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12納米
12納米 文章 進(jìn)入12納米技術(shù)社區
Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片
- 這款測試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專(zhuān)用測試芯片通過(guò)加快產(chǎn)品上市進(jìn)程、提供同類(lèi)最佳性能、及確保穩健的產(chǎn)品設計，堅定客戶(hù)對Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實(shí)了Dolphin Design在混合信號IP領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。2024年2月22日，法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號、處理知識產(chǎn)權（IP）以及ASIC設計的行業(yè)領(lǐng)先供應商Dolphin De
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三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品
- 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù)，開(kāi)發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數據率同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開(kāi)始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開(kāi)發(fā)下一代DRAM內存技術(shù)領(lǐng)域中的地位，并開(kāi)啟了大容量?jì)却鏁r(shí)代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內存的基礎上，我們可以研發(fā)出實(shí)現1TB內存模組的解決方案
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三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)
- 今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內先進(jìn)的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內存產(chǎn)品與技術(shù)執行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續開(kāi)拓DRAM市場(chǎng)的決心。這不僅意味著(zhù)我們?yōu)闈M(mǎn)足計算市場(chǎng)對大規模數據處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過(guò)商業(yè)化的下一代
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三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開(kāi)發(fā)成功
- 三星電子宣布，已成功開(kāi)發(fā)出其首款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責人Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將成為推動(dòng)整個(gè)市場(chǎng)廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數據中心和AI驅動(dòng)系統等領(lǐng)域更可持續運營(yíng)的基礎。"AMD高級副總裁、企業(yè)院士兼客戶(hù)、計算
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國產(chǎn)CPU工藝進(jìn)展至16/12納米，工藝和性能雙提升
- 國產(chǎn)CPU性能水平不斷提升。日前，飛騰公司發(fā)布新一代服務(wù)器芯片騰云S2500，擁有64顆內核，采用16納米工藝，主頻達到2.0-2.2Ghz。同時(shí)有消息稱(chēng)，龍芯中科正在設計中的新一代處理器LS3A5000/3C5000基于12nm工藝，即將流片。近年來(lái)我國CPU產(chǎn)業(yè)發(fā)展很快，在工藝水平、產(chǎn)品性能上均快速接近，甚至達到國際主流水平。目前，我國CPU產(chǎn)業(yè)面臨的問(wèn)題主要是產(chǎn)業(yè)生態(tài)上的不足，希望新基建能為國產(chǎn)CPU的應用與發(fā)展提供新的契機。新一代CPU工藝和性能雙提升國產(chǎn)CPU再掀新動(dòng)作。7月23日，飛騰公司發(fā)布
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三星看好PCM內存潛力 有望取代NAND和NOR閃存
- 三星表示,PCM(相變內存)所具有的體積小及節電優(yōu)勢可能讓這種內存替代現有的移動(dòng)存儲形式. 多年來(lái),半導體廠(chǎng)商一直在致力研究PCM內存,不過(guò),它一直處于試驗階段.PCM內存當中包含有類(lèi)似玻璃的材料,當其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會(huì )發(fā)生改變,晶體的變化對應計算上的0,1狀態(tài),從而可以用于數據存儲. 一直以來(lái),包括英特爾和英飛凌在內的很多公司都在從PCM的研發(fā),他們試圖將這種存儲器的體積減小,增存儲加速度與容量.支持PCM的人士認為,PCM最終可能取代NAND和NOR閃存. 三星半導體
- 關(guān)鍵字： 三星 PCM 34納米 10納米 12納米
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