?半導體文章進(jìn)入?半導體技術(shù)社區

創(chuàng )新的極紫外光刻技術(shù)極大地造福了半導體制造

沖繩科學(xué)技術(shù)研究所（OIST）的Tsumoru Shintake教授提出了一種超越半導體制造標準的極紫外（EUV）光刻技術(shù)?；诖嗽O計的EUV光刻可以使用更小的EUV光源，降低成本并顯著(zhù)提高機器的可靠性和壽命。它的功耗也不到傳統EUV光刻機的十分之一，有助于半導體行業(yè)變得更加環(huán)?？沙掷m。通過(guò)解決兩個(gè)以前被認為在該領(lǐng)域不可克服的問(wèn)題，這項技術(shù)得以實(shí)現。第一個(gè)問(wèn)題涉及一種僅包含兩個(gè)鏡子的全新光學(xué)投影系統。第二個(gè)問(wèn)題涉及一種新的方法，可以有效地將EUV光引導到平面鏡（光掩模）上的邏輯圖案，而不會(huì )阻擋光學(xué)路徑。E
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美國的半導體賭博：對逐漸消逝的主導地位的絕望抓取

美國在技術(shù)領(lǐng)域的影響力逐漸減弱，為了維持對中國的技術(shù)優(yōu)勢，不得不采取越來(lái)越絕望的措施。拜登政府最近推動(dòng)的嚴格的半導體出口管制不僅揭示了以往政策的失敗，也有可能疏遠重要盟友，進(jìn)而瓦解西方技術(shù)霸權的結構。華盛頓最近試圖通過(guò)更嚴格的出口管制來(lái)加強對全球半導體貿易的控制，這表明其過(guò)去的戰略已告失敗。政府現在正在利用外國直接產(chǎn)品規則（FDPR）作為嚴厲威脅，試圖通過(guò)脅迫讓不情愿的盟友屈服。這一極端措施允許美國對使用了哪怕是最少量美國技術(shù)的外國制造產(chǎn)品實(shí)施管制，旨在迫使像日本的東京電子有限公司和荷蘭的ASML控股公司
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YMTC芯片制造商的首席執行官表示，中國將在3到5年內迎來(lái)“爆炸性”半導體增長(cháng)

一位中國半導體行業(yè)高管預測，在封裝應用和技術(shù)方面的優(yōu)勢支持下，中國將在未來(lái)三到五年內迎來(lái)“爆炸性增長(cháng)”，為國家克服美國技術(shù)限制開(kāi)辟道路。據中國國家電視臺報道，中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )（CSIA）會(huì )長(cháng)、中國最大的存儲芯片制造商長(cháng)江存儲技術(shù)有限公司（YMTC）負責人陳南翔表示，國家正在探索一種新的市場(chǎng)導向型行業(yè)模式，放棄依賴(lài)大學(xué)和研究機構的舊模式。陳南翔在接受中國中央電視臺英語(yǔ)頻道CGTN采訪(fǎng)時(shí)表示：“[今天的重點(diǎn)]是產(chǎn)業(yè)、產(chǎn)品、服務(wù)和商業(yè)模式的創(chuàng )新，這些最終必須帶來(lái)價(jià)值?！?他在接受CGTN采訪(fǎng)時(shí)說(shuō)，“中國的芯片
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Onsemi推出新一代碳化硅半導體

美國半導體制造商O(píng)nsemi推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺，用于電動(dòng)汽車(chē)和其他應用。與前幾代相比，該平臺可減少30%的導通損耗和高達50%的關(guān)斷損耗。據Onsemi稱(chēng)，所謂的EliteSiC M3e MOSFETs還提供了業(yè)界最低的特定導通電阻，并具有短路能力，這對牽引逆變器市場(chǎng)至關(guān)重要。在電動(dòng)汽車(chē)中，逆變器將電池的直流電轉換為電動(dòng)機所需的交流電。轉換損耗和冷卻需求越低，車(chē)輛在相同電池容量下的續航里程就越大。具體示例：封裝在Onsemi的功率模塊中，“1200V M3e芯片比以前的EliteSiC技術(shù)提供了
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歐盟和韓國合作推進(jìn)半導體技術(shù)

歐盟與韓國簽署協(xié)議，合作開(kāi)發(fā)半導體技術(shù)。這一合作將作為歐盟和韓國數字伙伴關(guān)系的成果，共同資助四個(gè)半導體項目。根據歐盟和韓國數字伙伴關(guān)系的安排，這些項目將共同籌集1200萬(wàn)歐元資金。其中一半來(lái)自歐盟的“Horizon Europe”計劃下的芯片聯(lián)合企業(yè)，另一半來(lái)自韓國國家研究基金會(huì )（NRF）。所選項目包括：ENERGIZENEHILHAETAEViTFOX這些項目將持續三年，旨在推進(jìn)異構集成技術(shù)（將多個(gè)組件集成到一個(gè)半導體中）以及優(yōu)化仿生神經(jīng)技術(shù)（模仿人腦功能）。加強歐盟與韓國的合作將結合歐洲和韓國研究與創(chuàng )
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中國團隊研究解決了減少傳統硅基芯片尺寸的關(guān)鍵障礙

