碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區

投身車(chē)電領(lǐng)域的入門(mén)課：IGBT和SiC功率模塊

2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對電動(dòng)汽車(chē)的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施，電動(dòng)汽車(chē)充電站的需求量開(kāi)始增加。在過(guò)去的三年里，電動(dòng)車(chē)領(lǐng)導品牌的銷(xiāo)量紛紛呈現巨幅成長(cháng)的趨勢。低成本、低排放汽車(chē)的不斷發(fā)展，將推動(dòng)整個(gè)亞太地區的電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)實(shí)現穩步擴張。同時(shí)，不斷加碼的政府激勵措施和持續擴張的高性能車(chē)市場(chǎng)也推動(dòng)著(zhù)北美和歐洲地區電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的快速增長(cháng)。因此，根據MarketsandMarkets 市調數據估計，全球電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)規模將從 2
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中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過(guò)技術(shù)鑒定

近日，中國電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術(shù)及應用”成功通過(guò)技術(shù)鑒定。鑒定委員會(huì )認為，該項目技術(shù)難度大，創(chuàng )新性顯著(zhù)，總體技術(shù)達到國際先進(jìn)水平。該項目聚焦新能源汽車(chē)、光伏儲能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域對高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主創(chuàng )新的迫切需求，突破多項關(guān)鍵工藝技術(shù)，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺，國內率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件，實(shí)現新能源汽車(chē)、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供
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采用增強互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設計高能效焊機

“引言”近年來(lái)，為了更好地實(shí)現自然資源可持續利用，需要更多節能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機能效的強制性規定應運而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過(guò)改良設計提高了能效和功率密度。?逆變焊機通常是通過(guò)功率模塊解決方案設計來(lái)實(shí)現更高輸出功率，從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進(jìn)持續發(fā)展的推動(dòng)力。譬如，多
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碳化硅擴產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷，瑞薩、X-FAB跟進(jìn)

近期，一眾國內廠(chǎng)商擴產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國半導體代工廠(chǎng)TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產(chǎn)品組合；安森美半導體考慮投資20億美元擴產(chǎn)碳化硅芯片；SK集團宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠(chǎng)結束試運行，將正式量產(chǎn)碳化硅，產(chǎn)能將擴大近3倍。除此之外，據外媒報道，日本半導體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠(chǎng)X-FAB也于近日宣布了擴產(chǎn)碳化硅的計劃。其中，瑞薩電子將于2025年開(kāi)始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC）來(lái)降低損耗的下一代功率半導體產(chǎn)品。報道指出，按照計劃，瑞薩電子擬在目
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英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割

近兩年新能源汽車(chē)和光伏儲能市場(chǎng)的火熱，讓半導體供應上升到了很多公司戰略層面的考慮因素。特別是SiC的供應更加緊俏。最近幾年用戶(hù)對SiC的使用更有經(jīng)驗，逐漸發(fā)揮出了其高效率高功率密度的優(yōu)點(diǎn)，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個(gè)市場(chǎng)的缺貨的狀態(tài)。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端” ，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴重的材料。面對這種問(wèn)題，作為功率半導體的領(lǐng)頭羊英飛凌又有哪些舉措呢？一方面，英飛凌與多家晶圓廠(chǎng)簽訂長(cháng)期供貨協(xié)議推動(dòng)其碳化硅（SiC）供應商體系多元化，保
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目標 2027 年占領(lǐng) 40% 的汽車(chē) SiC 芯片市場(chǎng)，安森美半導體投資 20 億美元擴建工廠(chǎng)

IT之家 5 月 18 日消息，安森美半導體表示將投資 20 億美元，用于擴展現有工廠(chǎng)，目標在全球汽車(chē)碳化硅（SiC）芯片市場(chǎng)中，占據 40% 的份額。安森美半導體目前在安森美半導體美國、捷克共和國和韓國都設有工廠(chǎng)，其中韓國工廠(chǎng)已經(jīng)在生產(chǎn) SiC 芯片了。報道中并未提及安森美半導體具體會(huì )擴建哪家工廠(chǎng)，安森美半導體計劃構建完整產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導體預估到 2027 年占領(lǐng)全球碳化硅汽車(chē)芯片市場(chǎng) 40% 的份額。專(zhuān)家還表示到 2027 年，安森美半導體的銷(xiāo)售
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2023年，SiC襯底出貨量將勁增22%

2023 年 SiC 襯底市場(chǎng)將持續強勁增長(cháng)。
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碳化硅功率器件的應用機會(huì )及未來(lái)

碳化硅功率器件的未來(lái)趨勢是朝著(zhù)尺寸縮小的方向發(fā)展。
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賓夕法尼亞州立大學(xué)與安森美簽署碳化硅諒解備忘錄

