臺灣存儲器之夢(mèng)破碎

　　臺灣地區取得全球晶圓代工第一、封裝第一及IC設計第二（僅次于美國）如此驕人的成績(jì)，并沒(méi)有　沾沾自喜，相反總是在努力尋找差距，并確立追趕目標，這一點(diǎn)非常難能可貴。例如在臺灣島內自2004年開(kāi)始，就半導體及平板顯示業(yè)展開(kāi)大討論，以南韓為目標尋找差距?？谔柺?ldquo;為什么韓國能，臺灣不能？”

　　通過(guò)分析與比較，臺灣在半導體產(chǎn)業(yè)中的目標是：1) 總產(chǎn)值要超過(guò)韓國，成為繼美國，日本之后的全球第三位；2) 在未來(lái)三至五年中，存儲器業(yè)要超過(guò)韓國，成為全球第一。

　　為什么選擇存儲器作為突破口？

　　這是一個(gè)值得思考的好問(wèn)題?；仡?0年代日本追趕美國，以及90年代韓國追趕日本，都是以存儲器作為突破口。原因是存儲器市場(chǎng)巨大、設計技術(shù)相對簡(jiǎn)單且易于擴大市場(chǎng)份額等。

　　韓國就是在6英寸晶圓廠(chǎng)過(guò)渡到8英寸晶圓廠(chǎng)的世代交替時(shí)，以9座8英寸晶圓廠(chǎng)的產(chǎn)能優(yōu)勢，一舉取代日本廠(chǎng)商躍居全球DRAM產(chǎn)業(yè)的第一。

　　臺灣地區試圖以同樣的方法，希望在8英寸過(guò)渡到12英寸晶圓廠(chǎng)的世代交替時(shí)，以擁有全球最多的12英寸晶圓廠(chǎng)來(lái)取勝。結果臺灣并未成功，三星及海力士仍雄居全球存儲器第一與第二位。

　　臺灣在存儲器方面重投資策略未能奏效

　　半導體業(yè)內有個(gè)潛規則，只要舍得投資就有可能成功。例如臺灣地區半導體業(yè)在90年初代工模式剛興起時(shí)，年投資金額與年銷(xiāo)售額之比達60％以上。

　　根據此理念，臺灣地區從2004年開(kāi)始加速存儲器方面的投資。例如從2004至2008年期間，臺灣地區在存儲器方面的總投資達300億美元以上，擁有20條12英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，位列全球第一，大大超出同期三星的投資。但是最終并未因12英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)多而取得勝利，日前臺灣地區已宣布放棄存儲器追趕策略，而轉向固守陣地。臺灣DRAM和三星投資比較，如下圖所示。

　　臺灣DRAM與三星在投資方面的比較 
 

　　原因初探

　　臺灣地區在存儲器方面重投資而未能奏效，原因是多方面的，也可以認為臺灣地區在半導體策略上的一次重大失誤。據筆者觀(guān)察有以下三個(gè)主要原因：

　　首先，臺灣地區在發(fā)展存儲器業(yè)中主要采用代工模式，而代工模式在DRAM中以失敗告終。眾所周知，在DRAM產(chǎn)業(yè)中有兩個(gè)趨勢已成為共識，一個(gè)是制程轉變快，緊跟摩爾定律。由于存儲器的產(chǎn)品設計上相對簡(jiǎn)單，無(wú)多大差異。例如在12英寸晶圓中，同為512Mb DDR2產(chǎn)品，在相同工藝制程下，假設成品率均為85％時(shí)，90nm與70nm制程在每片晶圓上產(chǎn)出的芯片數量分別為750-1050個(gè)及1350-1420個(gè)，成本差距達40％以上。所以目前全球DRAM業(yè)紛紛從70nm制程加快轉進(jìn)6x-5xnm制程。另一個(gè)是月產(chǎn)能達15萬(wàn)片的超級大廠(chǎng)盛行，投資高達50-80億美元。主要原因是出于運營(yíng)成本的考慮，運行3個(gè)5萬(wàn)片晶圓廠(chǎng)的成本肯定高過(guò)一個(gè)15萬(wàn)片晶圓廠(chǎng)。按此理分析，代工廠(chǎng)的產(chǎn)能小時(shí)無(wú)法與IDM廠(chǎng)競爭。當產(chǎn)能足夠大時(shí)，一來(lái)代工廠(chǎng)擔心未來(lái)訂單不足而猶豫擴充產(chǎn)能，同時(shí)那些IDM廠(chǎng)又擔心代工廠(chǎng)會(huì )與自己爭奪客戶(hù)。另外，從根本上那些IDM廠(chǎng)也不可能把最先進(jìn)制程的產(chǎn)品交給代工廠(chǎng)。因此，代工模式在DRAM業(yè)中受到質(zhì)疑，中芯國際近期退出存儲器代工可能也是基于此理。

　　再有一個(gè)原因，臺灣地區存儲器業(yè)中缺乏自己應有的技術(shù)，過(guò)多的依賴(lài)于技術(shù)轉移。例如力晶與爾必達，茂德與海力士及華亞科與奇夢(mèng)達（現在的美光）。沒(méi)有自已應有的技術(shù)，等于缺乏脊梁。這也是臺灣地區存儲器追趕韓國失敗的主要原因。

　　最后一個(gè)原因是全球存儲器的市場(chǎng)未能達到預期。而目前幾乎2/3的新建或擴充產(chǎn)能集中在存儲器業(yè)中。從市場(chǎng)分析，推動(dòng)全球存儲器業(yè)再次躍起有如下幾個(gè)潛在因素：Vista操作系統的普及、全球服務(wù)器和數據處理中心中存儲器的更替以及筆記本和移動(dòng)多媒體中SSD的推廣。因種種原因市場(chǎng)并未如預期那么大，而前幾年的投資開(kāi)始發(fā)酵，造成供過(guò)于求的局面。最終導致DRAM和NAND閃存價(jià)格的持續下跌完全超出市場(chǎng)預期。

　　臺灣地區存儲器業(yè)經(jīng)過(guò)近5年努力，花費300億美元以上的投資，結果未能超過(guò)韓國。一方面表明韓國在存儲器方面的實(shí)力之強大；另一方面也證明“金錢(qián)不是萬(wàn)能的”，挑戰了半導體業(yè)的潛規則。

　　結語(yǔ)

　　任何策略不可能簡(jiǎn)單地復制，任何成功都是由多個(gè)因素共同促成的。臺灣地區在半導體業(yè)總體上是成功的，但是此次存儲器之夢(mèng)未能實(shí)現。