三星看好PCM內存潛力 有望取代NAND和NOR閃存

　　三星表示,PCM(相變內存)所具有的體積小及節電優(yōu)勢可能讓這種內存替代現有的移動(dòng)存儲形式.

　　多年來(lái),半導體廠(chǎng)商一直在致力研究PCM內存,不過(guò),它一直處于試驗階段.PCM內存當中包含有類(lèi)似玻璃的材料,當其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會(huì )發(fā)生改變,晶體的變化對應計算上的0,1狀態(tài),從而可以用于數據存儲.

　　一直以來(lái),包括英特爾和英飛凌在內的很多公司都在從PCM的研發(fā),他們試圖將這種存儲器的體積減小,增存儲加速度與容量.支持PCM的人士認為,PCM最終可能取代NAND和NOR閃存.

　　三星半導體公司的技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Harry Yoon認為,PCM最早將被應用于手機等移動(dòng)設備當中,它可以節省30%的耗電.

　　三星已經(jīng)開(kāi)始制造512Mb的PCM內存,三星將根據需求提高其產(chǎn)量.

　　分析師們認為,盡管PCM內存的研究取得了不小進(jìn)步,但這種內存仍然處于研究階段,要想取代現有的內存形式尚需多年時(shí)間.Objective Analysis研究機構的分析師Jim Handy表示,PCM內存取代現有的移動(dòng)設備存儲需要多年時(shí)間.

　　Handy還表示,PCM內存的制造在一定的工藝下會(huì )變得可行,目前,內存制程為34納米水平,PCM內存制造需要將工藝制程降至10到12納米水平.

　　分析師們表示,PCM內存可能取代現有移動(dòng)設備當中的NOR閃存.Forward Insights公司分析師Gregory Wong說(shuō),和NOR閃存相比,PCM內存的數據訪(fǎng)問(wèn)速度更快,耐受性更好.與現有的內存相比,PCM可以極大節省耗電.

　　PCM要想擠掉NAND,價(jià)格是一大障礙.

　　東芝最近表示,自己可以用10納米制程生產(chǎn)NAND閃存.在芯片體積上,NAND與PCM有得一拼.不過(guò),NAND也有發(fā)展極限,到那時(shí),PCM內存可能大行其道.

　　短期來(lái)看,PCM還需要克服研發(fā)以及成本的障礙.

　　不過(guò),分析師認為,三星宣布制造PCM內存是一個(gè)里程碑式的事件.Handy說(shuō):“PCM內存由此步入大規模生產(chǎn)階段.”

　　英特爾和STMicroelectronics成立了Numonyx合資公司,該公司也開(kāi)始PCM設備的商業(yè)發(fā)售.三星和Numonyx今年初宣布,他們將聯(lián)合制定PCM規范.

　　除了PCM,業(yè)界還在開(kāi)發(fā)其它內存技術(shù),包括MRAM(磁阻隨機存取內存)以及RRAM(非揮發(fā)性阻抗存儲器).