碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區

英飛凌與Resonac于碳化硅材料領(lǐng)域展開(kāi)多年期供應及合作協(xié)議

英飛凌科技與其碳化硅 (SiC) 供貨商擴展合作關(guān)系，宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應及合作協(xié)議，以補充并擴展雙方在 2021年的協(xié)議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長(cháng)期合作，根據合約內容，Resonac將供應英飛凌未來(lái)10年預估需求量中雙位數份額的SiC半導體。英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)部總裁 Peter WawerResonac將先供應6吋的SiC晶圓，并將于合約期間支持過(guò)渡至 8 吋晶圓，英飛凌亦將提供 Resonac 關(guān)于 SiC 材料技術(shù)的智財 (IP)。雙
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個(gè)主要原因是與以前的功率半導體相比，SiC MOSFET 使得高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作成為可能。但是，由于開(kāi)關(guān)的時(shí)候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的布線(xiàn)電感影響變得無(wú)法忽視，導致漏極源極之間會(huì )有很大的電壓尖峰。這個(gè)尖峰不可以超過(guò)使用的MOSFET 的最大規格，那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制
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安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來(lái)領(lǐng)先業(yè)界的高能效

2023年1月4日 — 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(huì )(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎設施和工業(yè)驅動(dòng)應用提供可靠、高能效的性能，并突顯安森美在工業(yè)碳化硅方案領(lǐng)域的領(lǐng)導者地位。安森美的1700 V EliteSiC M
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簡(jiǎn)述碳化硅SIC器件在工業(yè)應用中的重要作用

電力電子轉換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著(zhù)核心作用，包括電動(dòng)汽車(chē)、牽引系統、太空探索任務(wù)、深層石油開(kāi)采系統、飛機系統等領(lǐng)域的進(jìn)步。電力電子轉換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著(zhù)核心作用，包括電動(dòng)汽車(chē)、牽引系統、太空探索任務(wù)、深層石油開(kāi)采系統、飛機系統等領(lǐng)域的進(jìn)步。電力電子電路不斷發(fā)展以實(shí)現更高的效率，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）等電力電子設備為令人興奮
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羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車(chē)逆變器

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動(dòng)器IC已被日本先進(jìn)的汽車(chē)零部件制造商日立安斯泰莫株式會(huì )社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“日立安斯泰莫”）用于其純電動(dòng)汽車(chē)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“EV”）的逆變器。在全球實(shí)現無(wú)碳社會(huì )的努力中，汽車(chē)的電動(dòng)化進(jìn)程加速，在這種背景下，開(kāi)發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)動(dòng)力總成系統已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領(lǐng)域，為了延長(cháng)續航里程并減小車(chē)載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅動(dòng)核心作用的逆變器的效率已成為一個(gè)重要課題，業(yè)內對碳化硅功率元器件寄予厚望。羅姆自2010年
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意法半導體第3代SiC碳化硅功率模塊，這品牌用上了？

現代-起亞集團的 E-GMP 純電平臺以 800V 高電壓架構、高功率充電備受肯定，原先 E-GMP 平臺在后馬達 Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導體，成本與轉換效率比傳統的硅半導體更高，更能提升續航。如今瑞士半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊，并確認 E-GMP 平臺的起亞 EV6 等車(chē)款將采用，預計在動(dòng)力、續航都能再升級。E-GMP 平臺，原先已在后馬達逆變器采用 Si
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轉型中的安森美:整合提升智能水平,打造價(jià)值導向解決方案

安森美在過(guò)去的兩年間通過(guò)成功的轉型之旅，實(shí)現了業(yè)績(jì)和利潤的雙豐收。在轉型路上公司又有哪些關(guān)鍵技術(shù)和策略的調整呢？帶著(zhù)這些問(wèn)題本刊記者采訪(fǎng)了安森美CEO Hassane El-Khoury。兩大技術(shù)支柱的創(chuàng )新支持和打造可持續發(fā)展的生態(tài)系統，這是驅動(dòng)安森美投資的主要動(dòng)力，也是企業(yè)職責所在。
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10分鐘狂充80%電量！東風(fēng)碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車(chē)

近日消息，從東風(fēng)汽車(chē)官方獲悉，東風(fēng)碳化硅功率模塊項目課題已經(jīng)順利完成，將于2023年搭載東風(fēng)自主新能源乘用車(chē)，實(shí)現量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門(mén)檻非常高，除了芯片的設計和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測試的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節同樣有著(zhù)非常高的技術(shù)要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級產(chǎn)品、第三代半導體，碳化硅功率模塊有著(zhù)更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動(dòng)新能源汽車(chē)電氣架構從400V到800V的迭代，從而實(shí)現10分鐘充電80%，并進(jìn)一步提升車(chē)輛續航里程，降低整車(chē)成本。同時(shí)，總投資2.8億元的功率模塊二期項
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國星光電 NS62m 碳化硅功率模塊上線(xiàn)：可用于傳統工控、儲能逆變、充電樁等

IT之家 12 月 12 日消息，國星光電研究院基于寬禁帶半導體碳化硅技術(shù)，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”，可應用于傳統工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領(lǐng)域。面向儲能逆變器市場(chǎng)，國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模塊的電流密度以及開(kāi)關(guān)頻率，降低了開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗，減少了無(wú)源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達到降低系統成本、提升系統效率的目的。國星光電 NS62m 功率模塊采用標準型封裝，半橋拓撲
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純電動(dòng)捷豹 I-TYPE 6 賽車(chē)重磅發(fā)布，搭載先進(jìn) Wolfspeed 碳化硅技術(shù)