中國科學(xué)家們研發(fā)出一種超薄半導體材料，這一進(jìn)展可能會(huì )帶來(lái)更快、更節能的微芯片。由北京大學(xué)的劉開(kāi)輝、人民大學(xué)的劉燦和中國科學(xué)院物理研究所的張光宇領(lǐng)導的團隊，開(kāi)發(fā)了一種制造方法，可以生產(chǎn)厚度僅為0.7納米的半導體材料。研究人員的發(fā)現于7月5日發(fā)表在同行評議期刊《科學(xué)》上，解決了減少傳統硅基芯片尺寸的關(guān)鍵障礙——隨著(zhù)設備的縮小，硅芯片遇到了影響其性能的物理極限。這些科學(xué)家探討了二維（2D）過(guò)渡金屬二硫化物（TMDs）作為硅的替代品，其厚度僅為0.7納米，而傳統硅芯片的厚度通常為5-10納米。TMDs還消耗更少的
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美國計劃對中國半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)施“嚴厲”制裁：報告

美國政府正在考慮對中國獲取先進(jìn)芯片制造工具的限制措施，這些措施甚至被一些美國盟友稱(chēng)為“嚴厲”。主要提案包括應用外國直接產(chǎn)品（FDP）規則，施壓盟友限制在中國的設備服務(wù)和維修，以及擴大需要許可證的未核實(shí)清單的范圍。這些措施旨在阻礙中國半導體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。一個(gè)關(guān)鍵提案是應用FDP規則，這將允許美國對包含任何美國技術(shù)的外國生產(chǎn)的物品施加控制。根據彭博社的報道，這將特別影響像東京電子和阿斯麥（ASML）這樣的公司，限制它們向中國提供先進(jìn)的晶圓制造設備（WFE）。這一措施被美國盟友視為“嚴厲”，但反映了美國政府限制中
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DARPA投資8400萬(wàn)美元用于3D軍用芯片組

五角大樓的高級研究項目局（DARPA）撥款8.4億美元，用于開(kāi)發(fā)美國軍方的下一代半導體微系統。這筆資金的受益者是德州電子研究所（TIE），該機構成立于2021年，位于德克薩斯大學(xué)奧斯汀分校，并作為一個(gè)由德州州政府和地方政府、芯片公司和學(xué)術(shù)機構組成的聯(lián)盟運營(yíng)。TIE的研究重點(diǎn)是異構集成技術(shù)，通常稱(chēng)為芯片組——將單獨的硅片封裝在一起形成完整的芯片。AMD等公司的處理器就廣泛使用這種方法：現代的AMD Ryzen或Epyc處理器包括多個(gè)硅片，每個(gè)硅片包含CPU核心和IO電路。由于TIE在這一領(lǐng)域的半導體研發(fā)經(jīng)驗
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美國：非法芯片流向俄羅斯減少，但中國和香港仍是轉運中心

通過(guò)香港向俄羅斯運輸的高優(yōu)先級物品（CHPL）減少了28%（2024年1月至5月）——美國商務(wù)部提供給路透社的數據 2023年通過(guò)香港/中國運輸的Nvidia產(chǎn)品達1760萬(wàn)美元——C4ADS數據香港是全球規避制裁的“領(lǐng)先”中心——新CFHK報告高端芯片通過(guò)香港從Nvidia和Vectrawave運出香港政府表示不會(huì )執行單邊美國制裁
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7nm等光刻機沒(méi)有也無(wú)妨！中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )理事長(cháng)：先進(jìn)封裝是未來(lái)

7月22日消息，據國內媒體報道稱(chēng)，中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )理事長(cháng)陳南翔近日接受采訪(fǎng)時(shí)表示，中國集成電路產(chǎn)業(yè)仍在路上，未來(lái)一定孕育巨大成功模式?！霸?0年前，我不曾想過(guò)中國半導體產(chǎn)業(yè)能有如今的發(fā)展規模，但是在過(guò)去的20年我們可以清楚的看到，未來(lái)中國一定會(huì )有今天這樣的發(fā)展?！标惸舷璺Q(chēng)，不過(guò)，當下還不是中國半導體產(chǎn)業(yè)最好的發(fā)展狀態(tài)，中國最好的狀態(tài)正在路上。陳南翔指出，當前看到的三星正在做的三納米和英特爾正在做的三納米都是不一樣的，有著(zhù)各自的定義?！耙郧澳柖捎行У臅r(shí)候，在每一個(gè)節點(diǎn)上，大家都知道三年后如何發(fā)展、六年
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美限制對華高科技投資新規年底出臺 AI半導體量子計算機全數封殺

