英特爾在硅光電子學(xué)取得重大技術(shù)突破

　　12月8日消息，英特爾公司8日對外宣布，其在硅光電子學(xué)領(lǐng)域取得了又一項重大的技術(shù)突破，這項突破可以基于硅的雪崩光電探測器(Silicon-based Avalanche Photodetector)實(shí)現了創(chuàng )世界紀錄的高性能，與目前市場(chǎng)上的同類(lèi)器件相比可大幅度降低成本并提高性能。

　　英特爾稱(chēng)，此次在硅光電子學(xué)上取得的重大技術(shù)突破是繼英特爾實(shí)現快速硅調制器和混合硅激光器等技術(shù)后的又一項重大進(jìn)展。這項技術(shù)可在寬帶、萬(wàn)億次計算、傳感與安全領(lǐng)域有潛在的應用。

　　英特爾企業(yè)技術(shù)事業(yè)部電子技術(shù)研究室高級研究員亢宜敏博士向新浪科技介紹，特爾研究人員領(lǐng)導的團隊成功研制出的硅基雪崩光電探測器，通過(guò)探測微弱光信號并將其放大而擁有卓越的靈敏度。這款雪崩光電探測器使用硅和CMOS工藝實(shí)現了有史以來(lái)最高的340 GHz“增益-帶寬積”。這為降低40Gpbs或更高數據傳輸速度的光學(xué)鏈路的成本開(kāi)啟了大門(mén)，同時(shí)也第一次證明了硅光電子元器件的性能可以超過(guò)現有的使用磷化銦(InP)等更昂貴傳統材料制造的光電子元器件的性能。

　　中國科學(xué)院半導體研究所研究員成步文解釋說(shuō)，英特爾研究人員實(shí)現的增益帶寬積達到的340GHz打破了記錄，具有明顯的成本優(yōu)勢，這再次證明了Si基材料可以用于制備性能優(yōu)越、價(jià)格低廉的光電子器件，并顯示出Si基光子學(xué)所蘊涵的巨大應用潛力和廣闊的發(fā)展空間。

　　英特爾院士、光電子學(xué)技術(shù)實(shí)驗室總監Mario Paniccia博士在一份聲明中表示：“這項研究成果再次展示了硅可以用于制造超高性能的光電產(chǎn)品。除了光學(xué)通信，這些硅基雪崩光電探測器還可以應用于傳感、成像、量子密碼學(xué)或生物學(xué)等領(lǐng)域。”