2022年12月5日，英國倫敦、美國北卡羅來(lái)納州達勒姆市與中國上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）宣布為捷豹 TCS 車(chē)隊近日重磅發(fā)布的捷豹 I-TYPE 6 賽車(chē)提供功率半導體技術(shù)和產(chǎn)品的全方位支持。全新I-TYPE 6賽車(chē)專(zhuān)為 2023 年度 ABB 國際汽聯(lián)電動(dòng)方程式世界錦標賽 Formula E（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：Formula E）設計、研發(fā)打造，標志著(zhù) Formula E 賽事正式邁入第三代（Gen3）賽車(chē)新時(shí)代。
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宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估

汽車(chē)行業(yè)發(fā)展創(chuàng )新突飛猛進(jìn)，車(chē)載充電器（OBC）與DCDC轉換器（HV-LV DCDC）的應用因此也迅猛發(fā)展，同應對大多數工程挑戰一樣，設計人員把目光投向先進(jìn)技術(shù)，以期利用現代超結硅（Super Junction Si）技術(shù)以及碳化硅（SiC）技術(shù)來(lái)提供解決方案。在追求性能的同時(shí)，對于車(chē)載產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，可靠性也是一個(gè)重要的話(huà)題。在車(chē)載OBC/DCDC應用中，高壓功率半導體器件用的越來(lái)越多。對于汽車(chē)級高壓半導體功率器件來(lái)說(shuō)，門(mén)極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點(diǎn)。宇宙輻射很少被提及，但事實(shí)是無(wú)論
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日本電子巨頭羅姆將量產(chǎn)下一代半導體：提高用電效率、增加電動(dòng)車(chē)續航里程

據日本共同社日前報道，日本電子零部件巨頭羅姆（ROHM）將于今年12月量產(chǎn)下一代功率半導體，以碳化硅（SiC）為原材料。據悉，羅姆花費約20年推進(jìn)研發(fā)碳化硅半導體。新一代半導體可讓可提高機器運轉的用電效率，若裝在純電動(dòng)汽車(chē)上，續航里程可提升一成，電池體積也可更小。據悉，羅姆將在福岡縣筑后市工廠(chǎng)今年開(kāi)設的碳化硅功率半導體專(zhuān)用廠(chǎng)房實(shí)施量產(chǎn)，還計劃為增產(chǎn)投資最多2200億日元（約合人民幣114億元），并將2025年度的碳化硅銷(xiāo)售額上調至1100億日元。公開(kāi)資料顯示，碳化硅具備
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通過(guò)轉向1700V SiC MOSFET，無(wú)需考慮功率轉換中的權衡問(wèn)題

高壓功率系統設計人員努力滿(mǎn)足硅MOSFET和IGBT用戶(hù)對持續創(chuàng )新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得，也不能滿(mǎn)足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過(guò)，隨著(zhù)高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會(huì )在提高性能的同時(shí)，應對所有其他挑戰。在過(guò)去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來(lái)越高，如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎上打造而成。技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)終端設備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著(zhù)額定電壓為1700V的功率器件的推出，
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以碳化硅技術(shù)牽引逆變器延展電動(dòng)車(chē)行駛里程

目前影響著(zhù)車(chē)輛運輸和半導體技術(shù)的未來(lái)有兩大因素。業(yè)界正在采用令人振奮的新方法，即以潔凈的能源驅動(dòng)我們的汽車(chē)，同時(shí)重新設計支撐電動(dòng)車(chē)（EV）子系統的半導體材料，大幅提升功效比，進(jìn)而增加電動(dòng)車(chē)的行駛里程。政府監管機構持續要求汽車(chē)OEM減少其車(chē)系的整體二氧化碳排放量，對于違規行為給予嚴厲的處罰，同時(shí)開(kāi)始沿著(zhù)道路和停車(chē)區域增設電動(dòng)車(chē)充電基礎設施。但是，盡管取得了這些進(jìn)展，主流消費者仍然對電動(dòng)車(chē)的行駛里程存有疑慮，使電動(dòng)車(chē)的推廣受到阻力。更復雜的是，大尺寸的電動(dòng)車(chē)電池雖然可以增加其行駛里程，緩解消費者關(guān)于行駛里程的
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安森美：聚焦SiC產(chǎn)能擴建，推出最新MOSFET產(chǎn)品

近日，安森美公布了2022年第三季度業(yè)績(jì)，其三季度業(yè)績(jì)直線(xiàn)上揚，總營(yíng)收21.93億美元，同比增長(cháng)25.86%；毛利10.58億美元，同比增長(cháng)46.82%。財報數據顯示，其三大業(yè)務(wù)中，智能電源組營(yíng)收為11.16億美元，同比增長(cháng)25.1%；高級解決方案組營(yíng)收7.34億美元，同比增長(cháng)19.7%；智能感知組營(yíng)收為3.42億美元，同比增長(cháng)44.7%，三大業(yè)務(wù)全線(xiàn)保持增長(cháng)。自安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美執行了一系列的戰略轉型，聚焦于智能電源和智能感知兩大領(lǐng)域，從傳統的I
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