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8155 芯片
8155 芯片 文章 進(jìn)入 8155 芯片技術(shù)社區
美國啟動(dòng)藥品與芯片進(jìn)口調查，準備單獨加征關(guān)稅？
- 4月15日消息，美國時(shí)間周一，特朗普政府發(fā)布公告，宣布正式啟動(dòng)對藥品和半導體進(jìn)口的調查，旨在以國家安全為由對這兩個(gè)行業(yè)加征關(guān)稅。相關(guān)文件將在周三發(fā)布，特朗普政府還宣布，自文件發(fā)布之日起21天為公眾意見(jiàn)征詢(xún)期，表明特朗普政府計劃根據《1962年貿易擴展法》第232條的授權來(lái)推進(jìn)這些關(guān)稅。這類(lèi)調查需要在啟動(dòng)后270天內完成。特朗普政府已針對銅材和木材進(jìn)口啟動(dòng)了類(lèi)似調查，其首個(gè)任期內完成的調查，為今年1月再次就職后對鋼鐵、鋁材及汽車(chē)行業(yè)加征關(guān)稅提供了依據。美國自4月5日起開(kāi)始對進(jìn)口商品征收10%的關(guān)稅。藥品和半
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比蘋(píng)果高通快一步！曝三星率先商用2nm芯片：11月進(jìn)入量產(chǎn)階段
- 4月12日消息，三星原計劃為Galaxy S25系列搭載自主研發(fā)的3nm芯片Exynos 2500，但由于三星代工部門(mén)的3nm良率未達標，Galaxy S25系列不得不全系采用高通驍龍8 Elite SoC。如今，三星押注下一代旗艦平臺Exynos 2600，這顆芯片首發(fā)采用三星2nm工藝制程。據媒體報道，三星2nm工藝制程良率已達40%，預計在今年11月正式啟動(dòng)Exynos 2600的量產(chǎn)工作，Galaxy S26系列將會(huì )全球首發(fā)Exynos 2600。值得注意的是，芯片制造商通常需達到70%-80%的
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臺積電面臨10億美元罰款和100%關(guān)稅威脅
- 4月9日，美國總統特朗普在共和黨全國委員會(huì )活動(dòng)上自爆曾威脅臺積電，若不繼續在美國投資建廠(chǎng)，其產(chǎn)品進(jìn)入美國將面臨高達100%的關(guān)稅。特朗普還批評拜登政府此前為臺積電亞利桑那州工廠(chǎng)提供66億美元補貼，主張通過(guò)稅收威脅而非財政激勵推動(dòng)制造業(yè)回流。10億美元罰款？據路透社援引知情人士透露，臺積電可能面臨10億美元或更高的罰款，作為美國對其生產(chǎn)的芯片的出口管制調查結果。臺積電被指控通過(guò)第三方為中國大陸科技企業(yè)代工生產(chǎn)近300萬(wàn)顆AI芯片，而根據美國出口管制條例，違規交易最高可被處以交易金額兩倍的罰款。臺積電在一份聲
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谷歌迄今最強芯！第七代TPU發(fā)布：內存容量高達192GB
- 4月10日消息，據報道，在本周的Cloud Next大會(huì )上，Google發(fā)布了第七代TPU AI加速器芯片——Ironwood。Google Cloud副總裁Amin Vahdat表示：Ironwood是我們迄今為止功能最強大、性能最強、最節能的 TPU。它專(zhuān)為大規模支持思考和推理AI模型而設計。首先在計算性能上，Ironwood實(shí)現4614 TFLOP的峰值算力，配備192GB專(zhuān)用RAM和7.4Tbps超高帶寬，確保數據高速傳輸。其次，芯片間互連(ICI)帶寬提升至1.2Tbps，較前代提升50%，大幅
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三星已組建專(zhuān)注于1nm芯片開(kāi)發(fā)的團隊 量產(chǎn)目標定于2029年
- 2nm GAA 工藝進(jìn)展被傳順利，但三星的目標是通過(guò)推出自己的 1nm 工藝來(lái)突破芯片開(kāi)發(fā)的技術(shù)限制。一份新報告指出，該公司已經(jīng)成立了一個(gè)團隊來(lái)啟動(dòng)這一工藝。然而，由于量產(chǎn)目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時(shí)間才能看到這種光刻技術(shù)的應用。1nm 晶圓的開(kāi)發(fā)需要“高 NA EUV 曝光設備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。另一方面，臺積電也正在推出 2 納米以下芯片，據報道，這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開(kāi)始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA 技術(shù)的試產(chǎn)過(guò)程中
