SK海力士將砸15.5兆韓元建存儲器新工廠(chǎng)

　　日經(jīng)新聞報導,SK海力士周一宣布，將砸15.5兆韓元(125億美元)，再蓋一座新存儲器工廠(chǎng)。

　　新廠(chǎng)選址在南韓忠清南道省北部，與原海力士舊廠(chǎng)比鄰。據日經(jīng)新聞報導，海力士已取得25萬(wàn)平方公尺的土地面積，并與清州市政府簽訂合作備忘錄(MOU)，新廠(chǎng)預計將在2018年正式動(dòng)工、2019年投產(chǎn)。

　　新廠(chǎng)確切的產(chǎn)品目前還不清楚，不過(guò)海力士某官員暗示應該為NAND存儲器，若新廠(chǎng)全部投入生產(chǎn)NAND存儲器，海力士現有NAND存儲器產(chǎn)能將擴增超過(guò)兩倍。

　　此外，海力士亦宣布已開(kāi)始在現有的清州廠(chǎng)量產(chǎn)先進(jìn)的3D NAND芯片，將于4月初開(kāi)始出貨。其同業(yè)三星電子在2013年率先完成3D NAND芯片的商用化，而日本東芝公司則計劃在本月開(kāi)始出貨此類(lèi)芯片。

　　海力士目前是全球DRAM第二大廠(chǎng)，但若論NAND芯片，海力士只排第五，落后三星、東芝、SanDisk與美光。由于英特爾現正積極重返存儲器市場(chǎng)，且目標也是鎖定NAND芯片，預料未來(lái)競爭將更為激烈。