臺系DRAM廠(chǎng)3Q虧損175億元　4Q可望飛越損平點(diǎn)

　　受惠DRAM價(jià)格谷底翻身，臺系DRAM廠(chǎng)第3季虧損金額大幅縮小，合計力晶、茂德、南亞科和華亞科4家DRAM廠(chǎng)共虧新臺幣175億元，累計前3季虧損731億元，其中茂德虧損最多，華亞科虧損金額最小，展望第4季，DRAM價(jià)格持續走強越過(guò)2.5美元后，頗有朝3美元的實(shí)力，各廠(chǎng)全產(chǎn)能投片后，可望力拼單月?lián)p益兩平，其中力晶旗下瑞晶第3季已轉虧為盈，力晶董事長(cháng)黃崇仁也表示，若報價(jià)維持在2.5美元水平，第4季也有機會(huì )擠身獲利之林。

　　DRAM 產(chǎn)業(yè)在2008年此時(shí)受到供過(guò)于求嚴重失衡的影響，虧損嚴重到一度將存儲器產(chǎn)業(yè)鏈連根拔起，經(jīng)濟部更成立臺灣創(chuàng )新存儲器公司(TIMC)解決臺灣DRAM 產(chǎn)業(yè)沒(méi)有技術(shù)的窘境，然1年過(guò)去，在奇夢(mèng)達(Qimonda)退出市場(chǎng)，各廠(chǎng)大幅減少、半導體景氣復蘇的帶動(dòng)下，三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)等大廠(chǎng)財報都轉虧為盈，臺系DRAM廠(chǎng)第3季虧損也大幅減少，有走出陰霾的跡象，可望跟隨國際大廠(chǎng)腳步，第4季朝損益平衡邁進(jìn)。

　　臺系DRAM廠(chǎng)包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家，第3季合計虧損175億元，累計前3季共虧損731億元，以第3季來(lái)看，茂德虧損金額最高，達 68.23億元，也是唯一虧損大于營(yíng)收的DRAM廠(chǎng)，主因為茂德回復產(chǎn)能的速度緩慢所致，合計前3季財報虧損179.58億元，每股稅后虧損3.06元。

　　力晶第3季則是大幅縮小虧損至42.99億元，主要是受惠力晶第2季末已開(kāi)始增產(chǎn)，趕上DRAM價(jià)格回升的腳步，目前力晶采用65奈米制程技術(shù)，總成本約 1.6~1.7美元，黃崇仁表示，若DRAM現貨價(jià)可維持在2.5美元以上，力晶全產(chǎn)能開(kāi)出后，第4季可望能見(jiàn)到轉虧為盈。

　　力晶目前12寸晶圓廠(chǎng)已全產(chǎn)能投片中，標準型DRAM全產(chǎn)能的數量約8萬(wàn)片水平，未來(lái)將進(jìn)一步導入終極微縮版65奈米制程，計劃將成本進(jìn)一步下降至1.3~1.4美元。此外，力晶旗下的瑞晶已開(kāi)始獲利，第3季成功轉虧為盈，目前12寸晶圓廠(chǎng)的滿(mǎn)載產(chǎn)能約8萬(wàn)片，也計劃進(jìn)一步導入終極微縮版65奈米制程。

　　以第3季財報來(lái)看，虧損最少的DRAM廠(chǎng)是華亞科，第3季僅小虧25.24億元，累計前3季虧損119.52億元。其實(shí)以目前DRAM價(jià)格來(lái)看，南亞科和華亞科都具備賺錢(qián)的條件，惟目前必須將大部分的產(chǎn)能準備轉進(jìn)50奈米制程，因此無(wú)法大量投片。

　　整體來(lái)看，DRAM廠(chǎng)財報已證實(shí)產(chǎn)業(yè)走出谷底，目前DRAM現貨價(jià)已站上2.5美元，合約價(jià)格也是續漲，整體價(jià)格趨勢有往3美元邁進(jìn)的實(shí)力，隨著(zhù)國際大廠(chǎng)開(kāi)始賺錢(qián)，臺廠(chǎng)也具備轉虧為盈的實(shí)力，產(chǎn)業(yè)觸底翻彈趨勢確立。