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30納米
30納米 文章 進(jìn)入30納米技術(shù)社區
瑞晶預計提前轉進(jìn)30納米制程
- DRAM報價(jià)直逼歷史低價(jià)，在DRAM產(chǎn)業(yè)籠罩一片低氣壓時(shí)，瑞晶的制程轉進(jìn)速度仍是一馬當先，原本預定2011年底前旗下所有產(chǎn)能都全數轉進(jìn)30納米制程，日前目標已提前達陣，但因母公司爾必達(Elpida)應部分客戶(hù)需要40納米制程產(chǎn)品，因此保留2萬(wàn)片產(chǎn)能在40納米，在制程轉進(jìn)成功后，預計成本可進(jìn)一步下滑，雖然相較于目前DRAM報價(jià)仍是虧錢(qián)，但仍是臺廠(chǎng)中競爭力最強的業(yè)者。 瑞晶一向是臺系DRAM廠(chǎng)中制程轉換速度最快的業(yè)者，旗下8萬(wàn)片12寸晶圓廠(chǎng)領(lǐng)先在2011年轉進(jìn)40納米制程，日前又在30納米制程上搶
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爾必達12月將啟動(dòng)30納米DRAM量產(chǎn)
- 據《日本經(jīng)濟新聞》周三報道，爾必達計劃在今年12月開(kāi)始量產(chǎn)40納米以下的DRAM芯片，此舉預計可節省生產(chǎn)成本約30%。爾必達即將量產(chǎn)的DRAM芯片線(xiàn)寬僅略大于30納米，比三星電子的最新制程更小。至目前為止，三星仍是全球首家跨入40納米制程以下的公司。 報道稱(chēng)呢個(gè)，爾必達已開(kāi)發(fā)出的“雙重曝光 (double-patterning)”新技術(shù)，能用現有的設備來(lái)達成更精細制程，而無(wú)需進(jìn)行大規模的資本投資。 爾必達位于日本廣島的工廠(chǎng)，將于12月率先量產(chǎn)新DRAM芯片;瑞晶電子
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爾必達停止研發(fā)PRAM
- 日刊工業(yè)新聞報導，由于擴展應用范圍及降低成本不易，爾必達(Elpida)計劃停止研發(fā)相位變化隨機存取存儲器 (PRAM)。 爾必達監于30納米技術(shù)已是DRAM產(chǎn)品細微化的技術(shù)極限，遂轉而研發(fā)PRAM，甚至已送樣容量為128MB的產(chǎn)品，然爾必達社長(cháng)本幸雄認為PRAM成本很難降到比Flash低，且應用范圍難以擴大，故決定停止研發(fā)該產(chǎn)品。日后研發(fā)重心將轉至矽穿孔(Through Silicon Via;TSV) 3D IC技術(shù)。 爾必達于2009年內已開(kāi)始量產(chǎn)40納米技術(shù)DRAM產(chǎn)品，緊接著(zhù)將朝
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三星電子增加下半年在半導體業(yè)務(wù)投資
- 電子行業(yè)報紙ETnews周五報導稱(chēng)，預計韓國三星電子下半年在一個(gè)半導體生產(chǎn)設施上投資至少1萬(wàn)億韓元(合7.9億美元)。 該報未指明消息來(lái)源稱(chēng)，三星下半年在芯片業(yè)務(wù)方面的資本支出料為8,000億韓元左右。 三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內活動(dòng)上稱(chēng)，三星預計下半年投資“略高于”上半年。 該公司多次拒絕透露今年的資本投資計劃規模，或是迄今的已投資額。 ETnews報稱(chēng)，芯片業(yè)務(wù)下半年的投資將側重于引進(jìn)更先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)，比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
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NAND Flash再刮大風(fēng) 30納米世代競賽起跑
- 全球NAND Flash需求仍相當疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產(chǎn)重創(chuàng )市場(chǎng)信心，然存儲器業(yè)者透露，由于東芝43納米制程NAND Flash芯片日前打入蘋(píng)果(Apple)iPhone供應鏈，推測其增產(chǎn)系為蘋(píng)果供貨做準備，近期更需關(guān)注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應戰，亦開(kāi)始準備最新版35納米制程NAND Flash芯片，且已陸續送樣給控制芯片廠(chǎng)，這不僅將對東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯(lián)盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 30納米 43納米
全球閃存市場(chǎng)達254億美元 廠(chǎng)商Q4投身30nm制程
- 據外電報道，NAND Flash(閃存)制造廠(chǎng)制程技術(shù)持續不斷推進(jìn)，集邦科技表示，各Flash制造廠(chǎng)自今年第四季起將陸續轉進(jìn)30納米制程技術(shù)。 根據美光預估，今年全球NAND Flash市場(chǎng)可望增長(cháng)至254億美元規模，除了目前一般數字影音播放器、UFD(通用串行總線(xiàn)閃存儲存驅動(dòng)器)、記憶卡等應用外，也相當看好移動(dòng)儲存市場(chǎng)的發(fā)展潛力。 為降低生產(chǎn)成本，強化競爭力，NAND Flash制造廠(chǎng)持續不斷進(jìn)行制程技術(shù)微縮，其中IM Flash陣營(yíng)已宣示，34納米制程技術(shù)將于今年第四季投產(chǎn)。韓國三星電
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30納米介紹
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