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拓撲半金屬？未來(lái)的芯片需要比銅更好的材料
- 如果你需要將電子從這里移動(dòng)到那里，你可以求助于銅。這種常見(jiàn)元素是一種極好的導體，很容易制成電線(xiàn)和電路板走線(xiàn)。但是，當你變小時(shí)，情況就會(huì )發(fā)生變化：在納米尺度上真的非常小。相同的銅顯示出越來(lái)越大的電阻，這意味著(zhù)更多的電信號會(huì )因熱量而損失。為更小、更密集的設備供電可能需要更多的能量，這與您想要的微型電子設備正好相反。斯坦福大學(xué)的研究人員在 Eric Pop 實(shí)驗室由 Asir Intisar Khan 領(lǐng)導，一直在試驗一種按比例縮小到約 1.5 納米厚度的新型薄膜。他們發(fā)現，隨著(zhù)這
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英偉達計劃在未來(lái)四年斥資5000億美元采購芯片和電子產(chǎn)品
- 3月24日消息，近日，英偉達首席執行官黃仁勛表示，英偉達計劃在未來(lái)四年內斥資數千億美元采購美國制造的芯片和電子產(chǎn)品。英偉達設計的最新芯片以及用于數據中心的英偉達驅動(dòng)服務(wù)器，現在可于臺積電和鴻海在美國運營(yíng)的工廠(chǎng)生產(chǎn)。黃仁勛稱(chēng)，“總體而言，在未來(lái)四年里，我們將采購總額可能達到5000億美元的電子產(chǎn)品。我認為我們可以很容易地看到，我們在美國制造了數千億個(gè)這樣的產(chǎn)品?！秉S仁勛還表示，英偉達正與臺積電、富士康等公司合作，將制造業(yè)務(wù)轉移到美國本土。黃仁勛稱(chēng)，此舉將增強供應鏈韌性。對于市場(chǎng)傳聞的“英偉達可能投資英特爾”
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黃仁勛回應DeepSeek沖擊：算力需求將被推高，芯片反而更吃緊
- 英偉達CEO黃仁勛最新表示，中國人工智能企業(yè)DeepSeek發(fā)布的R1模型只會(huì )增加對計算基礎設施的需求，因此，擔憂(yōu)“芯片需求可能減少”是毫無(wú)根據的。當地時(shí)間周三（3月19日），黃仁勛在GTC大會(huì )與分析師和投資者會(huì )面時(shí)表示，外界先前對“R1可能減少芯片需求”的理解是完全錯誤的，未來(lái)的計算需求甚至會(huì )變得要高得多。今年1月時(shí)， DeepSeek發(fā)布的R1模型引發(fā)了市場(chǎng)轟動(dòng)，該模型開(kāi)發(fā)時(shí)間僅兩個(gè)月，成本不到600萬(wàn)美元，僅用約2000枚英偉達芯片，但R1在關(guān)鍵領(lǐng)域的表現能媲美OpenAI的最強推理模型o1。這導致
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惠普推出全球首批抗量子攻擊打印機，搭載新型 ASIC 芯片
- 3 月 19 日消息，惠普在其 Amplify Conference 2025 會(huì )議上宣布推出首批可抵御量子計算機密碼破譯攻擊的打印機產(chǎn)品，包括 Color LaserJet Enterprise MFP 8801、Mono MFP 8601、LaserJet Pro Mono SFP 8501 三大型號?；萜毡硎具@些打印機均采用量子彈性設計，搭載了采用抗量子加密技術(shù)設計的新型 ASIC，該芯片增強了打印機的安全性和可管理性，能防止針對 BIOS 和固件的量子攻擊，并支持固件數字簽名驗證。此外這些
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消息稱(chēng) SK 海力士將獨家供應英偉達 12 層 HBM3E 芯片
