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34納米
34納米 文章 進(jìn)入34納米技術(shù)社區
美光推出NAND與低功率DRAM多芯片封裝產(chǎn)品
- 美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業(yè)界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結合，生產(chǎn)出了市場(chǎng)上最先進(jìn)的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產(chǎn)品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產(chǎn)品以智能手機、個(gè)人媒體播放器和新興的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設備為應用目標。較小的外形尺寸、低成本和節能是這類(lèi)應用的核心特色。 美光公司目前向客戶(hù)推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產(chǎn)品，預計于2010年初投入量產(chǎn)。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
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三星看好PCM內存潛力 有望取代NAND和NOR閃存
- 三星表示,PCM(相變內存)所具有的體積小及節電優(yōu)勢可能讓這種內存替代現有的移動(dòng)存儲形式. 多年來(lái),半導體廠(chǎng)商一直在致力研究PCM內存,不過(guò),它一直處于試驗階段.PCM內存當中包含有類(lèi)似玻璃的材料,當其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會(huì )發(fā)生改變,晶體的變化對應計算上的0,1狀態(tài),從而可以用于數據存儲. 一直以來(lái),包括英特爾和英飛凌在內的很多公司都在從PCM的研發(fā),他們試圖將這種存儲器的體積減小,增存儲加速度與容量.支持PCM的人士認為,PCM最終可能取代NAND和NOR閃存. 三星半導體
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英特爾美光聯(lián)合推出34納米閃存芯片
- 英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤(pán)的高數據容量閃存技術(shù)。這兩家公司稱(chēng)，他們已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了基于34納米技術(shù)的NAND閃存芯片，存儲容量為每個(gè)儲存單元3比特。這個(gè)存儲密度高于目前標準的每個(gè)存儲單元2比特的技術(shù)，從而將實(shí)現高容量的優(yōu)盤(pán)。 美光NAND閃存營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Kevin Kilbuck說(shuō)，雖然在一個(gè)存儲單元加入更多比特的數據能夠提供更大的數據密度，但是，這種做法沒(méi)有基于更標準的技術(shù)的閃存那樣可靠。因此，每個(gè)儲存單元3比特的芯片最初將僅限于應用到優(yōu)盤(pán)。優(yōu)盤(pán)沒(méi)有要求固態(tài)硬盤(pán)的那種數據存儲可靠性。固
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海力士41納米通過(guò)認證 切入蘋(píng)果供應鏈
- 海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開(kāi)始活躍起來(lái)，日前更打入蘋(píng)果(Apple)iPhone 3G S供應鏈，獲得認證通過(guò)，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠(chǎng)一起「吃蘋(píng)果」! 海力士2008年下半開(kāi)始，NAND Flash出貨量變得相當少，一方面是48納米制程量產(chǎn)不順，另一方面是NAND Flash價(jià)格崩盤(pán)，導致虧損
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英特爾推出業(yè)內首款34納米NAND閃存固態(tài)硬盤(pán)
- 英特爾公司已經(jīng)開(kāi)始采用更為先進(jìn)的34納米生產(chǎn)流程制造其領(lǐng)先的NAND閃存固態(tài)硬盤(pán)(SSD)。SSD是電腦硬盤(pán)的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進(jìn)的工程設計，34 納米產(chǎn)品將使SSD的價(jià)格(與一年前推出產(chǎn)品時(shí)的價(jià)格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費者帶來(lái)實(shí)惠。 多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺式機，有80GB和160GB兩個(gè)版本可供選擇。SSD是電腦中的數據存儲設備。由于SSD不包括任何移動(dòng)部件，因此與傳統硬盤(pán)(
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英特爾、美光NAND Flash殺價(jià)大反攻 三星買(mǎi)氣清淡
- 隨著(zhù)英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程NAND Flash產(chǎn)品，應戰三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術(shù)領(lǐng)先，近期英特爾和美光在價(jià)格策略上，更是上演絕地大反攻計畫(huà)，以超低價(jià)策略搶食三星地盤(pán)。下游廠(chǎng)商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價(jià)格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價(jià)差相當驚人，而此策略亦讓英特爾陣營(yíng)近期NAND Flash產(chǎn)品詢(xún)問(wèn)度大增，三星在現貨市場(chǎng)活絡(luò )度則降低。 英特爾
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全球DRAM及NAND零售價(jià)推動(dòng)毛利率上升
- 市調機構InSpectrum認為,盡管降低報價(jià)但是仍很難促進(jìn)存儲器的銷(xiāo)售,本周6月22-26日期間,無(wú)論DRAM或者是NAND的零售價(jià)繼續因市場(chǎng)需求疲軟而下降。 原因是目前正是傳統的淡季,所以存儲器模塊的銷(xiāo)售仍很弱,但己看到DRAM的零售價(jià)開(kāi)始利潤有所好轉。 由于供應商擔心是持久力問(wèn)題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿易中間商為了促銷(xiāo)給出更大的折扣,導致同樣在零售市場(chǎng)也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價(jià)格趨勢在零售價(jià)基礎上有點(diǎn)小的波動(dòng)。雖然6月下半月無(wú)論DDR2及DDR3的價(jià)
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傳英特爾推320GB固態(tài)硬盤(pán) 采用34納米閃存芯片
- 有傳言稱(chēng)英特爾將于兩周后推新款固態(tài)硬盤(pán)。 據消息人士稱(chēng)，新款固態(tài)硬盤(pán)將使用由英特爾和美光聯(lián)合開(kāi)發(fā)的34納米NAND閃存芯片，容量高達320GB。工藝越先進(jìn)，固態(tài)硬盤(pán)的存儲密度越高，成本越低。固態(tài)硬盤(pán)將能夠取代大多數筆記本電腦中的傳統硬盤(pán)。
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Intel兩周內發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤(pán)
- 近來(lái)謠言越來(lái)越厲，市場(chǎng)盛傳英特爾將于未來(lái)2周里發(fā)布基于34納米制程NAND芯片的固態(tài)硬盤(pán)。之前有報道稱(chēng)英特爾Chipzilla芯片實(shí)驗室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過(guò)時(shí)間表早已大大推后。固態(tài)硬盤(pán)出現的時(shí)間不久，其成本高，容量有限，有時(shí)候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出，固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格將大大降低，容量也將達到320GB左右。 固態(tài)硬盤(pán)的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 34納米 MLC SLC
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34納米介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條34納米!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對34納米的理解，并與今后在此搜索34納米的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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