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制程 文章 進(jìn)入制程技術(shù)社區
Aviza和SEZ就晶圓污染控制的技術(shù)展開(kāi)合作
- 美國Aviza科技公司和澳大利亞SEZ集團日前就在利用ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）技術(shù)形成高介電常數（high-k）膜時(shí)，對附著(zhù)在晶圓頂端或背面而造成元件污染的薄膜進(jìn)行清除的技術(shù)達成了合作協(xié)議（發(fā)布資料1）。 避免high-k材料造成污染的風(fēng)險 ALD技術(shù)可用于形成high-k膜，目前業(yè)界正在探討將其導入45nm工藝（hp65）以后的晶體管中。與真空濺鍍法相比，能夠形成均質(zhì)薄膜且覆蓋率高；另一方面，晶圓的頂端和
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IR推出新型12V、100A有源ORing參考設計
- 有效減少50%的元件數量和電路尺寸 全球電源管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR）近日推出一款針對+12V、100A有源應用的參考設計IRAC5001。長(cháng)期以來(lái)，在12V大電流系統中，有源ORing以其更完善的系統效率和成本優(yōu)勢成功地取代了二極管ORing。與市面上采用TO-220元件的其他方案相比，IR新推的IRAC5001解決方案進(jìn)一步將所需場(chǎng)效應管的數量減少了50%。此外，憑借IR DirectFET封裝MOSFET優(yōu)異的雙面冷卻功能，整個(gè)解決方
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南亞科技公司自建的12寸晶圓廠(chǎng)2007年投產(chǎn)
- 據港臺媒體報道，南亞科技(2408)總經(jīng)理連日昌12日表示，目前已通過(guò)董事會(huì )向母公司臺塑集團(1301)溝通，表達希望能夠自行興建12寸晶圓廠(chǎng)的意愿，預計最快在2007年時(shí)，南亞科所屬12寸晶圓廠(chǎng)將正式投產(chǎn)，初步估計此一晶圓廠(chǎng)規模將與現在華亞半導體相當，因此，南亞科于2006年將會(huì )有一波新的募資計劃，傾向以通過(guò)銀行聯(lián)貸方式進(jìn)行，不希望采用發(fā)行CB方式，避免股本過(guò)度膨脹。 環(huán)顧當前臺灣地區DRA
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Aviza與瑟思將重點(diǎn)集中于A(yíng)LD膜層的晶圓背面和倒角處的去除解決方案
- 2005年7月11日訊—經(jīng)過(guò)量產(chǎn)驗證的熱處理系統以及原子膜層沉積（ALD）的全球供應商Aviza Technology公司, 和半導體業(yè)界中單晶圓濕式處理技術(shù)的市場(chǎng)領(lǐng)先者及首要的技術(shù)創(chuàng )新者SEZ（瑟思）集團于今日聯(lián)合宣布，將攜手應對新一代IC制造過(guò)程中面臨的關(guān)于去除ALD膜層的一系列重要挑戰。協(xié)議約定，兩個(gè)公司將利用雙方的專(zhuān)家技術(shù)，共同開(kāi)發(fā)應用于A(yíng)LD高級膜層的沉積和去除等解決方案，合作重點(diǎn)將是晶圓的背面和倒角。 SEZ全球新興技術(shù)部總監Leo Archer 博士評論說(shuō)：“隨著(zhù)半導體器件的日益復
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使用光電耦合器時(shí)的部分設計考慮因素
- 設計牢靠的電子系統是一件極具挑戰性的任務(wù)。所挑釁的元器件必需滿(mǎn)足環(huán)境條件要求，其中可能包括電磁干擾、靜電放電、共模瞬變和高壓。通過(guò)提供信號隔離及高壓絕緣功能，光電耦合器解決了所有這些挑戰。 傾向較低的工作電壓以降低功耗，及縮小封裝以裝在小型電子組件的限定空間中，這些市場(chǎng)發(fā)展趨勢給設計人員帶來(lái)了新的挑戰。與印刷電路板布局、工作條件、專(zhuān)用參數和規范要求有關(guān)的其它因素也非常重要，在早期設計階段必須考慮這些因素。設計人員通?？梢赃x擇不同的解決方案和技術(shù)。本文將重點(diǎn)介紹與光電耦合器有關(guān)的部分設計考慮因素。
