公司原有廠(chǎng)房和空地（華訊廠(chǎng)房），形成公司生產(chǎn)和研發(fā)廠(chǎng)房。項目擬購置外延設備、測試設備、清洗設備等主要生產(chǎn)、研發(fā)和附屬設備，先期產(chǎn)能1.5萬(wàn)片/年，2027年規劃產(chǎn)能為30萬(wàn)片/年。

天眼查資料顯示，賽達半導體成立于2023年10月，由穩晟科技（天津）有限公司全資持股，后者控股股東、實(shí)控人為長(cháng)城汽車(chē)董事長(cháng)魏建軍。

早在2023年5月，長(cháng)城控股招標中心便發(fā)文稱(chēng)已啟動(dòng)“精工自動(dòng)化SiC外延廠(chǎng)房改造設計項目”；2023年9月，該項目落戶(hù)河北省保定市徐水經(jīng)開(kāi)區，簽約方為穩晟科技（天津）有限公司，主建方則為賽達半導體。

總投資20億，新華錦第三代半導體碳材料產(chǎn)業(yè)園項目落戶(hù)山東

2月21日，山東省平度市舉行2024年重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項目春季集中簽約活動(dòng)，48個(gè)項目集中簽約，其中就包括新華錦第三代半導體碳材料產(chǎn)業(yè)園項目。

據了解，新華錦第三代半導體碳材料產(chǎn)業(yè)園項目位于平度市經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區，項目由新華錦集團投資建設，總投資20億元，主要建設年產(chǎn)5000噸半導體用細顆粒等靜壓石墨和1000噸半導體用多孔石墨生產(chǎn)基地。青島是國內石墨資源的主產(chǎn)地之一。根據新華錦集團官方資料，集團在平度收購了兩個(gè)石墨礦。近年來(lái)，集團與中國科學(xué)院山西煤化所合作建設了高性能等靜壓石墨和特種多孔石墨項目，生產(chǎn)的產(chǎn)品是第三代半導體碳化硅長(cháng)晶用的核心基礎石墨材料，經(jīng)過(guò)國家石墨產(chǎn)品質(zhì)量檢驗中心權威部門(mén)認證，在技術(shù)水平和產(chǎn)品性能上超越了進(jìn)口產(chǎn)品。

據了解，新華錦集團是按照山東省政府“推進(jìn)省屬外貿企業(yè)改革重組”的戰略部署，由新華錦集團有限公司聯(lián)合多家省級外貿企業(yè)組建的產(chǎn)業(yè)化、國際化、綜合性企業(yè)集團。

石墨新材料板塊是新華錦集團重點(diǎn)發(fā)展的業(yè)務(wù)板塊之一。除上述項目外，2023年11月，新華錦集團旗下青島華錦新材料科技發(fā)展有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華錦新材”）正式點(diǎn)火投產(chǎn)。該項目主要生產(chǎn)第三代半導體芯片用特種石墨材料，為國內下游SiC半導體行業(yè)的發(fā)展掃清基礎原材料障礙。

華錦新材是新華錦集團與中國科學(xué)院山西煤化所技術(shù)轉化落地企業(yè)，專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)大規格、細顆粒特種石墨材料產(chǎn)品，產(chǎn)品性能指標國內領(lǐng)先，主要應用于第三代半導體SiC襯底熱場(chǎng)領(lǐng)域、3D熱彎模具等。

近日，新華錦在投資者問(wèn)答平臺表示，公司將集中精力和資源進(jìn)行石墨新材料產(chǎn)業(yè)布局，對內通過(guò)自主研發(fā)、技術(shù)創(chuàng )新提高石墨產(chǎn)品附加值，打造一流的石墨精煉生產(chǎn)基地；對外將以石墨礦為起點(diǎn)，向下游積極探索和布局石墨在新材料領(lǐng)域的應用，與科研機構、專(zhuān)業(yè)院校開(kāi)展技術(shù)合作與交流，與控股股東新華錦集團在石墨新材料業(yè)務(wù)協(xié)同發(fā)展，通過(guò)外延式并購，建立多層次的石墨產(chǎn)品體系。

24萬(wàn)片！普興電子6英寸SiC外延片項目啟動(dòng)

2月26日，河北普興電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“普興電子”）官網(wǎng)信息顯示，公司“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項目”進(jìn)行了第一次環(huán)境影響評價(jià)信息公示（以下簡(jiǎn)稱(chēng)公告）。