受到美國即將出臺的限制華投資法案影響，許多早已在中國高科技領(lǐng)域投資的美國投資公司將面臨退出或分拆的命運，而此項新法規將可能使美國資本失去參與未來(lái)半導體、量子計算機或人工智能（AI）等高科技發(fā)展的機會(huì )。據《芯智訊》報導，今年6月底美國財政部發(fā)布了「關(guān)于實(shí)施對外投資行政命令的擬議規則」（NPRM），限制美國人在中國半導體和微電子、量子信息技術(shù)、人工智能系統等領(lǐng)域的投資。該擬議規則目前正在征求意見(jiàn)，預計最終法規將在2024年底前出臺。法令出臺后，一些仍在中國高科技產(chǎn)業(yè)投資的美國企業(yè)可能要被迫剝離他們在中國高科技
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美國將向臺灣環(huán)球晶圓公司提供高達4億美元資金以提升美國半導體晶圓生產(chǎn)

華盛頓，7月17日——美國商務(wù)部周三表示，計劃向臺灣環(huán)球晶圓（6488.TWO）提供高達4億美元的政府補助金，以顯著(zhù)增加硅晶圓的生產(chǎn)。商務(wù)部表示，德克薩斯州和密蘇里州的項目資金將建立美國首個(gè)用于先進(jìn)半導體的300毫米晶圓生產(chǎn)，并擴大絕緣體上硅（SOI）晶圓的生產(chǎn)。這些晶圓是先進(jìn)半導體的重要組成部分，是拜登政府推動(dòng)芯片供應鏈努力的一部分。計劃中的補貼將支持環(huán)球晶圓在兩州計劃的40億美元投資，以建設新的晶圓制造設施，并創(chuàng )造1700個(gè)建筑工作崗位和880個(gè)制造工作崗位。商務(wù)部長(cháng)吉娜·雷蒙多表示：
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為何非洲可能成為芯片業(yè)務(wù)的下一個(gè)半導體生態(tài)系統

美國貿易與發(fā)展署與肯尼亞的合作關(guān)系標志著(zhù)將非洲融入全球半導體供應鏈的重大舉措，這表明該大陸在這一高科技產(chǎn)業(yè)中的崛起。肯尼亞、尼日利亞、盧旺達和加納等非洲國家提供了豐富的半導體生產(chǎn)所需的關(guān)鍵礦物，以及年輕、精通技術(shù)的人口，準備推動(dòng)創(chuàng )新和技術(shù)進(jìn)步。投資非洲的半導體產(chǎn)業(yè)不僅可以降低供應鏈風(fēng)險和成本，還可以促進(jìn)可持續的經(jīng)濟發(fā)展、創(chuàng )造就業(yè)機會(huì )和技術(shù)進(jìn)步，惠及非洲經(jīng)濟及其西方合作伙伴。美國貿易與發(fā)展署與肯尼亞合作提升東非國家半導體制造業(yè)的最近公告，是將非洲大陸納入全球半導體供應鏈的重要一步。這一發(fā)展標志著(zhù)
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美國計劃對中國半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)施“嚴厲”制裁

據報道，美國政府正在考慮對中國獲取先進(jìn)芯片制造工具實(shí)施更嚴厲的限制措施，甚至有一些美國盟友稱(chēng)這些措施為“嚴厲”。主要提議包括應用外國直接產(chǎn)品（FDP）規則，施壓盟友限制在中國的設備服務(wù)和維修，以及擴大需要許可證的未驗證名單的范圍。這些措施旨在阻礙中國半導體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。其中一個(gè)關(guān)鍵提議是應用FDP規則，這將允許美國對包含任何美國技術(shù)的外國生產(chǎn)項目進(jìn)行控制。根據彭博社的報道，這將特別影響東京電子和阿斯麥等公司，限制它們向中國提供先進(jìn)的晶圓制造設備（WFE）。盡管這一措施被美國盟友視為“嚴厲”，但它反映了政府限
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印度政府今年不太可能啟動(dòng)第二輪半導體補貼計劃

盡管已開(kāi)始向美光公司2.75億美元的芯片工廠(chǎng)發(fā)放補貼資金，但電子與信息技術(shù)部（MeitY）希望在其他項目的撥款開(kāi)始之前，暫緩申請下一輪芯片計劃的資金。印度政府表示，迄今批準的四個(gè)項目將從7600億盧比（約100億美元）的半導體計劃中耗資約5900億盧比。在過(guò)去一年中，7600億盧比（100億美元）半導體補貼計劃中約78%的資金已承諾給四個(gè)項目。根據消息來(lái)源，印度政府今年不太可能宣布后續的補貼方案。電子與信息技術(shù)部（MeitY）將在首次計劃的資金撥付大部分完成后，再申請第二輪計劃的資金。信息技術(shù)部長(cháng)阿什
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