應用材料公司推出新eHARP 系統

　　近日，應用材料公司推出Applied Producer® eHARP™ 系統，為32納米及更小工藝節點(diǎn)上關(guān)鍵的STI（淺溝槽隔離）器件結構提供已被生產(chǎn)驗證的HARP SACVD®空隙填充技術(shù)。eHARP工藝能夠提供無(wú)孔薄膜，用于填充小于30納米、長(cháng)寬比大于12:1的空隙，從而滿(mǎn)足先進(jìn)存儲器件和邏輯器件的關(guān)鍵制造要求。該系統擁有多項工藝創(chuàng )新專(zhuān)利，能提供強勁的高密度應力誘導薄膜，幫助推動(dòng)傳統的平坦化和新興的3-D器件結構向更小的技術(shù)節點(diǎn)發(fā)展。

　　應用材料公司副總裁兼電介質(zhì)系統和化學(xué)機械研磨事業(yè)部總經(jīng)理Bill McClintock表示：“在過(guò)去的14年中，應用材料公司作為業(yè)界的領(lǐng)先企業(yè)一直為客戶(hù)提供最先進(jìn)的HDP-CVD和SACVD空隙填充技術(shù)，滿(mǎn)足客戶(hù)最緊迫的工藝要求。Producer eHARP系統為客戶(hù)提供了32納米及更小技術(shù)節點(diǎn)上STI空隙填充的發(fā)展路徑，同時(shí)也不需要對現有的工藝流程進(jìn)行過(guò)大的改動(dòng)?？蛻?hù)們對eHARP系統的能力感到非常興奮，其中一些重要的器件生產(chǎn)廠(chǎng)商還將eHARP選定為先進(jìn)邏輯器件和存儲器件開(kāi)發(fā)制造的參考系統。”

　　Producer eHARP技術(shù)同非CVD空隙填充技術(shù)相比，能夠提供最低的每片晶圓成本。eHARP薄膜不含碳，不需要保護層或者覆蓋層，能方便地和傳統化學(xué)機械研磨工藝整合，并提供可靠強勁的器件隔離效果。此外，eHARP系統工藝中所使用的化學(xué)物品已經(jīng)經(jīng)過(guò)驗證，不會(huì )產(chǎn)生有害的液體副產(chǎn)品，因此也不需要特殊的化學(xué)處置。

　　eHARP工藝基于應用材料公司聲譽(yù)卓著(zhù)的Producer平臺，該平臺被業(yè)內每一家芯片制造廠(chǎng)商用于包括低k沉積、應力工程、光刻薄膜、PECVD*和SACVD*等先進(jìn)應用中。超過(guò)500臺Producer系統已經(jīng)被運送到客戶(hù)處用于SACVD應用，進(jìn)行升級后它們全部可以運行eHARP工藝。