公告顯示，本項目總投資35070.16萬(wàn)元，利用公司1#廠(chǎng)房進(jìn)行改擴建，建筑面積約4000平米，購置碳化硅（SiC）外延設備及配套設備116臺（套）形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產(chǎn)線(xiàn)。項目建成后，將實(shí)現年產(chǎn)24萬(wàn)片SiC外延片的生產(chǎn)能力。

普興電子官網(wǎng)資料顯示，公司成立于2000年11月，致力于高性能半導體材料的外延研發(fā)和生產(chǎn)，是中電科半導體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)電科材料）控股子公司。普興電子的主要產(chǎn)品為各種規格型號的硅基外延片、氮化鎵（GaN）和SiC外延片，可廣泛應用于清潔能源、新能源汽車(chē)、航空航天、汽車(chē)、計算機、平板電腦、智能手機、家電等領(lǐng)域。

近年來(lái)，電科材料下屬普興電子積極布局第三代半導體外延材料的研發(fā)生產(chǎn)，在2021年9月啟動(dòng)了占地面積130畝的新外延材料產(chǎn)業(yè)基地建設項目，并于2022年4月完成主廠(chǎng)房封頂，9月搬入首批生產(chǎn)、檢驗設備，11月即實(shí)現了首片硅外延和SiC外延下線(xiàn)，標志著(zhù)該產(chǎn)業(yè)基地正式進(jìn)入試生產(chǎn)和驗證階段。

據悉，2022年4月，普興電子還公示一項“6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項目”，本項目總投資18000萬(wàn)元，租用同輝公司（隸屬于中電科十三所）現有廠(chǎng)房，采購S(chǎng)iC外延爐15臺及配套測試儀器等，建設完成1條6英寸SiC外延片批量生產(chǎn)線(xiàn)，實(shí)現年產(chǎn)6英寸SiC外延片6萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。   

隨著(zhù)6英寸低密度缺陷SiC外延片產(chǎn)業(yè)化項目落地實(shí)施，普興電子6英寸SiC外延片產(chǎn)能將得到較大提升，有助于公司進(jìn)一步深化第三代半導體外延材料領(lǐng)域布局。

這個(gè)8英寸SiC和GaN晶圓廠(chǎng)項目簽約福建

2月20日，在福州市可持續發(fā)展暨企業(yè)家大會(huì )主會(huì )場(chǎng)及長(cháng)樂(lè )分會(huì )場(chǎng)，長(cháng)樂(lè )區簽約落地16個(gè)重大項目，其中之一為天睿半導體項目。

資料顯示，福建天睿半導體有限公司成立于2023年2月，注冊資本50億人民幣，經(jīng)營(yíng)范圍含電子元器件制造、批發(fā)，電力電子元器件銷(xiāo)售；電子元器件與機電組件設備制造、銷(xiāo)售等。

據悉，天睿半導體項目將新建8英寸碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）晶圓廠(chǎng)，并通過(guò)產(chǎn)業(yè)并購和新建項目等方式布局第三代半導體襯底外延、晶圓制造、器件設計、系統應用及相關(guān)設備生產(chǎn)等全產(chǎn)業(yè)鏈。項目落地后將為福州帶來(lái)先進(jìn)的SiC、GaN等領(lǐng)域生產(chǎn)研發(fā)經(jīng)驗，打造千億級第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群。

值得一提的是，福州近日還新簽約兩個(gè)GaN項目，總投資額超10億元。其中之一為芯睿半導體GaN晶圓廠(chǎng)項目，由福建芯睿半導體有限公司建設。芯睿半導體成立于2023年12月，注冊資本50億人民幣，經(jīng)營(yíng)范圍含電子元器件批發(fā)、電力電子元器件銷(xiāo)售、電子元器件與機電組件設備銷(xiāo)售、電子元器件與機電組件設備制造、電子元器件制造等。

另外一個(gè)項目為福州鎵谷GaN外延片項目，由福州鎵谷半導體有限公司建設，主營(yíng)第三代半導體的研發(fā)與生產(chǎn)，預計投入10億元，用地86畝，達產(chǎn)后年產(chǎn)能24萬(wàn)片。鎵谷半導體成立于2022年7月，致力于第三代半導體材料GaN外延的研發(fā)與生產(chǎn)，產(chǎn)品包括硅基氮化鎵（GaN on Si）、碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）、藍寶石基氮化鎵（GaN on Sapphire），主要應用于電力電子及功率器件。