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SK海力士全球首個(gè)量產(chǎn)128層堆疊4D閃存:沖擊176層

  • SK海力士宣布,已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片,此時(shí)距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過(guò)去了八個(gè)月。SK海力士由此實(shí)現了業(yè)內最高的閃存垂直堆疊密度,單顆芯片集成超過(guò)3600億個(gè)閃存單元,每一個(gè)可存儲3個(gè)比特位,為此SK海力士應用了一系列創(chuàng )新技術(shù),比如超同類(lèi)垂直蝕刻技術(shù)、高可靠性多層薄膜單元成型技術(shù)、超快低功耗電路技術(shù),等等。同時(shí),新的128層4D閃存單顆容量1Tb(128MB),是業(yè)內存儲密度最高的TLC閃存,每顆晶圓可生產(chǎn)的比特容量也比96層堆疊增加了40%。雖然包括SK
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DRAM顆粒6月現貨價(jià)逼近生產(chǎn)成本 跌勢趨緩訊號浮現

  • DRAM價(jià)格第2季大幅走跌,根據供應鏈透露,6月起DRAM顆?,F貨價(jià)格再度走跌,主流交易規格的8Gb顆粒正式跌破3美元關(guān)卡。
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K Hynix出樣96層堆棧QLC閃存 16TB硬盤(pán)不是夢(mèng)

  • NAND閃存價(jià)格從2018年初到現在已經(jīng)連跌6個(gè)季度了,廠(chǎng)商一方面在削減產(chǎn)能以控制供需情況,另一方面也在加強低成本的NAND閃存開(kāi)發(fā),今年就會(huì )開(kāi)始從TLC閃存向QLC閃存轉變。SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存,號稱(chēng)是首個(gè)4D NAND閃存,今天該公司宣布正式出樣96層QLC閃存,核心容量1Tbit。
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三巨頭最后一家:SK海力士跨向1ynm內存時(shí)代

  • SK海力士近日宣布,將在提高第一代10nm級工藝(1xnm) DRAM內存芯片產(chǎn)能的同時(shí),今年下半年開(kāi)始銷(xiāo)售基于第二代10nm級工藝(1ynm)的內存芯片,并為下代內存做好準備。
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DRAM價(jià)格暴跌 韓國前景“一片烏云”

  •   根據據韓媒《韓鮮日報》報導,DRAM的價(jià)格接連下跌,零售的計算機用DRAM價(jià)格最終也下跌到5萬(wàn)韓元以下,這樣的走勢比預期要快許多,預計今年出口的前景也不樂(lè )觀(guān)?! ≡陧n國電子產(chǎn)品價(jià)格比較網(wǎng)“Danawa”上,本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價(jià)格是4萬(wàn)8900韓元,已經(jīng)下跌到5萬(wàn)韓元以下,與去年4月9萬(wàn)9270韓元的高點(diǎn)相比下跌了50.7%?! 2B(企業(yè)間交易)市場(chǎng)價(jià)格指標也呈暴跌的趨勢,據市調公司DRAMeXchange指出,2月底的DDR48Gb的固定交易價(jià)格是比起今年1月
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存儲三巨頭流年不利:三星/SK海力士/美光收入將暴跌29%

  •   這兩年,DRAM內存、NAND閃存市場(chǎng)跌宕起伏,也帶動(dòng)內存條、固態(tài)硬盤(pán)持續動(dòng)蕩,而作為掌握核心芯片資源的三星電子、SK海力士、美光等巨頭,自然是賺得盆滿(mǎn)缽滿(mǎn),甚至不惜刻意壓制產(chǎn)能來(lái)把控市場(chǎng)?! 〉菚r(shí)過(guò)境遷,整個(gè)市場(chǎng)風(fēng)云突變,由于季節性因素、庫存積壓、價(jià)格走低等因素影響,三巨頭的日子越來(lái)越不好過(guò)了?! 「鶕﨑igiTimes的調研數據,2018年第四季度,三星電子、SK海力士、美光的內存、閃存總收入同比大跌了26%,環(huán)比也減少了18%,其中內存17%、閃存20%?! ∮捎诖鎯π酒瑑r(jià)格跌勢不斷,下游渠道
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SK海力士:DDR5內存2020年推出,起步5200MHz

  • 近日,SK海力士負責人在接受采訪(fǎng)時(shí)表示,準備在2020年發(fā)布DDR5內存條,頻率起步5200MHz,另外DDR6內存也開(kāi)始策劃了,將在5~6年內研發(fā)。
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SK海力士首發(fā)標準DDR5內存

  •   SK海力士官方宣布,公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM內存顆粒,且是首款滿(mǎn)足JEDEC標準規范的DDR5?! 榻B,新內存采用SK海力士自家的1Ynm工藝制造,電壓是標準的1.1V,相比于DDR4 1.2V可節省30%的功耗,同時(shí)工作頻率高達5200MHz,相比于DDR4 3200MHz快了足有60%,帶寬也高達41.6GB/s,可以每秒傳輸11部全高清電影。SK海力士計劃2020年起量產(chǎn)這款新型DDR5內存顆粒?! ∈姓{機構IDC的數據顯示,DDR5內存需求將在20
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趁美國困住福建晉華 三星、SK海力士加速拉開(kāi)DRAM技術(shù)距

  • 最近中國DRAM企業(yè)福建晉華遭到美國禁止輸出半導體設備和材料,在福建晉華遇到困境的時(shí)候,韓國企業(yè)們趁機開(kāi)始加速“超差距”戰略。
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美對晉華實(shí)施禁售令,韓國廠(chǎng)從中獲利?