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泰科電子Raychem電路保護部網(wǎng)上研討會(huì )
- 【媒體邀請函】 主題： 泰科電子Raychem電路保護部的快速動(dòng)作表面貼裝保險絲產(chǎn)品介紹研討會(huì ) 隨著(zhù)消費性及便攜式電子產(chǎn)品日新月異，企業(yè)致力于如何提供高效能的電源管理及電流保護系統，為業(yè)界研發(fā)提供更具可靠性及高性能的消費性電子產(chǎn)品。泰科電子Raycham電路保護部將于6月29日（星期三）舉辦網(wǎng)上研討會(huì )。Raychem電路保護部的專(zhuān)家將會(huì )介紹所推出的全新電子芯片保險絲系列，適用于筆記本、多媒體裝置、移動(dòng)電話(huà)，以及其它便攜式電子設備。本系列快速動(dòng)作表面貼裝保險絲能為使用最高63V的DC電源系統提
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DRAM晶圓廠(chǎng)商態(tài)度轉硬 出貨報價(jià)決不妥協(xié)
- 進(jìn)入第二季底，多數DRAM廠(chǎng)原本為應對季底作帳而壓低DRAM報價(jià)，不過(guò)，由于日前合約價(jià)公布后竟逆勢上漲1～3%，讓所有DRAM廠(chǎng)吃下定心丸，不再擔心DRAM現貨價(jià)恐將因DRAM廠(chǎng)拋貨而產(chǎn)生跌價(jià)壓力。DRAM渠道商指出，現在DRAM廠(chǎng)態(tài)度可說(shuō)是相當強硬，客戶(hù)端若無(wú)法接受其報出價(jià)位，寧可不賣(mài)也不愿壓低報價(jià)。 全球DRAM最新合約價(jià)公布后，盡管無(wú)法達到DRAM廠(chǎng)原本希望上調到3～5%的幅度，但部份OEM電腦大廠(chǎng)已接受DRAM廠(chǎng)上調1～3%的事實(shí)，而DRAM廠(chǎng)之所以能順勢漲價(jià)，最重要因素在于目
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應汽車(chē)電子化半導體需求 Denso增設晶圓廠(chǎng)
- 汽車(chē)電子大廠(chǎng)Denso日前表示，為了因應汽車(chē)電子化的半導體需求，該公司計劃于生產(chǎn)據點(diǎn)—幸田制作所增設一座8吋晶圓廠(chǎng)，預定于今年6月動(dòng)工，2006年2月竣工，同年6月正式投產(chǎn)。第一階段投資預定于2006年度前投入約170億日圓；第二階段以后的投資，則將視市況需求，于2010年前分階段進(jìn)行。 幸田制作所目前月產(chǎn)能約為2萬(wàn)3000片6吋晶圓。此次增設的新廠(chǎng)，2010年以前月產(chǎn)能可望達到1萬(wàn)片8吋晶圓。屆時(shí)該據點(diǎn)總月產(chǎn)能也將達到4萬(wàn)片6吋晶圓。&nb
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TI攜手Ember打造全球最低功耗ZigBee芯片組解決方案
- TI 片上信號鏈 MSP430 MCU 使互操作無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò )成本更低、設計時(shí)間更短 2005 年 6 月 20 日 北京訊 日前，德州儀器 (TI) 宣布與 Ember 公司合作推出全球功耗最低的 ZigBee™ 網(wǎng)絡(luò )與微控制器 (MCU) 平臺。ZigBee 是一種標準化的無(wú)線(xiàn)電廣播技術(shù)，能夠滿(mǎn)足遠程監控、控制與傳感器網(wǎng)絡(luò )應用的特殊需求，這些應用包括家庭監控與報警、樓宇自動(dòng)化、工業(yè)自動(dòng)化、資產(chǎn)管理與國防安全。Ember 已將其符合 EM2420 802.15.4/Zig
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全球SDRAM市場(chǎng)回暖 兩岸晶圓代工信心重現