2023 年 5 月 17日—賓夕法尼亞州立大學(xué)與智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄 (MOU)，旨在開(kāi)展一項總額達 800 萬(wàn)美元的戰略合作，其中包括在賓夕法尼亞州立大學(xué)材料研究所 (MRI) 開(kāi)設安森美碳化硅晶體中心 (SiC3)。未來(lái) 10 年，安森美每年都將為 SiC3 中心提供 80 萬(wàn)美元的資金。?安森美和賓夕法尼亞州立大學(xué)領(lǐng)導團隊慶祝簽署諒解備忘錄 (MOU)，開(kāi)展總額達 800 萬(wàn)美元的戰略合作，其中包
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意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉換器芯片

2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調、內部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過(guò)流保護、熱關(guān)斷等保護功能。擴
關(guān)鍵字：意法半導體隔離式降壓轉換器功率轉換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅動(dòng)

相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)的能效和性能？

隨著(zhù)人們對電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和混動(dòng)汽車(chē) (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加，汽車(chē)制造商為向不斷擴大的客戶(hù)群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時(shí)電源來(lái)驅動(dòng)，傳統的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場(chǎng)已經(jīng)在推動(dòng)向更高電壓電池的轉變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢，因為使用更高的電壓意味著(zhù)系統可以在更低的電流下運行，同時(shí)實(shí)現相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點(diǎn)是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
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SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性

碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設計都會(huì )非常關(guān)注導通電阻，將其作為特定技術(shù)的主要基準參數。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開(kāi)關(guān)損耗），與實(shí)際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當的平衡。優(yōu)秀的器件應該允許一定的設計自由度，以便在不對工藝和版圖進(jìn)行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而，關(guān)鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻，并結合其他重要的參數。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個(gè)標準，或許還
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基本半導體車(chē)規級碳化硅芯片產(chǎn)線(xiàn)正式通線(xiàn)

4月24日，基本半導體車(chē)規級碳化硅芯片產(chǎn)線(xiàn)通線(xiàn)儀式在深圳市光明區舉行。此次車(chē)規級碳化硅芯片產(chǎn)線(xiàn)的成功通線(xiàn)，是基本半導體打造國產(chǎn)碳化硅功率器件IDM領(lǐng)先企業(yè)的一大重要戰略布局。據官微介紹，基本半導體車(chē)規級碳化硅芯片產(chǎn)線(xiàn)項目獲得國家工信部的產(chǎn)業(yè)專(zhuān)項支持，并連續兩年入選深圳市年度重大項目，廠(chǎng)區面積13000平方米，配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等專(zhuān)業(yè)設備，主要產(chǎn)品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等，產(chǎn)線(xiàn)達產(chǎn)后每年可保障約50萬(wàn)輛新能源汽車(chē)的相關(guān)芯片需求。項目通過(guò)打造垂直整合制造模式，加快設計、制造共同迭代
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德國博世收購美國TSI，全球半導體領(lǐng)域再添并購案

據國外媒體報道，德國博世集團于本周三表示，將收購美國芯片制造商TSI半導體公司的資產(chǎn)，以擴大其碳化硅芯片（SiC）的半導體業(yè)務(wù)。目前，博世和TSI公司已經(jīng)達成協(xié)議，但并未透露此次收購的具體細節，且這項收購還需要得到監管部門(mén)的批準。資料顯示，TSI是專(zhuān)用集成電路 (ASIC) 的代工廠(chǎng)。目前，主要開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)200毫米硅晶圓上的大量芯片，用于移動(dòng)、電信、能源和生命科學(xué)等行業(yè)的應用。而博世在半導體領(lǐng)域的生產(chǎn)時(shí)間已超過(guò)60年，在全球范圍內投資了數十億歐元，特別是在德國羅伊特林根和德累斯頓的水廠(chǎng)。博世認為，此次收購
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電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化取得重大進(jìn)展

近日，電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化工作取得重大進(jìn)展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產(chǎn)能力實(shí)現大幅提升。碳化硅外延片，指在碳化硅襯底上生長(cháng)了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半導體器件的關(guān)鍵材料。電科材料持續布局第三代半導體外延材料研發(fā)生產(chǎn)，實(shí)現一系列技術(shù)突破，在碳化硅外延領(lǐng)域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發(fā)。同時(shí)，積極與國產(chǎn)設備廠(chǎng)商合作開(kāi)發(fā)生產(chǎn)裝備，推動(dòng)碳化硅核心裝備國產(chǎn)化。未來(lái)，電科材料將持續創(chuàng )新突破，推出更多高端碳化硅材料產(chǎn)品。
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