  •   30日起,美國對中國福建晉華實(shí)施的緊急禁售令開(kāi)始生效,間接在半導體市場(chǎng)又掀起新的漣漪。外界開(kāi)始看好韓國的半導體產(chǎn)業(yè),這樣的期盼也即時(shí)反映到股市中,30日三星電子和SK海力士皆以強漲作收,市場(chǎng)反應似乎透露三星、SK海力士有機會(huì )借此大賺貿易戰爭財?  在貿易戰的中美矛盾不斷激化的情況下,美國商務(wù)部周一(29日)緊急宣布,為了維護國家安全,對中國福建晉華集成電路實(shí)施緊急禁售令,將福建晉華列入美國產(chǎn)品、軟件和技術(shù)出口的黑名單,這與之前中興通訊受到的懲罰手法相似?! ∵@一禁令的實(shí)施,讓外界開(kāi)始觀(guān)望韓國半導體是否
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SK海力士從惠普和IDT公司購入多項專(zhuān)利,增強自身專(zhuān)利實(shí)力

  •   據外媒IAM報道,雖然SK海力士目前在美國面臨著(zhù)ITC調查,并在中國大陸遭受著(zhù)專(zhuān)利侵權問(wèn)題困擾,但近幾個(gè)月的專(zhuān)利轉讓數據表明,SK海力士仍與既有合作伙伴成功達成了數項新交易?! 蟮婪Q(chēng),SK海力士在其2018年第二季度財報中,兩次補充了專(zhuān)利組合。SK海力士先后收購了惠普(HP)和美國集成設備技術(shù)公司(IDT)的專(zhuān)利資產(chǎn)?! ?lái)自美國專(zhuān)利局(USPTO)的記錄表明,今年4月,HP 有六項專(zhuān)利轉讓給 SK 海力士。據ROL律師事務(wù)所(Richardson Oliver Law Group)2018年第二季
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三星/SK海力士推遲擴產(chǎn):內存大降價(jià)夢(mèng)碎

  • 內存價(jià)格已經(jīng)連續上漲兩年多,業(yè)內普遍預測到今年第四季度將逐步回歸正常,但還沒(méi)來(lái)得及興奮,壞消息就來(lái)了。
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SK海力士宣布業(yè)內首款4D閃存

  •   正在美舉辦的Flash Memory Summit首日已經(jīng)結束,亮點(diǎn)頗多?! eynote環(huán)節,倒數第二個(gè)出場(chǎng)(排在我國的長(cháng)江存儲前)的是SK海力士,它在NAND市場(chǎng)的全球份額排名第五,DRAM份額全球第二?! ∈紫仁?D NAND的技術(shù)路線(xiàn)選擇,SK海力士稱(chēng),CTF(Charge Trap Flash,電荷捕獲型)比Floating Gate(浮柵型)存儲單元面積更小、速度更快、更耐用(P/E次數多)?! ∑鋵?shí)三星從2013年的第一代V-NAND 3D閃存就開(kāi)始使用CTF了,東芝/西數(閃迪)的B
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傳三星、SK海力士18nm DRAM出現良率問(wèn)題,市場(chǎng)價(jià)格增添變量

  •   受惠于市場(chǎng)需求強力推升,服務(wù)器存儲器供應持續吃緊,近來(lái)市場(chǎng)傳出,存儲器龍頭廠(chǎng)三星與海力士18nm制程出現良率問(wèn)題,應用于高階服務(wù)器產(chǎn)品遭到退貨,包括美國及大陸廠(chǎng)商已要求暫時(shí)停止出貨。盡管三星對外刻意采取低調,但多家臺灣地區業(yè)者近日仍紛紛接獲消息,業(yè)界預計最快1~2個(gè)月左右應可改善良率,但由于第3季DRAM價(jià)格預期將緩步上升,如今再受到高階DRAM產(chǎn)出供不應求,將為下半年市場(chǎng)價(jià)格漲幅投下變量?! 「鶕袌?chǎng)消息傳出,三星及SK海力士先后于5月起傳出18nm制程出現質(zhì)量疑慮,并遭到數據中心客戶(hù)退貨,且在改善
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無(wú)錫SK海力士工廠(chǎng)突發(fā)火災,DRAM又要漲價(jià)了?

  • SK海力士在無(wú)錫可謂多災多難。2008年曾經(jīng)停電4個(gè)小時(shí),2013年又發(fā)生重大火災,都有大量晶圓報廢,對全球DRAM內存、NAND閃存供應造成重大影響。
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