- 全球SDRAM市場(chǎng)需求節節攀升，下游客戶(hù)端庫存量已降至相對低點(diǎn)，加上DRAM廠(chǎng)紛將產(chǎn)能轉移至NAND型Flash，使得近來(lái)SDRAM出現難得一見(jiàn)的榮景，不僅顆粒報價(jià)水漲船高，晶圓代工廠(chǎng)商也雨露均沾，相繼調漲代工報價(jià)，其中，力晶及中芯受惠最大，近年來(lái)SDRAM價(jià)格慘澹的悲情局面，終于曙光乍現。 內存渠道商指出，目前全球SDRAM市場(chǎng)相當火熱，需求如潮涌般一波接一波，其中，來(lái)自于DVD錄放機、ADSL設備及Set top box等終端產(chǎn)品需求相當暢
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沒(méi)有ATE生成向量的精密測試
- 消費類(lèi)電子產(chǎn)品正在變得更復雜和更快速，因而使得測試成本成為問(wèn)題。大的和復雜的SoC往往是消費類(lèi)產(chǎn)品的心臟，不管它們的性能多么先進(jìn)，其成本必須是低的。各種內裝自測試（BIST）已應用于測試DUT（被測器件）的內部性能，導致產(chǎn)品較低的生產(chǎn)成本。剩下的主要問(wèn)題是快速串行接口（如PCI Express，Serial ATA，FibreChannel和Serial Rapidio）的全面測試。這些高速鏈路在計算、通信和音視頻娛樂(lè )前進(jìn)中是不可缺少的。重視測試成本是一個(gè)重要的問(wèn)題，設計人員已應用BIST技術(shù)到串行I/O
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IR推出新型DirectFET MOSFET芯片組
- 使336W轉換器效率提升至97%面積較四分之一磚小29％ 世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR）近日推出一款新型的DirectFET MOSFET芯片組。新品可配合IR近期發(fā)布的IR2086S全橋總線(xiàn)轉換器集成電路，使直流總線(xiàn)轉換器達到最高效率。這款芯片組可以提供完善的總線(xiàn)轉換器解決方案，在比四分之一磚轉換器還要小29%的電路板面積上，實(shí)現效率高達97%的336W功率。 全新的IRF6646及IRF6635適用于隔離式DC-DC轉換器總線(xiàn)
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AMD投資30億美元 在德國建造第三個(gè)晶圓廠(chǎng)
- 德國慕尼黑6月15日消息，據報道AMD正考慮在德國德累斯頓建造其第三個(gè)晶圓廠(chǎng)。位于美國加州桑尼維爾市的AMD公司即將就擴展其德累斯頓生產(chǎn)規模作出決定。AMD公司CEO Hector Ruiz對該報紙說(shuō)：“到2008年我們很可能將需要建立一個(gè)新的晶圓廠(chǎng)?！鳖A計該決定在明年年中將會(huì )作出。 據說(shuō)德國薩克森州政府已經(jīng)承認，就擴展德累斯頓生產(chǎn)事宜它們正在同AMD進(jìn)行會(huì )談。AMD的德累斯頓生產(chǎn)包括一條200mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，另外一條稱(chēng)作Fab&n
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報告顯示中國今年晶圓代工成長(cháng)率降至7.8%
- 據報道，市場(chǎng)研究公司iSuppli有報告指出，中國大陸地區晶圓代工產(chǎn)業(yè)在多年的快速成長(cháng)后，2005年成長(cháng)率將隨著(zhù)全球產(chǎn)業(yè)降溫而減緩。iSuppli預測，全球2005年專(zhuān)業(yè)晶圓代工廠(chǎng)整體營(yíng)收將減少6.2%至159億美元，低于去年的169.5億。全球今年半導體市場(chǎng)預期成長(cháng)6.1%至2411億美元。 iSuppli預估，中國今年晶圓代工產(chǎn)值可達24.9億美元，較去年成長(cháng)7.8%。預測2009年成長(cháng)至38億億美元，2004-2009年的復合年增率為10%?！? iSup
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