英特爾發(fā)明半導體材料 處理器功耗望降90%

　　近日，英特爾對外透露該公司旗下實(shí)驗室的全新研究結果，該項成果可使處理器減低所需功耗，未來(lái)的處理器耗電量甚至可以是當今處理器的十分之一，而性能與體積不僅不會(huì )停止不前，還會(huì )大幅度的前進(jìn)。而這項研究的對象則被英特爾稱(chēng)之為“P Channel與N-Channel半導體組合協(xié)作”課題.

 

　　P Channel與N-Channel半導體組合協(xié)作技術(shù)的晶圓樣品

　　在英特爾最新的研究報告中透露了有關(guān)P-ChannelTransistor的資料，這是一種復合半導體，也稱(chēng)為III-V物料，因為它就是硅晶體周期表的列于第四周期表中，據研究指出它擁有極高的效率及極低電阻的物理特征。而英特爾早前透露的采用III-V物料的N-ChannelTranistsor，同樣將會(huì )使用在處理器制程技術(shù)上。

　　據英特爾指出，當P-ChannelTransistor及N-ChannelTransistor復合應用后，所制造出的CMOS邏輯芯片比傳統物料可減低一半的電壓，而且功耗更可降低至口金只有十分之一。此研發(fā)創(chuàng )新技術(shù)將會(huì )應用于未來(lái)一段時(shí)間內的處理器量產(chǎn)工作。而該項技術(shù)帶來(lái)的好處則是顯而易見(jiàn)的：首先，該技術(shù)可將處理器效率進(jìn)一

　　步提高;其次，容許更復雜的處理器內核設計及減低了因功耗而出現的散熱問(wèn)題;最后，采用該類(lèi)處理器的筆記本機身體積還可進(jìn)一步縮少。

　　當前，英特爾已開(kāi)始進(jìn)行試驗上述半導體材料大量生產(chǎn)的可能性，希望可以在未來(lái)一至兩年內將該項技術(shù)應用于實(shí)際生產(chǎn)中。