- 3 月 18 日消息，據臺媒 digitimes 今日消息，SK 海力士預計將獨家供應英偉達 Blackwell Ultra 架構芯片第五代 12 層 HBM3E，預期與三星電子、美光的差距將進(jìn)一步拉大。SK 海力士于去年 9 月全球率先開(kāi)始量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片，實(shí)現了最大 36GB 容量。12 層 HBM3E的運行速度可達 9.6Gbps，在搭載四個(gè) HBM 的 GPU 上運行‘Llama 3 70B’大語(yǔ)言模型時(shí)每秒可讀取 35 次 700 億個(gè)整體參數的水平。去年 11 月，SK
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基辛格：芯片加關(guān)稅以促進(jìn)半導體供應鏈回流美國
- 臺積電擴大投資美國千億美元（約新臺幣3.3兆）未來(lái)將興建3座晶圓廠(chǎng)、2座先進(jìn)封裝廠(chǎng)及1座研發(fā)中心，從研發(fā)到制造全面布局。 英特爾前CEO基辛格（Pat Gelsinger）近日再度公開(kāi)喊話(huà)，重建半導體供應鏈應該敦促供應鏈移往美國，并對芯片課關(guān)稅。綜合外媒報導，基辛格對于臺積電擴大投資美國持正面態(tài)度，他稱(chēng)贊臺積電很棒，但臺積電在美國沒(méi)有研發(fā)中心（R&D）且擁有研發(fā)能力相當關(guān)鍵，長(cháng)期創(chuàng )新與研發(fā)將帶領(lǐng)任何產(chǎn)業(yè)往前邁進(jìn)。另一方面，基辛格又暗示地緣政治風(fēng)險，基辛格表示：「據波士頓顧問(wèn)公司BCG的研究，中國臺
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三星已于去年底量產(chǎn)第四代 4 納米芯片，全力追趕臺積電
- 3 月 11 日消息，據 ZDNet Korea 今日報道，三星電子 11 日的業(yè)務(wù)報告稱(chēng)，三星電子第四代 4 納米工藝（SF4X）已于去年 11 月開(kāi)始量產(chǎn)。由于該工藝專(zhuān)注于人工智能等高性能計算（HPC）領(lǐng)域，預計將在三星代工業(yè)務(wù)的復蘇中發(fā)揮關(guān)鍵作用。三星第一代 4 納米于 2021 年量產(chǎn)。圖源：三星電子據了解，與前幾代相比，三星的第四代 4 納米芯片采用了先進(jìn)的后端連線(xiàn)（BEOL）技術(shù)，能夠顯著(zhù)提升芯片的整體性能，同時(shí)降低制造成本。此外，該芯片還配備了高速晶體管，還支持 2.5D 和 3D 等下一代
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美擬對中國成熟制程芯片加征關(guān)稅 專(zhuān)家：美國處于兩難局面
- 3月11日消息，美國貿易代表辦公室將于當地時(shí)間11日，就中國大陸制造的成熟制程芯片（傳統芯片）舉行聽(tīng)證會(huì )。此舉可能將會(huì )推動(dòng)特朗普政府對來(lái)自中國大陸的傳統芯片加征更多的關(guān)稅。據媒體報道，中國社科院美國問(wèn)題專(zhuān)家呂祥采訪(fǎng)時(shí)表示，目前中國在存儲芯片方面的產(chǎn)能和技術(shù)都在顯著(zhù)提高，美國試圖限制中國的出口和產(chǎn)能發(fā)展，但中國生產(chǎn)的高性能芯片在全球市場(chǎng)具有很大優(yōu)勢，目前美國處于兩難的局面。據了解，早在2024年12月23日，前拜登政府就宣布，要求美國貿易代表辦公室發(fā)起301條款調查，以審查中國將傳統半導體作為主導地位的目標
- 關(guān)鍵字： 芯片 工藝制程
消息稱(chēng)美版 2025 款 iPad（A16）所用芯片產(chǎn)自臺積電美國工廠(chǎng)
- 3 月 10 日消息，科技媒體 9to5Mac 昨日（3 月 9 日）發(fā)布博文，報道認為蘋(píng)果最新推出的 2025 款 11 英寸 iPad（A16）平板不僅提升了產(chǎn)品性能，還通過(guò)使用美國制造的芯片獲得戰略?xún)?yōu)勢。位于美國亞利桑那州的臺積電工廠(chǎng)美國于 2024 年開(kāi)始試產(chǎn) 4 納米芯片，臺積電已在亞利桑那州 Fab 21 工廠(chǎng)第一期工程小規模生產(chǎn) A16 芯片，雖然數量有限，但意義重大。消息稱(chēng)伴隨著(zhù)一期工程第二階段完成，該工廠(chǎng)將大幅提升產(chǎn)能，預計 2025 年上半年達到目標產(chǎn)量。蘋(píng)果沒(méi)有計劃讓 2025 款
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8155 芯片介紹
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