三巨頭最后一家：SK海力士跨向1ynm內存時(shí)代

SK海力士近日宣布，將在提高第一代10nm級工藝(1xnm) DRAM內存芯片產(chǎn)能的同時(shí)，今年下半年開(kāi)始銷(xiāo)售基于第二代10nm級工藝(1ynm)的內存芯片，并為下代內存做好準備。

SK海力士首款1ynm工藝產(chǎn)品將是8Gb DDR4-3200芯片，號稱(chēng)相比1xnm工藝可將尺寸縮小20％，并將功耗降低15％。

此外，這顆新的芯片還具備四相時(shí)鐘機制，有利于提高信號強度、維持高頻穩定性，并支持感應放大控制技術(shù)(SAC)，有利于減少晶體管尺寸縮小時(shí)可能出現的數據錯誤。

有消息稱(chēng)，SK海力士還會(huì )用1ynm工藝制造DDR5、LPDDR5、GDDR6內存芯片，所以盡早部署并量產(chǎn)非常關(guān)鍵。

其實(shí)，SK海力士是內存三巨頭中最后一家大規模上1ynm工藝的，三星、美光去年就用上了。