一片不景氣聲中　SK海力士仍決定大規模投資

　　SK海力士(SK Hynix)繼2015年之后，再度決定進(jìn)行史上最大規模投資。市場(chǎng)不景氣與大陸業(yè)者強勢跨足產(chǎn)業(yè)等種種不利因素下，SK海力士認為只有持續投資，強化技術(shù)競爭力，才能克服眼前危機。

　　據韓媒亞洲經(jīng)濟報導，SK集團(SK Group)會(huì )長(cháng)崔泰源在2011年購并虧損中的海力士，將設備投資比例大幅提高到10%以上。相對于其他業(yè)者因為市況差而不敢投資，SK海力士卻因果斷的投資，讓過(guò)去3年業(yè)績(jì)連創(chuàng )新高。

 根據市調機構DRAM eXchange資料，DDR4 4Gb模組2015年6月的價(jià)格為3.7美元，之后開(kāi)始下滑，12月時(shí)已跌到2美元。平均銷(xiāo)售單價(jià)下跌，當然很快營(yíng)收、營(yíng)業(yè)利益也會(huì )跟著(zhù)下跌。連市場(chǎng)觀(guān)察家也看衰半導體企業(yè)的2016年業(yè)績(jì)。

　　雪上加霜的是，大陸政府砸大錢(qián)扶植半導體產(chǎn)業(yè)，2015年大陸國營(yíng)企業(yè)清華紫光集團還以威騰(WD)最大股東的身分，透過(guò)威騰間接購并全球第三大NAND Flash業(yè)者新帝(SanDisk)。

　　SK海力士認為若想克服眼前危機繼續成長(cháng)，就必須強化技術(shù)競爭力。就算2016年業(yè)績(jì)展望不如前一年，也要維持研發(fā)投資的規模，繼續制程微細化與下一代存儲器的開(kāi)發(fā)。

　　SK海力士計劃投資進(jìn)行2z DRAM(20納米級)與1x DRAM(10納米級)的開(kāi)發(fā)與量產(chǎn)。透過(guò)推出講究技術(shù)的新產(chǎn)品來(lái)強化成本競爭力，也借此提高投資效率。為了改善DRAM價(jià)格下滑導致的收益衰退，也計劃增加高階產(chǎn)品DDR4與LPDDR4 DRAM的生產(chǎn)與銷(xiāo)售。

　　NAND Flash方面則計劃開(kāi)發(fā)比16納米更微細的2D架構14納米產(chǎn)品，以確保競爭力。2015年36層3D NAND Flash初期量產(chǎn)成功，2016年打算正式量產(chǎn)48層產(chǎn)品維持技術(shù)領(lǐng)先。同時(shí)致力研發(fā)屬于新成長(cháng)動(dòng)能的下一代存儲器與系統半導體，期望與后進(jìn)業(yè)者拉開(kāi)技術(shù)差距。

　　為了因應中長(cháng)期增加的需求，位于韓國利川與清州的建廠(chǎng)投資計劃也照規劃進(jìn)行。利川M14廠(chǎng)為了二期工程，投資1兆韓元(約8.3億美元)建設無(wú)塵室與電力、環(huán)境等基礎設施。又為清州新廠(chǎng)購地，近年內還會(huì )著(zhù)手整理利川新廠(chǎng)基地。

　　SK海力士引用首爾大學(xué)經(jīng)濟研究所研究結果表示，透過(guò)M14廠(chǎng)創(chuàng )造的營(yíng)收，到2021年為止可望為韓國引發(fā)55兆韓元產(chǎn)值，創(chuàng )造21萬(wàn)個(gè)就業(yè)機會(huì )。